Type-doping quantum wells and superlattices in Si: Self-consistent hole potentials and band structures

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 58, Issue 23, 1998, Pages 15675-15687

  Rosa, A ^a   Scolfaro, L ^a   Enderlein, R ^a   Sipahi, G ^a   Leite, J ^a  

^a UNIVERSITY OF SÃO PAULO   (Brazil)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000360074     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.58.15675     Document Type: Article

References (55)

1. E. F. Schubert and K. Ploog, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 24, L608 (1985).
2. H. J. Gossmann and E. F. Schubert, CRC Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 18, 1 (1993).
3. M. G. Dowsett, R. D. Barlow, H. S. Fox, R. A. A Rubiak, and R. Collins, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 336 (1992).
4. G. Temple, N. Schwarz, F. Müller, F. Koch, H. P. Zeindl, and I. Eisele, Thin Solid Films 184, 171 (1990).
5. N. L. Mattey, M. G. Dowsett, E. H. C. Parker, T. E. Whall, S. Taylor, and J. F. Zhang, Appl. Phys. Lett. 57, 1648 (1990).
6. H.-J. Gossmann and F. C. Unterwald, Phys. Rev. B 47, 12 618 (1993).
7. H. H. Radamson, M. R. Sardela, O. Nur, M. Willander, B. E. Sernelius, W. X. Ni, and G. V. Hansson, Appl. Phys. Lett. 64, 1842 (1994).
8. K. Ismail, M. Arafa, K. L. Saenger, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 66, 1077 (1995).
9. Y. Kiyota, T. Nakamura, and T. Inada, Appl. Surf. Sci. 82/83, 400 (1994).
10. H. Kujirai, E. Murakami, and S. Kimura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 782 (1995).
11. J. S. Park, R. P. G. Karunasiri, K. L. Wang, Y. J. Mii, and J. Murray, in Silicon Molecular Beam Epitaxy, edited by J. C. Bean, S. Iyer, and K. Wang, MRS Symposia Proceedings No. 220 (Material Research Society, Pittsburgh, 1991), p. 85.
12. K. L. Wang, R. P. G. Karunasiri, and J. S. Park, Surf. Sci. 267, 74 (1992).
13. G. Karunasiri, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2401 (1994).
14. I. A. Buyanova, W. M. Chen, A. Henry, W.-X. Ni, G. V. Hansson, and B. Monemar, Phys. Rev. B 53, 9587 (1996).
15. Jian-hong Zhu, Da-wei Gong, Bo Zhang, Fang Lu, Chi Sheng, Heng-hui Sun, and Xun Wang, Phys. Rev. B 52, 8959 (1995).
16. A. Zrenner, F. Koch, and K. Ploog, Surf. Sci. 196, 671 (1988).
17. M. Santos, T. Sajoto, A. Zrenner, and M. Shayegan, Appl. Phys. Lett. 53, 2504 (1988).
18. L. Ioriatti, Phys. Rev. B 41, 8340 (1990).
19. M. H. Degani, J. Appl. Phys. 70, 4362 (1991).
20. C. A. C. Mendonça, F. Plentz, J. B. B. Oliveira, E. A. Meneses, L. M. R. Scolfaro, D. Beliaev, S. M. Shibli, and J. R. Leite, Phys. Rev. B 48, 12 316 (1993).
21. L. Chico, F. García-Moliner, and V. R. Velasco, Phys. Rev. B 48, 11 427 (1993).
22. S. M. Shibli, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, C. A. C. Mendonça, F. Plentz, and E. A. Meneses, Appl. Phys. Lett. 60, 2895 (1992).
23. C. A. C. Mendonça, L. M. R. Scolfaro, J. B. B. Oliveira, F. Plentz, F. Mikovic, J. R. Leite, and E. A. Meneses, Superlattices Microstruct. 12, 257 (1992).
24. R. Enderlein, L. M. R. Scolfaro, J. M. V. Martins, and J. R. Leite, Superlattices Microstruct. 12, 175 (1992).
25. L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, C. A. C. Mendonça, D. Beliaev, S. M. Shibli, E. C. F. da Silva, and E. A. Meneses, Mater. Sci. Forum 143-147, 669 (1994).
26. G.-Q. Hai, N. Studart, and F. M. Peeters, Phys. Rev. B 52, 8363 (1995).
27. D. Richards, J. Wagner, H. Schneider, G. Hensdorfer, M. Maier, A. Fischer, and K. Ploog, Phys. Rev. B 47, 9629 (1993).
28. F. A. Reboredo and C. R. Proetto, Phys. Rev. B 47, 4655 (1993).
29. G. M. Sipahi, R. Enderlein, L. M. R. Scolfaro, and J. R. Leite, in Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by D. J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995), p. 687.
30. L. M. Gaggero-Sager and R. Pérez-Alvarez, J. Appl. Phys. 79, 3351 (1995).
31. G. M. Sipahi, R. Enderlein, L. M. R. Scolfaro, and J. R. Leite, Phys. Rev. B 53, 9930 (1996).
32. G. M. Sipahi, R. Enderlein, L. M. R. Scolfaro, and J. R. Leite, in Proceedings of the 7th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors, edited by C. A. J. Ammerlaan and B. Pajot (World Scientific, Amsterdam, 1997), p. 209.
33. L. E. Ramos, G. M. Sipahi, L. M. R. Scolfaro, R. Enderlein, and J. R. Leite, Superlattices Microstruct. 22, 443 (1997).
34. H. P. Zeindl, T. Wegehaupt, I. Eisele, H. Oppolzer, H. Reisinger, G. Tempel, and F. Koch, Appl. Phys. Lett. 50, 1164 (1987).
35. I. Eisele, Superlattices Microstruct. 6, 123 (1989).
36. L. M. R. Scolfaro, D. Beliaev, R. Enderlein, and J. R. Leite, Phys. Rev. B 50, 8699 (1994).
37. J. S. Park, R. P. G. Karunasiri, Y. J. Mii, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 58, 1083 (1991).
38. L. M. Gaggero-Sager and R. Pérez-Alvarez, Phys. Status Solidi B 197, 105 (1996).
39. L. M. Gaggero-SagerR. Pérez-AlvarezAppl. Phys. Lett. 70, 212 (1997).
40. L. M. Gaggero-Sager, M. E. Mora-Ramos, and D. A. Contreras-Solorio, Phys. Rev. B 57, 6286 (1997).
41. A. L. Rosa, L. M. R. Scolfaro, G. M. Sipahi, R. Enderlein, and J. R. Leite, Microelectron. Eng. 43-4, 489 (1998).
42. J. M. Luttinger and W. Kohn, Phys. Rev. 97, 869 (1955).
43. R. Enderlein and N. J. M. Horing, Fundamentals of Semiconductor Physics and Devices (World Scientific, Singapore, 1996).
44. L. Hedin and J. Lundqvist, J. Phys. C 4, 2064 (1971).
45. R. Enderlein, G. M. Sipahi, L. M. R. Scolfaro, and J. R. Leite, Phys. Rev. Lett. 79, 3712 (1997).
46. J. C. Hensel and G. Feher, Phys. Rev. 129, 1041 (1963).
47. R. N. Dexter and B. Lax, Phys. Rev. 96, 223 (1954).
48. G. Dresselhaus, A. F. Kip, and C. Kittel, Phys. Rev. 98, 368 (1955).
49. R. N. Dexter, H. J. Zeiger, and B. Lax, Phys. Rev. 101, 637 (1956).
50. I. Balslev and P. Lawaetz, Phys. Lett. 19, 6 (1965).
51. P. Lawaetz, Phys. Rev. B 4, 3460 (1971).
52. J. R. Chelikowski and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 10, 5095 (1974).
53. M. Rieger and P. Vogl, Phys. Rev. B 48, 14 276 (1993).
54. C. Persson and U. Lindefelt, Phys. Rev. B 54, 10 257 (1996).
55. G. M. Sipahi, R. Enderlein, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, E. C. F. da Silva, and A. Levine, Phys. Rev. B 57, 9168 (1998).