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Volumn 15, Issue 3, 1997, Pages 573-578

Study of shallow silicon trench etch process using planar inductively coupled plasmas

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EID: 0000333071     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580686     Document Type: Article
Times cited : (22)

References (17)
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    • 85033319101 scopus 로고    scopus 로고
    • H. Lee, M. Park, Y. Shin, T. Park, H. Kang, S. Lee, and M. Lee, in Ref. 2, p. 158
    • H. Lee, M. Park, Y. Shin, T. Park, H. Kang, S. Lee, and M. Lee, in Ref. 2, p. 158.


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.