Solid source molecular beam epitaxial growth of In0.5Ga0.5P pseudomorphic high electron mobility transistor structures

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 3, 1998, Pages 1408-1412

  Hoke, W E ^a   Lemonias, P J ^a   Beaudoin, R M ^a   Torabi, A ^a  

^a RAYTHEON COMPANY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0004975211     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (18)

1. W. E. Quinn, Proc. Electrochem. Soc. 96-15, 22 (1996).
2. D. L. Miller, S. S. Bose, and G. J. Sullivan, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 311 (1990).
3. G. W. Wicks, M. W. Koch, J. A. Varriano, F. G. Johnson, C. R. Wie, H. M. Kim, and P. Colombo, Appl. Phys. Lett. 59, 342 (1991).
4. F. Briones and A. Ruiz, J. Cryst. Growth 111, 194 (1991).
5. W. H. Loh, D. Atkinson, P. R. Morkel, M. Hopkinson, A. Rivers, A. J. Seeds, and D. N. Payne, IEEE Photonics Technol. Lett. 5, 35 (1993).
6. M. Toivonen, A. Salokatve, M. Jalonen, J. Nappi, H. Asonen, M. Pessa, and R. Murison, Electron. Lett. 31, 797 (1995).
7. J. N. Baillargeon, K. Y. Cheng, A. Y. Cho, and S. N. Chu, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2244 (1996).
8. C. C. Wamsley, M. W. Koch, and G. W. Wicks, J. Cryst. Growth 175/ 176, 42 (1997).
9. F. G. Johnson, O. King, F. Seiferth, K. S. Mobarhan, D. R. Stone, R. D. Whaley, M. Dagenais, and Y. J. Chen. J. Cryst. Growth 175/176, 46 (1997).
10. W. E. Hoke, D. G. Weir, P. J. Lemonias, H. T. Hendriks, G. S. Jackson, and P. Colombo, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 733 (1995).
11. T. P. Chin, W. L. Chen, G. I. Haddad, J. M. Woodall, J. C. Chang, C. Parks, and A. K. Ramdas, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 750 (1995).
12. W. E. Hoke, P. J. Lemonias, D. G. Weir, H. T. Hendriks, L.-J. Chou, and K. C. Hsieh. J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2233 (1996).
13. W. E. Hoke, P. S. Lyman, J. J. Mosca, R. A. McTaggart, P. J. Lemonias, R. M. Beaudoin, A. Torabi, W. A. Bonner, B. Lent, L.-J. Chou, and K. C. Hsieh, J. Appl. Phys. 82 (1997).
14. S. Brierley, J. Appl. Phys. 74, 2760 (1993).
15. M. A. Rao, E. J. Caine, H. Kroemer, S. I. Long, and D. I. Babic, J. Appl. Phys. 61, 643 (1987).
16. M. O. Watanabe and Y. Ohba, Appl. Phys. Lett. 50, 906 (1987).
17. W. E. Hoke, P. S. Lyman, W. H. Labossier, J. C. Huang, M. Zaitlin, and H. Hendriks, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 397 (1990).
18. S. K. Brierley, W. E. Hoke, P. S. Lyman, and H. T. Hendriks, Appl. Phys. Lett. 59, 3306 (1991).