Wafer bonding of 50-mm diameter GaP to AlGaInP-GaP light-emitting diode wafers

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 6, 1996, Pages 803-805

  Hofler G E ^a   Vanderwater, D A ^a   DeFevere, D C ^a   Kish, F A ^a   Camras, M D ^a   Steranka, F M ^a   Tan, I H ^a  

^a HEWLETT PACKARD COMPANY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000539610     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117897     Document Type: Article

References (10)

1. K. H. Huang, J. G. Yu, C. P. Kuo, R. M. Fletcher, T. D. Osentowski, L. J. Stinson, M. G. Craford, and A. S. H. Liao, Appl. Phys. Lett. 61, 1045 (1992).
2. C. P. Kuo, R. M. Fletcher, T. D. Osentowski, M. C. Lardizabal, M. G. Craford, and V. M. Robbins, Appl. Phys. Lett. 57, 2937 (1990).
3. Sugawara, K. Itaya, H. Nozaki, and G. Hatakoski, Appl. Phys. Lett. 61, 1775 (1992).
4. F. A. Kish, F. M. Steranka, D. C. DeFevere, D. A. Vanderwater, K. G. Park, C. P. Kuo, T. D. Osentowski, M. J. Peanasky, G. J. Yu, R. M. Fletcher, D. A. Steigerwald, M. G. Craford, and V. M. Robbins, Appl. Phys. Lett. 64, 2839 (1994).
5. F. A. Kish, D. A. Vanderwater, D. C. DeFevere, D. A. Steigerwald, G. E. Hofler, K. G. Park, and F. M. Steranka, Electron. Lett. 32, 132 (1996).
6. E. Yablonovitch, D. M. Hwang, T. J. Gmitter, L. T. Florez, and J. P. Harbison, Appl. Phys. Lett. 56, 2419 (1990).
7. Z. L. Liau and D. E. Mull, Appl. Phys. Lett. 56, 737 (1990).
8. F. A. Kish, D. A. Vanderwater, M. J. Peanasky, M. J. Ludowise, S. G. Hummel, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 67, 2060 (1995).
9. L. W. Cook, M. D. Camras, S. L. Rudaz, and F. M. Steranka, Proceedings of the 14th International Symposium On GaAs and Related Compounds (Institute of Physics, Bristol, 1987), p. 777.
10. M. H. Crawford, J. R. P. Schneider, K. D. Choquette, K. L. Lear, S. P. Kilcoyne, and J. J. Figiel, Electron. Lett. 31, 196 (1995).