Dc-electric-field-induced second-harmonic generation in Si(111)-Cr metal-oxide-semiconductor structures

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 54, Issue 3, 1996, Pages 1825-1832

  Aktsipetrov, O ^a   Fedyanin, A ^a   Mishina, E ^a   Rubtsov, A ^a   van Hasselt, C ^b   Devillers, M ^b   Rasing, Th ^b  

^a MOSCOW STATE UNIVERSITY   (Russian Federation)

^b RADBOUD UNIVERSITY NIJMEGEN   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000596626     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.54.1825     Document Type: Article

References (32)

1. J. F. McGilp, Prog. Surf. Sci. 49, 1 (1995).
2. G. L. Richmond, J. M. Robinson and V. L. Shannon, Prog. Surf. Sci. 28, 1 (1988).
3. Th. Rasing, Appl. Phys. A 59, 531 (1994).
4. H. W. K. Tom, T. F. Heinz and Y. R. Shen, Phys. Rev. Lett. 51, 1983 (1983).
5. O. A. Aktsipetrov, I. M. Baranova and Yu. A. Ilinskii, Zh. Éksp. Teor. Fiz. 91, 287 (1986) [Sov. Phys. JETP 64, 167 (1986)].
6. J. E. Sipe, D. J. Moss, and H. M. van Driel, Phys. Rev. B 35, 1129 (1987).
7. C. W. van Hasselt, M. A. Verheijen and Th. Rasing, Phys. Rev. B 42, 9263 (1990).
8. G. Lupke, D. J. Bottomley, and H. M. van Driel, Phys. Rev. B 47, 10t389 (1993).
9. W. Daum, H.-J. Krause, U. Reichel and H. Ibach, Phys. Rev. Lett. 71, 1234 (1993).
10. C. Meyer, G. Lupke, U. Emmerichs, F. Wolter, H. Kurz, C. H. Bjorkman and G. Lucovsky, Phys. Rev. Lett. 74, 3001 (1995).
11. C. H. Bjorkman, C. E. Shearon, Y. Ma, T. Yasuda, G. Lucovsky, U. Emmerichs, C. Meyer, K. Leo and H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1521 (1993).
12. J. I. Dadap, B. Doris, Q. Deng, M. C. Downer, J. K. Lowell and A. C. Diebold, Appl. Phys. Lett. 64, 2139 (1994).
13. C. H. Lee, R. K. Chang and N. Bloembergen, Phys. Rev. Lett. 18, 167 (1967).
14. O. A. Aktsipetrov and E. D. Mishina, Dokl. Akad. Nauk SSSR 274, 62 (1984) [Sov. Phys. Dokl. 29, 37 (1984)].
15. O. A. Aktsipetrov, I. M. Baranova, L. V. Grigor'eva, K. N. Evtyukhov, E. D. Mishina, T. V. Murzina and I. V. Chernyi, Kvant. Electron. (Moscow) 18, 943 (1991) [Sov. J. Quantum Electron. 21, 854 (1991)].
16. O. A. Aktsipetrov, I. M. Baranova, K. N. Evtyukhov, T. V. Murzina and I. V. Chernyi, Kvant. Electron. (Moscow) 19, 869 (1992) [Sov. J. Quantum Electron. 22, 807 (1992)].
17. O. A. Aktsipetrov, A. A. Fedyanin, V. N. Golovkina and T. V. Murzina, Opt. Lett. 19, 1450 (1994).
18. J. I. Dadap, X. F. Hu, M. H. Anderson, M. C. Downer, J. K. Lowell and O. A. Aktsipetrov, Phys. Rev. B 53, R7607 (1996).
19. P. Godefroy, W. de Jong, C. W. van Hasselt, M. A. C. Devillers and Th. Rasing, Appl. Phys. Lett. 68, 1981 (1996).
20. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
21. C. W. van Hasselt, M. A. C. Devillers, Th. Rasing and O. A. Aktsipetrov, J. Opt. Soc. Am. B 12, 33 (1995).
22. C. G. B. Garrett and W. H. Brattain, Phys. Rev. 99, 376 (1955).
23. P. R. Fischer, J. L. Daschbach, D. E. Gragson and G. L. Richmond, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 2617 (1994).
24. P. R. Fischer, J. L. Daschbach and G. L. Richmond, Chem. Phys. Lett. 218, 200 (1994).
25. J. L. Daschbach, P. R. Fischer, D. E. Gragson, D. Demarest and G. L. Richmond, J. Phys. Chem. 99, 3240 (1995).
26. N. Bloembergen and P. S. Pershan, Phys. Rev. 128, 606 (1962).
27. P. Guyot-Sionnest, W. Chen and Y. R. Shen, Phys. Rev. B 33, 8254 (1986).
28. P. D. Maker, R. W. Terhune, M. Nisenoff and C. M. Savage, Phys. Rev. Lett. 8, 21 (1962).
29. J. Jerphagnon and S. K. Kurtz, J. Appl. Phys. 41, 1667 (1970).
30. M. S. Yeganeh, J. Qi, J. P. Culver, A. G. Yodh, and M. C. Ta- margo, Phys. Rev. B 46, 1603 (1992).
31. H. Wierenga, M. W. J. Prins and Th. Rasing, Physica B 204, 281 (1995).
32. D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27, 985 (1983).