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Volumn 26, Issue 36, 2014, Pages 6255-6261

Interface engineering for high-performance top-gated mos2 field-effect transistors

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EID: 84941053281     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201402008     Document Type: Article
Times cited : (305)

References (49)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.