메뉴 건너뛰기




Volumn 68, Issue 6, 1996, Pages 809-811

Improved heterojunction bipolar transistor reliability with carbon-doped base

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords


EID: 0006420636     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116540     Document Type: Article
Times cited : (4)

References (6)
  • 4
    • 0025496743 scopus 로고    scopus 로고
    • M. E. Hafizi, L. M. Pawlowicz, L. T. Tran, D. C. Streit, A. K. Oki, M. E. Kim, and K. H. Yne, GaAs IC Symposium Digest (IEEE, Piscataway, NJ, 1990), p. 329
    • M. E. Hafizi, L. M. Pawlowicz, L. T. Tran, D. C. Streit, A. K. Oki, M. E. Kim, and K. H. Yne, GaAs IC Symposium Digest (IEEE, Piscataway, NJ, 1990), p. 329.


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.