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Volumn 556-557, Issue , 2007, Pages 207-210

Trends in dopant incorporation for 3C-SiC films on silicon

Author keywords

3C SiC; Compensation; N doping; SIMS

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EID: 85086420864     PISSN: 02555476     EISSN: 16629752     Source Type: Book Series    
DOI: 10.4028/0-87849-442-1.207     Document Type: Conference Paper
Times cited : (3)

References (13)
  • 9
    • 38449103116 scopus 로고    scopus 로고
    • A. Leycuras: Mater. Sei. Forum 338-348 (2000), p.241
    • A. Leycuras: Mater. Sei. Forum Vol.338-348 (2000), p.241


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.