X-ray absorption at Ge L3 edges as a tool to investigate Ge/Si(001) interfaces and heterostructures

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 3, 1998, Pages 1616-1620

  Castrucci, P ^a   Gunnella, R ^a   De Crescenzi, M ^a   Sacchi, M ^b   Dufour, G ^c   Rochet, F ^c  

^a UNIVERSITY OF CAMERINO   (Italy)

^b UNIVERSITÉ PARIS SACLAY   (France)

^c SORBONNE UNIVERSITÉ   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000027671     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (18)

1. U. Schmid, N. E. Christensen, M. Alouani, and M. Cardona, Phys. Rev. B 43, 14597 (1991) and references therein.
2. C. Tserbak, H. M. Polatoglou, and G. Theodorou, Phys. Rev. B 47, 7104 (1993).
3. G. Theodorou, P. C. Kelires, and C. Tserbak, Phys. Rev. B 50, 18355 (1994).
4. P. C. Kelires, Phys. Rev. B 49, 11496 (1994).
5. P. C. Kelires and J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 63, 1164 (1989).
6. H. Oyanagi, K. Sakamoto, R. Shioda, Y. Kuwahara, and K. Haga, Phys. Rev. B 52, 5824 (1995); H. Oyanagi, K. Sakamoto, R. Shioda, and T. Sakamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 3545 (1994).
7. H. Oyanagi, K. Sakamoto, R. Shioda, Y. Kuwahara, and K. Haga, Phys. Rev. B 52, 5824 (1995); H. Oyanagi, K. Sakamoto, R. Shioda, and T. Sakamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 3545 (1994).
8. M. Copel, M. C. Reuter, M. Horn von Hogen, and R. M. Tromp, Phys. Rev. B 42, 11682 (1990).
9. R. Gunnella, P. Castrucci, N. Pinto, I. Davoli, D. Sebilleau, and M. De Crescenzi, Phys. Rev. B 54, 8882 (1996).
10. A. P. Hitchcock, T. Tyliszczak, P. Aebi, X. H. Feng, Z. H. Lu, J. M. Baribeau, and T. E. Jackman. Surf. Sci. 301, 260 (1994); A. P. Hitchcock, T. Tyliszczak, P. Aebi, J. Z. Xiong, T. K. Sham, K. M. Baines, K. A. Mueller, X. H. Feng, J. M. Chen, B. X. Yang, Z. H. Lu, J. M. Baribeau, and T. E. Jackman, ibid. 291, 349 (1993).
11. A. P. Hitchcock, T. Tyliszczak, P. Aebi, X. H. Feng, Z. H. Lu, J. M. Baribeau, and T. E. Jackman. Surf. Sci. 301, 260 (1994); A. P. Hitchcock, T. Tyliszczak, P. Aebi, J. Z. Xiong, T. K. Sham, K. M. Baines, K. A. Mueller, X. H. Feng, J. M. Chen, B. X. Yang, Z. H. Lu, J. M. Baribeau, and T. E. Jackman, ibid. 291, 349 (1993).
12. H. Oyanagi, Appl. Surf. Sci. 60/61, 522 (1992).
13. M. Casalboni, N. Pinto, B. Izzi, I. Davoli, M. De Crescenzi, F. De Matteis, P. Prosposito, and R. Pizzoferrato, Phys. Rev. B 53, 1030 (1996).
14. T. A. Tyson, K. O. Hodgson, C. R. Natoli, and M. Benfatto, Phys. Rev. B 46, 5997 (1992).
15. A. Iacobucci, S. de Gironcoli, and G. Bachelet (to be published).
16. K. Miki, H. Sakamoto, and T. Sakamoto, in Chemistry and Defects in Semiconductor Heterostructures, edited by M. Kawabe, T. O. Sands, E. R. Weber, and R. S. Williams, MRS Symposia Proceedings No. 148 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1989), p. 323.
17. F. K. LeGoues, V. P. Kesan, S. S. Iyer, J. Tersoff, and R. Tromp, Phys. Rev. Lett. 64, 2038 (1990).
18. P. Castrucci, R. Gunnella, M. De Crescenzi, M. Sacchi, G. Dufour, and F. Rocher (to be published).