Resonant tunneling and photoluminescence spectroscopy in quantum wells containing self-assembled quantum dots

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 4, 2000, Pages 2005-2012

  Patane A ^a   Polimeni, A ^a   Eaves, L ^a   Main, P C ^a   Henini, M ^a   Dubrovskii, Yu V ^a,c   Belyaev, A E ^a,d   Brounkov, P N ^a,e   Vdovin, E E ^a,c   Khanin, Yu N ^a,c   Hill, G ^b  

^a UNIVERSITY OF NOTTINGHAM   (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

^c INSTITUTE OF MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND HIGH PURITY MATERIALS   (Russian Federation)

^d INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Ukraine)

^e IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000086467     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1305925     Document Type: Article

References (35)

1. L. L. Chang, L. Esaki, and R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 24, 593 (1974).
2. H. Mizuta and T. Tanoue, The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes, edited by H. Ahmed, M. Pepper, and A. Broers (University Press, Cambridge, 1995).
3. M. J. Kelly, Philos. Trans. R. Soc. A 354, 2291 (1996).
4. J. F. Young, B. M. Wood, G. C. Aers, R. L. S. Devine, H. C. Lin, D. Landheer, M. Buchanan, A. J. Springthorpe, and P. Mandeville, Phys. Rev. Lett. 60, 2085 (1988).
5. N. Vodjdani, F. Chevoir, D. Thomas, D. Cote, P. Bois, E. Costard, and S. Delaitre, Appl. Phys. Lett. 55, 1528 (1989).
6. N. Vodjdani, D. Côte, D. Thomas, B. Sermage, P. Bois, E. Costard, and J. Nagle, Appl. Phys. Lett. 56, 33 (1990).
7. M. S. Skolnick, P. E. Simmonds, D. G. Hayes, G. W. Smith, A. D. Pitt, C. R. Whitehouse, H. J. Hutchinson, C. R. H. White, L. Eaves, M. Henini, and O. H. Hughes, Phys. Rev. B 42, 3069 (1990).
8. M. S. Skolnick et al., Phys. Rev. B 41, 10 754 (1990).
9. S. Charbonneau, J. F. Young, and A. J. Springthorpe, Appl. Phys. Lett. 57, 264 (1990).
10. C. R. H. White, M. S. Skolnick, L. Eaves, M. L. Leadbeater, M. Henini, O. H. Hughes, G. Hill, and M. A. Pate, Phys. Rev. B 45, 6721 (1992).
11. C. J. G. M. Langerak, J. W. Sakai, P. H. Beton, P. C. Main, L. Eaves, M. Henini, and G. Hill, Semicond. Sci. Technol. 9, 549 (1994).
12. C. R. H. White, M. S. Skolnick, L. Eaves, and M. L. Leadbeater, Appl. Phys. Lett. 58, 1 (1991).
13. C. R. H. White, H. B. Evans, L. Eaves, P. M. Martin, M. Henini, G. Hill, and M. A. Pate, Phys. Rev. B 45, R9513 (1992).
14. C. Van Hoof, J. Genoe, R. Mertens, G. Borghs, and E. Goovaerts, Appl. Phys. Lett. 60, 77 (1992).
15. J. W. Cockburn, P. D. Buckle, M. S. Skolnick, D. M. Whittaker, W. I. E. Tagg, R. A. Hogg, R. Grey, G. Hill, and M. A. Pate, Phys. Rev. B 45, 13 757 (1992).
16. L. Davis, H. C. Sun, H. Yoon, and P. K. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 64, 3222 (1994).
17. D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledenlsov, Quantum Dot Heterostructures (Wiley, New York, 1999).
18. I. E. Itskevich, T. Ihn, A. Thornton, M. Henini, T. J. Foster, P. Moriarty, A. Nogaret, P. H. Beton, L. Eaves, and P. C. Main, Phys. Rev. B 54, 16 401 (1996).
19. M. Narihiro, G. Yusa, Y. Nakamura, T. Noda, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 70, 105 (1997).
20. T. Nakano, T. Nakagawa, and K. Yoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4283 (1997).
21. R. Iotti and L. C. Andreani, Phys. Rev. B 56, 3922 (1997).
22. S. H. Pan, H. Shen, Z. Hang, F. H. Pollak, W. Zhuang, Q. Xu, A. P. Roth, R. A. Masut, C. Lacelle, and D. Morris, Phys. Rev. B 38, 3375 (1988).
23. M. Sato and Y. Horikoshi, Appl. Phys. Lett. 56, 1555 (1990).
24. M. L. Leadbeater, E. S. Alves, L. Eaves, M. Henini, O. H. Hughes, F. W. Sheard, and G. A. Toombs, Semicond. Sci. Technol. 3, 1060 (1988).
25. E. F. Schubert, F. Capasso, A. L. Hutchinson, S. Sen, and A. C. Gossard, Appl. Phys. Lett. 57, 2820 (1990).
26. J. Genoe, C. Van-Hoof, W. Van-Roy, J. H. Smet, K. Fobelets, R. P. Mertens, and G. Borghs, IEEE Trans. Electron Devices 38, 2006 (1991).
27. T. Wei, S. Stapleton, and E. Berolo, J. Appl. Phys. 73, 829 (1993).
28. S. Marcinkevicius and R. Leon, Phys. Rev. B 59, 4630 (1999).
29. A. P. Jauho, in Hot Carriers in Semiconductors Nanostructures, edited by J. Shah (Academic, New York, 1992), p. 121.
30. C. Van Hoof, J. Genoe, D. Bertram, H. T. Grahn, and G. Borghs, Phys. Rev. B 51, 13 491 (1995).
31. R. K. Hayden, D. K. Maude, L. Eaves, E. C. Valadares, M. Henini, F. W. Sheard, O. H. Hughes, J. C. Portal, and L. Cury, Phys. Rev. Lett. 66, 1749 (1991).
32. P. M. Martin, R. K. Hayden, C. R. H. White, M. Henini, L. Eaves, D. K. Maude, J. C. Portal, G. Hill, and M. A. Pate, Semicond. Sci. Technol. 7, B456 (1992).
33. F. F. Fang and W. E. Howard, Phys. Rev. Lett. 16, 797 (1966); F. Stern and W. E. Howard, Phys. Rev. 163, 816 (1967).
34. F. F. Fang and W. E. Howard, Phys. Rev. Lett. 16, 797 (1966); F. Stern and W. E. Howard, Phys. Rev. 163, 816 (1967).
35. G. Bastard, Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Editions de Physique, Paris, 1988).