Microstructure and optical absorption properties of Si nanocrystals fabricated with low-pressure chemical-vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 7, 1996, Pages 4006-4011

  Nakajima, A ^a   Sugita, Y ^a   Kawamura, K ^a   Tomita, H ^a   Yokoyama, N ^a  

^a FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001585132     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363359     Document Type: Article

References (34)

1. R. Leon, S. Fafard, D. Leonard, J. L. Merz, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 67, 521 (1995).
2. K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai, and K. Seki, IEEE Trans. Electron Devices ED-41, 1628 (1994).
3. S. Muto, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L210 (1995).
4. S. Furukawa and T. Miyasato, Phys. Rev. B 38, 5726 (1988).
5. Y. Osaka, K. Tsunetomo, F. Toyomura, H. Myoren, and K. Kohno, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L365 (1992).
6. Y. Sun, R. Nishitani, and T. Miyasato, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L1645 (1994).
7. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 56, 2379 (1990).
8. M. Rüchschloss, O. Ambacher, and S. Veprek, J. Lumin. 57, 1 (1993).
9. D. Zang, R. M. Kolbas, P. D. Milewski, D. J. Lichtenwalner, A. I. Kingon, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 65, 2684 (1994).
10. H. Morisaki, F. W. Ping, H. Ono, and K. Yazawa, J. Appl. Phys. 70, 1869 (1991).
11. H. Morisaki, H. Hashimoto, F. W. Ping, H. Nozawa, and H. Ono, J. Appl. Phys. 74, 2977 (1993).
12. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
13. V. Lehmann and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 58, 856 (1991).
14. A. Nakajima, T. Itakura, S. Watanabe, and N. Nakayama, Appl. Phys. Lett. 61, 46 (1992).
15. A. Nakajima, Y. Nara, Y. Sugita, T. Itakura, and N. Nakayama, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 415 (1993).
16. A. Nakajima, Y. Ohshima, T. Itakura, and Y. Goto, Appl. Phys. Lett. 62, 2631 (1993).
17. M. S. Abrahams, C. J. Buiocchi, R. T. Smith, J. F. Corboy, Jr., J. Blanc, and G. W. Cullen, J. Appl. Phys. 47, 5139 (1976).
18. M. Kato, T. Sato, J. Murota, and N. Mikoshiba, J. Cryst. Growth 99, 240 (1990).
19. W. A. P. Claassen and J. Bloem, J. Electrochem. Soc. 128, 1353 (1981).
20. W. A. P. Claassen and J. Bloem, J. Electrochem. Soc. 127, 194 (1980).
21. A. Nakajima, Y. Sugita, K. Kawamura, H. Tomita, and N. Yokoyama, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L189 (1996).
22. I. Sagnes, A. Halimaoui, G. Vincent, and P. A. Badoz, Appl. Phys. Lett. 62, 1155 (1993).
23. D. J. Lockwood, A. Wang, and B. Bryskiewicz, Soild State Commun. 89, 587 (1994).
24. T. Suemoto, K. Tanaka, A. Nakajima, and T. Itakura, Phys. Rev. Lett. 70, 3659 (1993).
25. T. Suemoto, K. Tanaka, and A. Nakajima, J. Phys. Soc. Jpn. 63, 190 (1994).
26. P. D. J. Calcott, K. J. Nash, L. T. Canham, M. J. Kane, and D. Brumhead, J. Phys. Condens. Matter 5, L91 (1993).
27. Y. Horii, H. Tomita, and S. Komiya, Rev. Sci. Instrum. 66, 1370 (1995).
28. H. R. Philipp, J. Appl. Phys. 43, 2835 (1972).
29. C. F. Bohren and D. R. Huffman, in Absorption and Scattering of Light by Small Particles (Wiley, New York, 1983).
30. A. Nakajima, H. Aoyama, and K. Kawamura, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L1796 (1994).
31. A. Masson, J. J. Métois, and R. Kern, Surf. Sci. 27, 463 (1971).
32. J. J. Metois, M. Gauch, A. Masson, and R. Kern, Thin Solid Films 11, 205 (1972).
33. E. J. Johnson, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1967), Vol. 3, Chap. 6, p. 153
34. T. Takagahara and K. Takeda, Phys. Rev. B 46, 15 578 (1992).