Fabrication of laterally selected Si doped layer in GaAs using a low-energy focused ion beam/molecular beam epitaxy combined system

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 14, Issue 6, 1996, Pages 3938-3941

  Yanagisawa, Junichi ^a   Nakayama, Hiromasa ^a   Wakaya, Fujio ^a   Yuba, Yoshihiko ^a   Gamo, Kenji ^a  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0004900957     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.588699     Document Type: Article

References (17)

1. A. Takamori, E. Miyauchi, H. Arimoto, Y. Bamba, and H. Hashimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 23, L599 (1984).
2. A. Kawano, H. Arimoto, H. Kitada, A. Endoh, and T. Fujii, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L71 (1991).
3. J. H. Thompson, D. A. Ritchie, G. A. C. Jones, E. H. Linfied, J. E. F. Frost, A. C. Churchill, G. W. Smith, D. Lee, M. Houlton, and C. R. Whitehouse, Surf. Sci. 267, 69 (1992).
4. E. H. Linfield, G. A. C. Jones, D. A. Ritchie, A. R. Hamilton, and N. Iredale, J. Cryst. Growth 127, 41 (1993).
5. T. Ishibashi, A. Fischer, A. D. Wiech, and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 62, 513 (1993).
6. M. Itoh, T. Saku, T. Fujisawa, Y. Hirayama, and S. Tarucha, Jpn, J. Appl. Phys. 33, 771 (1994).
7. F. Wakaya, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 6242 (1993).
8. N. G. Stoffel, S. A. Schwarz, M. A. A. Pudensi, K. Kash, L. T. Florez, J. P. Harbison, and B. J. Wilkens, Appl. Phys. Lett. 60, 1603 (1992).
9. S. Sasa, M. S. Miller, Y. J. Li, Z. Xu, K. Ensslin, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 57, 2259 (1990).
10. S. Hirohata, T. Kosugi, H. Sawaragi, R. Aihara, and K. Gamo, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2814 (1992).
11. J. Yanagisawa, H. Nakayama, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 396, 701 (1996).
12. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark, in The Stopping and Range of Ions in Solids (Pergamon, New York, 1985).
13. E. F. Schubert, in Doping in III-V Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge, 1993).
14. M. Ogawa and T. Baba, Jpn. J. Appl. Phys. 24, L572 (1985).
15. L. Pfeiffer, E. F. Schubert, K. W. West, and C. W. Magee, Appl. Phys. Lett. 58, 2258 (1991).
16. H. Yamazaki, T. Honda, and S. Miyazawa, Electron. Lett. 17, 817 (1981).
17. F. Wakaya, K. Umeda, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 7223 (1994).