Two-dimensional arsenic precipitation in superlattice structures of alternately undoped and heavily Be-doped GaAs grown by low-temperature molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 16, 1998, Pages 1984-1986

  Su, Z A ^a   Huang, J H ^b   Hsieh, L Z ^b   Lee, W I ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0012883841     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121240     Document Type: Article

References (21)

1. D. C. Look and D. C. Walters, Phys. Rev. B 42, 3578 (1990).
2. D. D. Nolte, M. R. Melloch, J. M. Woodall, and S. J. Ralph, Appl. Phys. Lett. 62, 1356 (1993).
3. F. W. Smith, C. L. Chen, G. W. Turner, M. C. Finn, J. Mahoney, M. J. Manfra, and A. R. Calawa, Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting (IEEE, New York, 1988), p. 838.
4. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E. R. Weber, T. George, J. B. Kortright, F. W. Smith, B.-Y. Tsaur, and A. R. Calawa, Appl. Phys. Lett. 54, 1881 (1989).
5. M. Kaminska, E. R. Weber, Z. Liliental-Weber, R. Leon, and Z. U. Rek, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 710 (1989).
6. M. R. Melloch, N. Otsuka, J. M. Woodall, A. C. Warren, and J. L. Freeouf, Appl. Phys. Lett. 57, 1531 (1990).
7. A. C. Campbell, G. E. Crook, T. J. Rogers, and B. G. Streetman, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 305 (1990).
8. F. W. Smith, A. R. Calawa, C.-L. Chen, M. J. Manfra, and L. J. Mahoney, IEEE Electron Device Lett. EDL-9, 77 (1988).
9. B. J.-F. Lin, C. P. Kocot, D. E. Mars, and R. Jaeger, IEEE Trans. Electron Devices ED-37, 46 (1990).
10. L.-W. Yin, Y. Hwang, J. H. Lee, R. M. Kolbas, R. J. Trew, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. EDL-11, 561 (1990).
11. T. J. Rogers, C. Lei, B. G. Streetman, and D. G. Deppe, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 926 (1993).
12. A. C. Warren, J. M. Woodall, J. L. Freeouf, D. Grischkiwsky, D. T. McInturff, M. R. Melloch, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 57, 1331 (1990).
13. K. Mahalingam, N. Otsuka, M. R. Melloch, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 60, 3253 (1992).
14. T. M. Cheng, A. Chin, C. Y. Chang, M. F. Huang, K. Y. Hsieh, and J. H. Huang, Appl. Phys. Lett. 64, 1546 (1994).
15. M. R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam, C. L. Chang, P. D. Kirchner, J. M. Woodall, and A. C. Warren, Appl. Phys. Lett. 61, 177 (1992).
16. T. M. Cheng, C. Y. Chang, A. Chin, M. F. Huang, and J. H. Huang, Appl. Phys. Lett. 64, 2517 (1994).
17. M. R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam, C. L. Chang, J. M. Woodall, G. D. Pettit, P. D. Kirchner, F. Cardone, A. C. Warren, and D. D. Nolte, J. Appl. Phys. 72, 3509 (1992).
18. S. P. O'Hagan, M. Missous, A. Mottram, and A. C. Wright, J. Appl. Phys. 79, 8384 (1996).
19. Z. Liliental-Weber, X. W. Lin, J. Washburn, and W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 66, 2086 (1995).
20. K. C. Hsieh, K. Y. Hsieh, Y. L. Hwang, T. Zhang, and R. M. Kolbas, Appl. Phys. Lett. 68, 1790 (1996).
21. D. E. Bliss, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, K. T. Chan, and S. Tanigawa, J. Appl. Phys. 71, 1699 (1992).