Cross-sectional scanning tunneling microscopy characterization of molecular beam epitaxy grown InAs/GaSb/AlSb heterostructures for mid-infrared interband cascade lasers

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 3, 1998, Pages 1389-1394

  Harper, J ^a   Weimer, M ^a   Zhang, D ^b   Lin, C H ^b   Pei, S S ^b  

^a TEXAS A AND M UNIVERSITY   (United States)

^b UNIVERSITY OF HOUSTON   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001693934     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590081     Document Type: Article

References (24)

1. C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, D. Zhang, R. Q. Yang, S. S. Pei, J. I. Malin, J. R. Meyer, C. L. Felix, J. R. Lindle, L. Goldberg, C. A. Hoffman, and E. J. Bartoli, J. Electron. Mater. 26, 440 (1997).
2. C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, P. C. Chang, Y. Zhou, S. S. Pei, J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, and J. F. Pinto, J. Cryst. Growth 175/176, 955 (1997).
3. C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgraftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S. S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
4. R. Q. Yang, Superlattices Microstruct. 17, 77 (1995).
5. C.-H. Lin, R. Q. Yang, D. Zhang, S. J. Murry, S. S. Pei, A. A. Allerman, and S. R. Kurtz, Electron. Lett. 33, 598 (1997).
6. R. Q. Yang, B. H. Yang, D. Zhang, C.-H. Lin, S. J. Murry, H. Wu, and S. S. Pei, Appl. Phys. Lett. 71, 2409 (1997).
7. R. M. Feenstra, D. A. Collins, and T. C. McGill, Superlattices Microstruct. 15, 215 (1994).
8. P. D. Brewer, D. H. Chow, and R. H. Miles, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2335 (1996).
9. G. Tuttle, H. Kroemer, and H. J. English, J. Appl. Phys. 67, 3032 (1990).
10. M. E. Twigg, B. R. Bennett, B. V. Shanabrook, J. R. Waterman, J. L. Davis, and R. J. Wagner, Appl. Phys. Lett. 64, 3476 (1994).
11. J. Schmitz, J. Wagner, F. Fuchs, N. Herres, P. Koidl, and J. D. Ralston, J. Cryst. Growth 150, 858 (1995).
12. R. M. Feenstra, D. A. Collins, D. Z.-Y. Ting, M. W. Wang, and T. C. McGill, Phys. Rev. Lett. 72, 2749 (1994).
13. R. M. Feenstra, D. A. Collins, D. Z.-Y. Ting, M. W. Wang, and T. C. McGill, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2592 (1994).
14. M. W. Wang, D. A. Collins, T. C. McGill, R. W. Grant, and R. M. Feenstra, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1689 (1995).
15. A. Y. Lew, S. L. Zuo, E. T. Yu, and R. H. Miles, Appl. Phys. Lett. 70, 75 (1997).
16. R. H. Miles, D. H. Chow, Y.-H. Zhang, P. D. Brewer, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 66, 1921 (1995).
17. G. Lengel, R. Wilkins, G. Brown, M. Weimer, J. Gryko, and R. E. Allen, Phys. Rev. Lett. 72, 836 (1994).
18. E. Clementi and C. Roetti, At. Data Nucl. Data Tables 14, 177 (1974).
19. A. R. Smith, K.-J. Chao, C. K. Shih, K. A. Anselm, A. Srinivasan, and B. G. Streetman, Appl. Phys. Lett. 69, 1214 (1996).
20. J. Harper, M. Weimer, D. Zhang, C.-H. Lin, and S. S. Pei, in Compared Semiconductors 1997, Proceedings of the IEEE 24th International Symposium on Compound Semiconductors, edited by M. Melloch and M. A. Reed, IOP Conf. Ser. 156 (Institute of Physics, Bristol, in press).
21. J. Harper, M. Weimer, D. Zhang, C.-H. Lin, and S. S. Pei (to be published).
22. S. M. Goodnick, D. K. Ferry, C. W. Wilmsen, Z. Liliental, D. Fathy, and O. L. Krivanek, Phys. Rev. B 32, 8171 (1985).
23. S. L. Skala, W. Wu, J. R. Tucker, J. W. Lyding, A. Seabaugh, E. A. Beam, and D. Jovanovic, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 660 (1995).
24. G. S. Spencer, J. Menendez, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Phys. Rev. B 52, 8205 (1995).