Photoluminescence and ultraviolet lasing of polycrystalline ZnO thin films prepared by the oxidation of the metallic Zn

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 18, 1999, Pages 2761-2763

  Cho, Sunglae ^a   Ma, Jing ^a   Kim, Yunki ^a   Sun, Yi ^a   Wong, George K L ^a,b   Ketterson, John B ^a,c  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

^b HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Hong Kong)

^c Northwestern University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000379080     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125141     Document Type: Article

References (26)

1. H. Nanto, T. Minami, and S. Takata, Phys. Status Solidi A 65, K131 (1981).
2. H. Morgan and D. E. Brodie, Can. J. Phys. 60, 1387 (1982).
3. J. Aronovich, A. Ortiz, and R. H. Bube, J. Vac. Sci. Technol. 16, 994 (1979).
4. R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R. P. Sharma, T. Venkatesan, M. He, X. Tang, J. B. Halpern, M. G. Spencer, Y. X. Li, L. G. Salamanca-Riba, A. A. Iliadis, and K. A. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 348 (1998).
5. S. Bethke, H. Pan, and B. W. Wesseis, Appl. Phys. Lett. 52, 138 (1988).
6. Y. Chen, D. M. Bagnall, H. J. Koh, K. T. Park, K. Hiraga, Z. Zhu, and T. Yao, J. Appl. Phys. 84, 3912 (1998).
7. P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Solid State Commun. 103, 459 (1997).
8. L. Spanhel and M. A. Anderson, J. Am. Chem. Soc. 113, 2826 (1991).
9. M. Hasse, H. Weller, and A. Hengleinn, J. Phys. Chem. 92, 630 (1988).
10. T. Minami, H. Nanto, and S. Takata, Thin Solid Films 109, 379 (1983).
11. J. Zhong, A. H. Kitai, and P. Mascher, J. Electrochem. Soc. 140, 3644 (1993).
12. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, M. Y. Shen, Z. Zhu, T. Goto, and T. Yao, J. Cryst. Growth 184/185, 605 (1998).
13. V. Srikant and D. R. Clarke, J. Appl. Phys. 83, 5447 (1998).
14. R. Dingle, Phys. Rev. Lett. 23, 579 (1969).
15. B. S. Pierce and R. L. Hengehold, J. Appl. Phys. 47, 644 (1976).
16. S. A. Studenikin, N. Golego, and M. Cocivera, J. Appl. Phys. 84, 2287 (1998).
17. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996).
18. T. Sekiguchi, N. Ohashi, and Y. Terada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L289 (1997).
19. K. Borgohain and S. Mahamuni, Semicond. Sci. Technol. 13, 1154 (1998).
20. H. Cao, Y. G. Zhao, H. C. Ong, S. T. Ho, J. Y. Dai, J. Y. Wu, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 73, 3656 (1998).
21. H. Cao, Y. G. Zhao, S. T. Ho, E. W. Seelig, Q. H. Wang, and R. P. H. Chang, Phys. Rev. Lett. 82, 2278 (1999).
22. B. D. Cullity, Elements of X-Ray Diffractions (Addition-Wesley, Reading, MA, 1978), p. 102.
23. L. E. Brus, J. Chem. Phys. 80, 4403 (1984).
24. R. E. Dietz, J. J. Hopfield, and D. G. Thomas, J. Appl. Phys. 32, 2282 (1961).
25. V. Srikant and D. R. Clarke, J. Mater. Res. 12, 1425 (1997).
26. D. Zhao and X. Pan, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2880 (1994).