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Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 11, 1997, Pages 7362-7366

Interface states in In0.5Ga0.5P/AlxGa1-xAs heterostructures grown by liquid phase epitaxy

(4) Cho, Yong Hoon a Choe, Byung Doo a Kim, Y b Lim, H b

a Seoul National University (South Korea)

b Ajou University (South Korea)

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EID: 0000150442 PISSN: 00218979 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.365334 Document Type: Article

Times cited : (7)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.