Dopants effects on the interfacial reaction between Co and strained Si0.8Ge0.2 layers

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 4, 1998, Pages 2019-2024

  Cytermann, C ^a   Holzman, E ^a   Brener, R ^a   Fastow, M ^a   Eizenberg, M ^a   Gluck M ^b   Kibbel, H ^b   Konig U ^b  

^a TECHNION ISRAEL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Israel)

^b DAIMLER AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0007091549     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366932     Document Type: Article

References (20)

1. G. L. Patton, J. H. Comfort, B. S. Meyerson, E. F. Crabbe, G. J. Scilla, E. De Fresart, J. M. C. Stork, J. Y. C. Sun, D. L. Harame, and J. M. Burgatz, IEEE Electron Device Lett. EDL-11, 171 (1990).
2. A. Schuppen, A. Gruhle, H. Kibbel, and U. König, J. Mater. Sci. 6, 5 (1995).
3. H. Kanaya, F. Hasegawa, E. Yamaka, T. Moriyama, and M. Nakajima, J. Appl. Phys. 28, 544 (1989).
4. X. Xiao, C. Sturn, S. R. Parihar, S. A. Lyon, D. Meyerhofer, S. Palfrey, and F. V. Shallcross, IEEE Electron Device Lett. EDL-14, 199 (1993).
5. K. Maex, Mater. Sci. Eng. Rep. R11, 53 (1993).
6. M. C. Ridgway, R. G. Elliman, N. Hauser, J. M. Baribeau, and T. E. Jackman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 260, 857 (1992); M. C. Ridgway, R. G. Elliman, R. Pascual, J. L. Whitton, and J.-M. Baribeau, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 311, 155 (1993).
7. M. C. Ridgway, R. G. Elliman, N. Hauser, J. M. Baribeau, and T. E. Jackman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 260, 857 (1992); M. C. Ridgway, R. G. Elliman, R. Pascual, J. L. Whitton, and J.-M. Baribeau, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 311, 155 (1993).
8. F. Lin, G. Sarcona, M. K. Hatalis, A. F. Cserhati, E. Austin, and D. W. Greve, Thin Solid Films 250, 20 (1994).
9. Z. Wang, Y. L. Chen, H. Ying, R. J. Nemanich, and D. E. Sayers, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 320, 397 (1994).
10. M. Glück, A. Schuppen, M. Rösler, W. Heinrich, J. Hersener, U. König, O. Yam, C. Cytermann, and M. Eizenberg, Thin Solid Films 270, 549 (1995).
11. W. Q. B. Z. Li, W. N. Huang, Z. G. Gu, H. Q. Lu, X. J. Zhang, M. Zhang, G.-S. Dong, D. C. Miller, and R. G. Aitken, J. Appl. Phys. 77, 1086 (1995).
12. O. Nur, M. R. Sardela, Jr., H. H. Radamson, M. Willander, G. V. Hansson, and S. Hatzikonstantinidou, Phys. Scr. T 54, 294 (1994).
13. O. Nur, M. Willander, L. Hultman, H. H. Radamson, G. V. Hansson, M. R. Sardela, Jr., and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 78, 7063 (1995).
14. M. C. Ridgway, M. R. Rao, and J.-M. Baribeau, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 320, 329 (1994).
15. C. Zaring, B. G. Svensson, and M. Östling, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 260, 157 (1992); C. Zaring, A. Pisch, J. Cardenas, P. Gas, and B. G. Svensson, J. Appl. Phys. 80, 2742 (1996).
16. C. Zaring, B. G. Svensson, and M. Östling, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 260, 157 (1992); C. Zaring, A. Pisch, J. Cardenas, P. Gas, and B. G. Svensson, J. Appl. Phys. 80, 2742 (1996).
17. P. Kuo, J. L. Hoyt, J. F. Gibbons, J. E. Turner, R. D. Jacowitz, and T. I. Kamins, Appl. Phys. Lett. 62, 612 (1993).
18. D. X. Xu, C. J. Peters, J.-P. Noël, S. J. Rolfe, and N. G. Tarr, Appl. Phys. Lett. 64, 3270 (1994).
19. S. C. Lee, S. J. Yun, and J. Y. Lee, J. Cryst. Growth 150, 999 (1995).
20. A. Eyal, R. Brener, R. Beserman, M. Eizenberg, Z. Atzmon, D. J. Smith, and J. W. Mayer, Appl. Phys. Lett. 69, 64 (1996).