Properties of Er-related emission in in situ doped Si epilayers grown by molecular beam epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 3, 1998, Pages 1732-1736

  Buyanova, I A ^a   Chen, W M ^a   Pozina, G ^a   Ni, W X ^a   Hansson, G V ^a   Monemar, B ^a  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0005436973     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590044     Document Type: Article

References (20)

1. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, and A. Axmann, Appl. Phys. Lett. 43, 943 (1983).
2. Y.-H. Xie, E. A. Fitzgerald, and Y. J. Mii, J. Appl. Phys. 70, 3223 (1991).
3. A. Polman, G. V. van den Hoven, J. S. Custer, J. H. Shin, R. Serna, and R. F. A. Alkemade, J. Appl. Phys. 77, 1256 (1995).
4. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, and R. Serna, Phys. Rev. B 49, 16 313 (1994).
5. J. Michel, J. L. Benton, R. I. Ferrante, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, J. M. Poate, and L. C. Kimerling, J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991).
6. Y. S. Tang, K. C. Heasman, W. P. Gillin, and B. J. Sealy, Appl. Phys. Lett. 55, 432 (1989).
7. H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R. J. Wilson, and B. J. Sealy, Phys. Rev. B 54, 2532 (1996).
8. H. Efeoglu, J. H. Evans, T. E. Jackman, B. Hamilton, D. C. Houghton, J. M. Langer, A. R. Peaker, D. Perovic, I. Poole, N. Ravel, P. Hemment, and C. W. Chan, Semicond. Sci. Technol. 8, 236 (1993).
9. R. Serna, M. Lohmeier, P. M. Zagwijn, E. Vlieg, and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 66, 1385 (1995).
10. J. Stimmer, A. Reittinger, J. F. Nützel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, and Ch. Buchal, Appl. Phys. Lett. 68, 3290 (1996).
11. M. Matsuoka and S. Tohno, Appl. Phys. Lett. 66, 1862 (1995).
12. K. Miyashita, Y. Shiraki, D. C. Houghton, and S. Fukatsu, Appl. Phys. Lett. 67, 235 (1995).
13. F. Y. G. Ren, J. Michel, D. C. Jacobson, J. M. Poate, and L. C. Kimerling, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 316, 493 (1994).
14. F. G. Anderson, Appl. Phys. Lett. 68, 2421 (1996).
15. W.-X. Ni, K. B. Joelsson, C.-X. Du, I. A. Buyanova, G. Pozina, W. M. Chen, G. V. Hansson, B. Monemar, J. Cardenas, and B. G. Svensson, Appl. Phys. Lett. 70, 3383 (1997).
16. W. M. Chen, I. A. Buyanova, W.-X. Ni, G. V. Hansson, and B. Monemar, Phys. Rev. Lett. 77, 4214 (1996).
17. I. A. Buyanova, W. M. Chen, G. Pozina, W.-X. Ni, G. V. Hansson, B. Monemar, Proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, 1997 (to be published).
18. B. Zheng, J. Michel, F. Y. G. Ren, L. C. Kimerling, D. C. Jaconson, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 64, 2842 (1994).
19. S. Coffa, G. Franzo, and F. Priolo, Appl. Phys. Lett. 69, 2077 (1996).
20. I. N. Yassievich and L. C. Kimerling, Semicond. Sci. Technol. 8, 718 (1993).