Epitaxial growth o alloys characterized as self-organized, ordered, nanometer-sized C-rich aggregates in monocrystalline Si

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 54, Issue 15, 1996, Pages 10559-10564

  Simon, L ^a   Kubler, L ^b   Bischoff, J ^b   Bolmont, D ^b  

^a Faculté de Médecine   (France)

^b UNIVERSITÉ DE HAUTE ALSACE   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000162308     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.54.10559     Document Type: Article

References (18)

1. H. Rücker, M. Methfessel, E. Bugiel and H. J. Osten, Phys. Rev. Lett. 72, 3578 (1994).
2. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 74, 5080 (1995).
3. H. J. Osten, M. Methfessel, G. Lippert and H. Rücker, Phys. Rev. B 52, 12t179 (1995).
4. M. Diani, L. Kubler, J. L. Bischoff, J. J. Grob, B. Prévot and A. Mesli, J. Cryst. Growth 157, 431 (1995).
5. A. Claverie, J. Fauré, J. L. Balladore, L. Simon, A. Mesli, M. Diani, L. Kubler and D. Aubel, J. Cryst. Growth 157, 420 (1995).
6. S. S. Iyer, K. Eberl, M. S. Goorsky, F. K. LeGoues, J. C. Tsang and F. Cardone, Appl. Phys. Lett. 60, 356 (1992).
7. S. S. Iyer, K. Eberl, M. S. Goorsky, J. C. Tsang, F. K. LeGoues, F. Cardone, and B. A. Ek, in Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV, edited by C. Y. Yang, M. M. Rahman, and G. L. Harris, Springer Proceedings in Physics Vol. 71 (Springer, Berlin, 1992), p. 13.
8. P. Boucaud, C. Francis, A. Larré, F. H. Julien, J. M. Lourtioz, D. Bouchier, S. Bodnar and J. L. Regolini, Appl. Phys. Lett. 66, 70 (1995).
9. C. S. Fadley, Prog. Surf. Sci. 16, 275 (1984).
10. M. Diani, J. L. Bischoff, L. Kubler and S. Bolmont, Appl. Surf. Sci. 68, 575 (1993).
11. C. C. Cheng, W. J. Choyke and J. T. Yates, Surf. Sci. 231, 289 (1990).
12. W. Faschinger, S. Zerlauth, J. Stangl and G. Bauer, Appl. Phys. Lett. 67, 2630 (1995).
13. H. Rücker, N. Methfessel, B. Dietrich, K. Pressel and H. J. Osten, Phys. Rev. B 53, 1302 (1996).
14. S. Ruvimov, E. Bugiel and H. J. Osten, J. Appl. Phys. 78, 2323 (1995).
15. A. G. Norman, T. Y. Seong, I. T. Ferguson, G. R. Booker and B. A. Joyce, Semicond. Sci. Technol. 8, S9 (1993).
16. P. Tillack, P. Zaumseil, G. Morgenstern, D. Krüger and G. Ritter, Appl. Phys. Lett. 67, 1148 (1995).
17. H. H. Radamson, K. B. Joelsson, W. X. Ni, L. Hultman and G. V. Hansson, J. Cryst. Growth 157, 80 (1995).
18. N. Herbots, P. Ye, H. Jacobsson, J. Xiang, S. Hearne and N. Gave, Appl. Phys. Lett. 68, 782 (1996).