Low-temperature dopant activation and its application to polycrystalline silicon thin film transistors

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 3, 1996, Pages 380-382

  Lee, Seok Woon ^a   Ihn, Tae Hyung ^a   Joo, Seung Ki ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0012968980     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.118067     Document Type: Article

References (21)

1. T, Aoyama, G. Kawachi, N. Konishi, T. Suzuki, Y. Okajima, and K. Miyata, J. Electrochem. Soc. 136, 1169 (1989).
2. K. Nakazawa, J. Appl. Phys. 69, 1703 (1991).
3. G. Ottaviani, D. Sigurd, V. Marrello, J. W. Mayer, and J. O. McCaldin, J. Appl. Phys. 45, 1730 (1974).
4. T. J. Konno and R. Sinclair, Mater. Sci. Eng. A179/A180, 426 (1994).
5. S. F. Gong, H. T. G. Hentzell, A. E. Robertsson, L. Hultman, S.-E. Hornstrom, and G. Radnoczi, J. Appl. Phys. 62, 3726 (1987).
6. L. Hultman, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, and I. Engstrom, J. Appl. Phys. 62, 3647 (1987).
7. G. Radnoczi, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, S. F. Gong, and M.-A. Hasan, J. Appl. Phys. 69, 6394 (1991).
8. E. Nygren, A. P. Pogany, K. T. Short, J. S. Williams, R. G. Elliman, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 52, 439 (1988).
9. G. Liu and S. J. Fonash, Appl. Phys. Lett. 62, 2554 (1993).
10. S. W. Lee, Y. C. Jeon, and S. K. Joo, Appl. Phys. Lett. 66, 1671 (1995).
11. S. W. Lee and S. K. Joo, Digest AMLCD '95, 113 (1995).
12. S. W. Lee, Y. C. Jeon, and S. K. Joo, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 321, 707 (1993).
13. B. L. Crowder and F. F. Morehead, Appl. Phys. Lett. 14, 313 (1969).
14. C. Hayzelden and J. L. Batstone, J. Appl. Phys. 73, 8279 (1993).
15. T. Hempel and O. Schoenfeld, Solid State Commun. 85, 921 (1993).
16. C. Hayzelden, J. L. Batstone, and R. C. Canmaratu, Appl. Phys. Lett. 60, 225 (1992).
17. L. Csepregi, E. F. Kennedy, T. J. Gallagher, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 48, 4234 (1977).
18. S. W. Lee and S. K. Joo, IEEE Trans Electron. Device Lett. 17, 160 (1996).
19. T. W. Little, K. Takahara, H. Koike, T. Nakazawa, I. Yudasaka, and H. Ohshima, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 3724 (1991).
20. T. J. King and K. C. Saraswat, IEEE Electron Device Lett. 13, 309 (1992).
21. H. Kuriyama et al., IEDM 1991 Tech. Dig. 563 (1991).