Microstructure and dielectric properties of silicon nitride films deposited by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 11, 1998, Pages 5978-5984

  Ye, Chao ^a   Ning, Zhaoyuan ^a   Shen, Mingrong ^a   Cheng, Shanhua ^a   Gan, Zhaoqiang ^a  

^a SOOCHOW UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001186307     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.367463     Document Type: Article

References (26)

1. Y. Manabe and T. Mitsuyu, J. Appl. Phys. 66, 2475 (1989).
2. F. Demichelis, G. Crovini, F. Giorgis, C. F. Pirri, and E. Tresso, J. Appl. Phys. 79, 1730 (1996).
3. J. Ahn and K. Suzuki, Appl. Phys. Lett. 64, 3249 (1994).
4. P. V. Bulkin, P. L. Swart, and B. M. Lacquet, Thin Solid Films 241, 247 (1994).
5. J. C. Barbour, H. T. Stein, O. A. Popov, M. Yoder, and C. A. Outten, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 480 (1991).
6. J. Moon, T. Ito, and A. Hiraki, Thin Solid Films 229, 93 (1993).
7. E. C. Paloura, J. Lagowski, and H. C. Gatos, J. Appl. Phys. 69, 3995 (1991).
8. G. H. Parsons, J. H. Souk, and J. Batey, J. Appl. Phys. 70, 1553 (1991).
9. S. K. Ray, S. Das, C. K. Maiti, S. K. Lahiri, and N. B. Chakraborti, J. Appl. Phys. 75, 8145 (1994).
10. Y. C. Jeon, H. Y. Lee, and S. K. Joo, J. Appl. Phys. 75, 979 (1994).
11. D. E. Kotecki and J. D. Chapple-Sokol, J. Appl. Phys. 77, 1284 (1995).
12. S. Garcia, J. M. Martin, I. Martil, and G. Gonzalez-Diaz, Vacuum 10, 1027 (1994).
13. T. Hirao, K. Setsune, M. Kitagawa, T. Kamada, K. Wasa, K. Tsukamoto, and T. Izumi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 27, 30 (1988).
14. T. Goto and T. Hirai, J. Mater. Sci. 24, 821 (1989).
15. C. Ye, Z. Y. Ning, M. R. Shen, H. Wang, and Z. Q. Gan, Appl. Phys. Lett. 71, 336 (1997).
16. K. C. Lin and S. C. Les, J. Appl. Phys. 72, 5474 (1992).
17. P. Meakin, Phys. Rev. Lett. 51, 1119 (1983).
18. M. Kolb, R. Botel, and R. Jullien, Phys. Rev. Lett. 51, 1123 (1983).
19. H. Hirao, K. Setsune, M. Kitagawa, Y. Manabe, K. Wasa, and S. Kohiki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 26, L544 (1987).
20. M. Shiratani, H. Kawaski, T. Fukuzawa, H. Tsuruoka, T. Yoshioka, and Y. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 65, 1900 (1994).
21. S. M. Gorbatkin, L. A. Berry, and J. B. Roberto, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 2893 (1990).
22. W. D. Getty and J. B. Geddes, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 408 (1994).
23. K. T. Sung, W. H. Juan, and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 69 (1994).
24. I. Francois and G. Borghs, Appl. Phys. Lett. 65, 3011 (1994).
25. G. A. Niklasson, J. Appl. Phys. 62, R1 (1987).
26. G. A. Niklasson and K. Brantervik, Appl. Phys. Lett. 50, 937 (1987).