Realization of Room-Temperature Phonon-Limited Carrier Transport in Monolayer MoS2 by Dielectric and Carrier Screening

Advanced Materials

Volumn 28, Issue 3, 2016, Pages 547-552

  Yu, Zhihao ^a   Ong, Zhun Yong ^b   Pan, Yiming ^a   Cui, Yang ^a   Xin, Run ^a   Shi, Yi ^a   Wang, Baigeng ^a   Wu, Yun ^c   Chen, Tangsheng ^c   Zhang, Yong Wei ^b   Zhang, Gang ^b   Wang, Xinran ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

^b INSTITUTE OF HIGH PERFORMANCE COMPUTING   (Singapore)

^c NANJING ELECTRONIC DEVICES INSTITUTE   (China)

Author keywords

interface; mobility; molybdenum disulfide (MoS2); phonon transport

Indexed keywords

CARRIER MOBILITY; DIELECTRIC MATERIALS; INTERFACES (MATERIALS); MONOLAYERS; PHONONS;

CARRIER SCREENINGS; DENSITY OF CHARGES; DIELECTRIC SUBSTRATES; IMPURITIES IN; MOLYBDENUM DISULFIDE; PHONON TRANSPORT; ROOM TEMPERATURE MOBILITY;

MOLYBDENUM COMPOUNDS;

EID: 84955174869     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201503033     Document Type: Article

References (37)

1. A. D. Yoffe, Annu. Rev. Mater. Sci. 1973, 3, 147.
2. Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699.
3. G. Fiori, F. Bonaccorso, G. lannaccone, T. Palacior, D. Neumaier, A. Seabaugh, S. K. Banerjee, L. Colombo, Nat. Nanotechnol. 2014, 9, 768.
4. D. Lembke, S. Bertolazzi, A. Kis, Acc. Chem. Res. 2015, 48, 100.
5. J. S. Ross, P. Klement, A. M. Jones, N. J. Ghimire, J. Q. Yan, D. G. Mandrus, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Kitamura, W. Yao, Nat. Nanotechnol. 2014, 9, 268.
6. W. J. Yu, Y. Liu, H. L. Zhou, A. X. Yin, Z. Li, Y. Huang, X. F. Duan, Nat. Nanotechnol. 2013, 8, 952.
7. F. H. L. Koppens, T. Mueller, P. Avouris, A. C. Ferrari, M. S. Vitiello, M. Polini, Nat. Nanotechnol. 2014, 9, 780.
8. D. Xiao, G. B. Liu, W. Feng, X. Xu, W. Yao, Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 196802.
9. H. Zeng, J. Dai, W. Yao, D. Xiao, X. Cui, Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 490.
10. A. M. Jones, H. Yu, N. J. Ghimire, S. Wu, G. Aivazian, J. S. Ross, X. Xu, Nat. Nanotechnol. 2013, 8, 634.
11. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T. F Heinz, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805.
12. A. Splendiani, L. Sun, Y. B. Zhang, T. S. Li, J. Kim, C. Y. Chim, G. Galli, F. Wang, Nano Lett. 2010, 10, 1271.
13. L. Liu, S. Bala Kumar, Y. Ouyang, J. Guo, IEEE Trans. Electron Devices 2011, 58, 3042.
14. X. Li, J. T. Mullen, Z. Jin, K. M. Borysenko, M. B. Nardelli, K. W. Kim, Phys. Rev. B 2013, 87, 115418.
15. K. Kaasbjerg, K. S. Thygesen, K. W. Jacobsen, Phys. Rev. B 2012, 85, 115317.
16. H. Schmidt, S. F. Wang, L. Q. Chu, M. Toh, R. Kumar, W. J. Zhao, A. H. Castro Neto, J. Martin, S. Adam, B. Özyilmaz, G. Eda, Nano Lett. 2014, 14, 1909.
17. B. Radisavljevic, A. Kis, Nat. Mater. 2013, 12, 815.
18. H. Liu, M. Si, S. Najmaei, A. T. Neal, Y. C. Du, P. M. Ajayan, J. Lou, P. D. Ye, Nano Lett. 2013, 13, 2640.
19. B. W. Baugher, H. O. Churchill, Y. Yang, P. Jarillo-Herrero, Nano Lett. 2013, 13, 4212.
20. H. Qiu, T. Xu, Z. L. Wang, W. Ren, H. Y. Nan, Z. H. Ni, Q. Chen, S. J. Yuan, F. Miao, F. Q. Song, G. Long, Y. Shi, L. T. Sun, J. L. Wang, X. R. Wang, Nat. Commun. 2013, 4, 2642.
21. Z. H. Yu, Y. M. Pan, Y. T. Shen, Z. L. Wang, Z. Y. Ong, T. Xu, R. Xin, L. J. Pan, B. G. Wang, L. T. Sun, J. L. Wang, G. Zhang, Y. W. Zhang, Y. Shi, X. R. Wang, Nat. Commun. 2014, 5, 5290.
22. X. Cui, G. H. Lee, Y. D. Kim, G. Arefe, P. Y. Huang, C. H. Lee, D. A. Chenet, X. Zhang, L. Wang, F. Ye, F. Pizzocchero, B. S. Jessen, K. Watanabe, T. Taniguchi, D. A. Muller, T. Low, P. Kim, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2015, 10, 534.
23. Y. Liu, H. Wu, H. C. Cheng, S. Yang, E. Zhu, Q. Y. He, M. Ding, D. Li, J. Guo, N. Weiss, Y. Huang, X. Duan, Nano Lett. 2015, 15, 3030.
24. L. Wang, I. Meric, P. Y. Huang, Q. Gao, Y. Gao, H. Tran, T. Taniguchi, K. Watanabe, L. M. Campos, D. A. Muller, J. Guo, P. Kim, J. Hone, K. L. Shepard, C. R. Dean, Science 2013, 342, 614.
25. E. Pop, D. Mann, J. Cao, Q. Wang, K. Goodson, H. Dai, Phys. Rev. Lett. 2005, 5, 155505.
26. N. Ma, D. Jena, Phys. Rev. X 2014, 4, 011043.
27. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
28. M. Amani, M. L. Chin, A. Glen Birdwell, T. P. O'Regan, S. Najmaei, Z. Liu, P. M. Ajayan, J. Lou, M. Dubey, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 193107.
29. K. Zou, X. Hong, D. Keefer, J. Zhu, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 126601.
30. Z. Y. Ong, V. M. Fischetti, Phys. Rev. B 2013, 88, 165316.
31. P. F. Maldague, Surf. Sci. 1978, 73, 296.
32. M. V. Fischetti, D. A. Neumayer, E. A. Cartier, Appl. Phys. 2001, 90, 4587.
33. S. Q. Wang, G. D. Mahan, Phys. Rev. B 1972, 6, 4517.
34. Z. Wang, Z. Zhang, H. Xu, L. Ding, S. Wang, L. M. Peng, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 173104.
35. J. B. Oostinga, H. B. Heersche, X. Liu, A. F. Morpurgo, L. M. Vandersypen, Nat. Mater. 2008, 7, 151.
36. E. H. Hwang, S. D. Sarma, Phys. Rev. B 2009, 79, 165404.
37. Y. Cui, R. Xin, Z. H. Yu, Y. M. Pan, Z. Y. Ong, X. X. Wei, J. Z. Wang, H. Y. Nan, Z. H. Ni, Y. Wu, T. S. Chen, Y. Shi, B. G. Wang, G. Zhang, Y. W. Zhang, X. R. Wang, Adv. Mater. 2015, 27, 5230.