In situ wafer bonding of an InP/InGaAs epitaxial wafer with a Si wafer in an ultrahigh vacuum chamber

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 20, 1996, Pages 3057-3059

  Kagawa, Toshiaki ^a   Matsuoka, Yutaka ^a  

^a NTT CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001580712     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116838     Document Type: Article

References (14)

1. E. Yablonovitch, D. M. Hwang, T. J. Gmitter, L. T. Florez, and J. P. Harbison, Appl. Phys. Lett. 56, 2419 (1990).
2. J. F. Klem, E. D. Jones, D. R. Myers, and J. A. Lott, J. Appl. Phys. 66, 459 (1989).
3. L. Pollentier, P. Demeester, A. Achert, L. Buydens, P. Van Daele, and R. Baets, Electron. Lett. 26, 193 (1990).
4. Y. H. Lo, R. Bhat, D. M. Hwang, M. A. Koza, and T. P. Lee, Appl. Phys. Lett. 58, 1961 (1991).
5. Y. H. Lo, R. Bhat, D. M. Hwang, C. Chua, and C. H. Lin, Appl. Phys. Lett. 62, 1038 (1993).
6. H. Wada, Y. Ogawa, and T. Kamijoh, Appl. Phys. Lett. 62, 738 (1993).
7. H. Wada and T. Kamijoh, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 4878 (1994).
8. Z. L. Liau and D. E. Mull, Appl. Phys. Lett. 56, 737 (1990).
9. H. Takagi, K. Kikuchi, R. Maeda, T. R. Chung, and T. Suga, Appl. Phys. Lett. 68, 2222 (1996).
10. A. R. Hawkins, T. E. Reynolds, D. R. England, D. I. Babic, M. J. Mondry, K. Streubel, and J. E. Bowers, Appl. Phys. Lett. 68, 3692 (1996).
11. T. Takahagi, I. Nagai, A. Ishida, H. Kuroda, and Y. Nagasawa, J. Appl. Phys. 64, 3516 (1988).
12. V. A. Burrows, Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghachari, and S. B. Christman, Appl. Phys. Lett. 53, 998 (1988).
13. M. Morita, T. Ohmi, E. Hasegawa, M. Kawasaki, and M. Ohwada, J. Appl. Phys. 68, 1272 (1990).
14. N. Yabumoto, K. Minegishi, Y. Komine, and K. Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L490 (1990).