Phase formation sequence induced by deposition temperatures in Nb/Si multilayers

Journal of Materials Research

Volumn 13, Issue 5, 1998, Pages 1373-1378

  Zhang, Ming ^a,b   Wang, W K ^b  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000022194     PISSN: 08842914     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1557/JMR.1998.0195     Document Type: Article

References (38)

1. M. Ronay, Appl. Phys. Lett. 42, 577 (1983).
2. J. R. Abelson, K. B. Kim, D. E. Mercer, C. R. Helms, R. Sinclair, and W. Sigmon, J. Appl. Phys. 63, 689 (1988).
3. W. Lur and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 54, 1217 (1989).
4. T. L. Lee and L. J. Chen. J. Appl. Phys. 73, 8258 (1993).
5. W. H. Wang and W. K. Wang, J. Appl. Phys. 76 (3), 1578 (1994).
6. R. Bene, J. Appl. Phys. 61 (5), 1826 (1987).
7. F. M. d'Heurle and P. Gas, J. Mater. Res. 1, 205 (1986).
8. U. Gosele and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 66, 2612 (1989).
9. S. F. Gong and H. T. Hentzell, J. Appl. Phys. 68 (9), 4542 (1990).
10. E. E. Fullerton, J. Pearson, C. H. Sowers, and S. D. Bader, Phys. Rev. B 48, 17432 (1993).
11. J-M. Baribeau, D. J. Lockwood, and R. W. G. Syme, J. Appl. Phys. 83 (3), 1450 (1996).
12. S. S. Parkin and B. R. York, Appl. Phys. Lett. 62 (15), 1842 (1993).
13. W. H. Wang and W. K. Wang, J. Mater. Res. 9, 401 (1994).
14. W. H. Wang and W. K. Wang, J. Appl. Phys. 76 (3), 1578 (1994).
15. T. L. Lee and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 75 (4), 2007 (1994).
16. J. Y. Cheng and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 69 (4), 2161 (1991).
17. K. N. Tu and J. W. Mayer, in Thin Films, Interdiffusion and Reactions, edited by J. M. Poate, K. N. Tu, and J. W. Mayer (Wiley, New York, 1978).
18. M. A. Nicolet and S. S. Lau, in VLSI Electronic, Microstructure Science, edited by N. G. Einapruch and G. B. Larrabee (Academic Press, New York, 1983).
19. F. M. d'Heurle, J. Mater. Res. 3, 167 (1988).
20. L. Zhang and D. G. Ivey, J. Appl. Phys. 71, 4314 (1992).
21. M. H. Wang and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 58, 463 (1991).
22. W. Y. Hsieh, J. H. Lin, and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 62, 1088 (1993).
23. W. Y. Liang and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 64, 1224 (1994).
24. T. Nakanishi, M. Takeyama, and A. Noya, J. Appl. Phys. 77 (2), 948 (1995).
25. R. M. Walser and R. W. Bene, Appl. Phys. Lett. 28, 624 (1976).
26. F. M. d'Heurle, J. Mater. Res. 1, 205 (1986).
27. R. W. Bene, J. Appl. Phys. 61, 1826 (1987).
28. U. Gosele and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 53, 3252 (1992).
29. R. Pretorius, Vacuum 41, 1038 (1990).
30. R. Pretorius, A. M. Vredenberg, and F. W. Saris, J. Appl. Phys. 70 (7), 3636 (1991).
31. Y. Mishima, M. Takei, T. Uematsu, N. Matsumoto, T. Kakehi, U. Wakino, and M. Okabe, J. Appl. Phys. 78 (1), 217.
32. R. W. Bene, J. Appl. Phys. 61, 1826 (1987).
33. Frans Spaepen, Acta Metall. 23, 729 (1975).
34. W. A. Miller and G. A. Chadwick, Acta Metall. 15, 609 (1967).
35. M. C. Inman and H. R. Tipler, Metall. Rev. 8, 105 (1963).
36. J. E. E. Baglin, F. M. d'Heurle, W. N. Hammer, and S. Petersson, Nucl. Instrum. Methods 168, 491 (1980).
37. F. R. Boer, R. Room, A. R. Miedema, and A. K. Niessen, Cohesion in Metals (North-Holland. Amsterdam, 1988).
38. R. Pretorius, R. de Reus, A. M. Vredenberg, and F. W. Saria, J. Appl. Phys. 70, 3636 (1991).