Photo-Hall studies of modulation-doped field-effect transistors with short-period superlattice channels rather than alloy channels

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 14, Issue 5, 1996, Pages 3350-3356

  Moreira, M V B ^a   De Oliveira, A G ^a   Py, M A ^b  

^a FEDERAL UNIVERSITY OF MINAS GERAIS   (Brazil)

^b EPFL   (Switzerland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0004667849     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.588534     Document Type: Article

References (20)

1. T. S. Henderson, W. T. Masselink, W. Kopp, and H. Morkoç, IEEE Electron Device Lett. 7, 288 (1986).
2. A. Fischer-Colbrie, J. N. Miller, S. S. Laderman, S. J. Rosner, and R. Hull, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 620 (1988).
3. J.-K. Luo, H. Ohno, K. Matsuzaki, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1831 (1988).
4. L. D. Nguyen, D. C. Radulescu, M. C. Foisy, P. J. Tasker, and L. F. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices 36, 833 (1989).
5. M. V. Baeta Moreira, M. A. Py, M. Gailhanou, and M. Ilegems, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 103 (1992).
6. M. V. Baeta Moreira, M. A. Py, and M. Ilegems, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 593 (1993).
7. K. Hirakawa, H. Sakaki, and J. Yoshino, Appl. Phys. Lett. 45, 253 (1984).
8. T. Yao, Jpn. J. Appl. Phys. 22, L680 (1983).
9. J. M. Gerard, J. Y. Marzin, B. Jusserand, F. Glas, and J. Primot, Appl. Phys. Lett. 54, 30 (1989).
10. H. Toyoshima, T. Anan, K. Nishi, T. Ichihashi, and A. Okamoto, J. Appl. Phys. 68, 1282 (1990).
11. T. C. Hasenberg, D. S. McCallum, X. R. Huang, M. D. Dawson, T. F. Boggess, and A. L. Smirl, Appl. Phys. Lett. 58, 937 (1991).
12. J.-G. Jang, D. L. Miller, J. Fu, and K. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 772 (1992).
13. H. Toyoshima, K. Onda, E. Mizuki, N. Samoto, M. Kuzuhara, T. Itoh, A. Okamoto, T. Anan, and T. Ichihashi, J. Appl. Phys. 69, 3941 (1991).
14. M. V. Baeta Moreira, M. A. Py, and M. Ilegems, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 601 (1993).
15. M. A. Py, Y. Haddab, Z. M. Shi, H.-J. Buehlmann, M. V. Baeta Moreira, and M. Ilegems, Brazilian J. Phys. 24, 491 (1994).
16. M. V. Baeta Moreira, A. G. de Oliveira and M. A. Py, Solid State Commun. 97, 11 (1996).
17. J. M. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 18 (1974).
18. B. F. Lewis, T. C. Lee, F. J. Grunthaner, A. Madhukar, R. Fernandez, and J. Maserjian, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 419 (1984).
19. J. C. Bezerra, A. G. de Oliveira, M. S. C. Mazzoni, and H. Chacham, J. Appl. Phys. 77, 3283 (1995).
20. K. L. Tan, R. M. Dia, D. C. Streit, L. K. Shaw, A. C. Han, M. D. Scholley, P. H. Liu, T. Q. Trinh, T. Lin, and H. C. Yen, IEEE Electron Device Lett. 12, 23 (1991).