Two-dimensional materials and their prospects in transistor electronics

Nanoscale

Volumn 7, Issue 18, 2015, Pages 8261-8283

  Schwierz, F ^a   Pezoldt, J ^a   Granzner, R ^a  

^a ILMENAU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GRAPHENE; THERMOELECTRIC EQUIPMENT;

ELECTRONIC DEVICE; GRAPHENE TRANSISTORS; STATE OF THE ART; TRANSISTOR CHANNELS; TWO-DIMENSIONAL MATERIALS;

TRANSISTORS;

EID: 84928902757     PISSN: 20403364     EISSN: 20403372     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c5nr01052g     Document Type: Article

References (228)

1. K. S. Novoselov A. K. Geim S. V. Morozov D. Jiang Y. Zhang S. V. Dubonos I. V. Grigorieva A. A. Firsov Science 2004 306 666 669
2. C. Berger Z. Song T. Li X. Li A. Y. Ogbazghi R. Feng Z. Dai A. N. Marchenkov E. H. Conrad P. N. First W. A. de Heer J. Phys. Chem. B 2004 108 19912 19916
3. F. Schwierz Proc. IEEE 2013 101 1567 1584
4. K. Bourzac Nature 2012 483 S34 S36
5. M. Segal Nature 2012 483 S43 S44
6. B. Radisavljevic A. Radenovic J. Brivio V. Giacometti A. Kis Nat. Nanotechnol. 2011 6 147 150
7. The International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net
8. S. Z. Butler S. M. Hollen L. Cao Y. Cui J. A. Gupta H. R. Gutierrez T. F. Heinz S. S. Hong J. Huang A. F. Ischmach E. Johnston-Halperin M. Kuno V. V. Plashnitsa R. D. Robinson R. S. Ruoff S. Salahuddin J. Shan L. Shi M. G. Spencer M. Terrones W. Windl J. E. Goldberger ACS Nano 2013 7 2898 2926
9. M. C. Lemme L.-J. Li T. Palacios F. Schwierz MRS Bull. 2014 39 711 718
10. Q. H. Wang K. Kalantar-Zadeh A. Kis J. N. Coleman M. S. Strano Nat. Nanotechnol. 2012 7 699 712
11. G. Fiori F. Bonaccorso G. Iannaccone T. Palacios D. Neumaier A. Seabaugh S. K. Banerjee L. Colombo Nat. Nanotechnol. 2014 9 768 779
12. D. Akinwande N. Petrone J. Hone Nat. Commun. 2014 5 5678
13. http://www.enterprisetech.com/2014/08/13/oracle-cranks-cores-32-sparc-m7-chip/
14. G. E. Moore Dig. ISSCC 2003 20 23
15. J. A. del Alamo Nature 2011 479 317 323
16. S. E. Thompson G. Sun Y. S. Choi T. Nishida IEEE Trans. Electron Devices 2006 53 1010 1020
17. H. Shang M. M. Frank E. P. Gusev J. O. Chu S. W. Bedell K. W. Guarini M. Ieong IBM J. Res. Dev. 2006 50 377 386
18. M. Luisier M. Lundstrom D. A. Antoniadis J. Bokor Tech. Dig. IEDM 2011 251 254
19. S. S. Sylvia H.-Y. Park M. A. Khayer K. Alam G. Klimeck R. K. Lake IEEE Trans. Electron Devices 2012 59 2064 2069
20. W. Baechtold K. Daetwyler T. Forster T. O. Mohr W. Walter P. Wolf Electron. Lett. 1973 9 232 234
21. C. Huang A. Herbig R. Anderson Dig. MTT-S 1981 25 27
22. L. F. Lester P. M. Smith P. Ho P. C. Chao R. C. Tiberio K. H. G. Du E. D. Wolf Tech. Dig. IEDM 1988 172 175
23. L. D. Nguyen D. C. Radulescu P. J. Tasker W. J. Schaff L. F. Eastman IEEE Electron Device Lett. 1988 9 374 376
24. L. D. Nguyen P. J. Tasker D. C. Radulescu L. F. Eastman IEEE Trans. Electron Devices 1989 36 2243 2248
25. P. C. Chao A. J. Tessmer K.-H. G. Duh P. Ho M.-Y. Kao P. M. Smith J. M. Ballingall S.-M. J. Liu A. A. Jabra IEEE Electron Device Lett. 1990 11 59 62
26. P. Ho M. Y. Kao P. C. Chao K. H. G. Duh J. M. Ballingall S. T. Allen A. J. Tessmer P. M. Smith Electron. Lett. 1991 27 352 327
27. L. D. Nguyen A. S. Brown M. A. Thompson L. M. Jelloian IEEE Trans. Electron Devices 1992 39 2007 2014
28. P. C. Smith S.-M. J. Liu M.-Y. Kao P. Ho S. C. Wang K. H. G. Duh S. T. Fu P. C. Chao IEEE Microwave Guided Wave Lett. 1995 5 230 232
29. T. Suemitsu T. Ishii H. Yokoyama Y. Umeda T. Enoki Y. Ishii T. Tamamura Tech. Dig. IEDM 1998 223 226
30. A. Endoh Y. Yamashita M. Higashiwaki K. Hikosaka T. Mimura S. Hiyamizu T. Matsui Proc. IPRM 2000 87 90
31. Y. Yamashita A. Endoh K. Shinohara T. Matsui S. Hiyamizu T. Mimura IEEE Electron Device Lett. 2002 23 573 575
32. R. Lai X. B. Mei W. R. Deal W. Yoshida Y. M. Kim P. H. Liu J. Lee J. Uyeda V. Radisic M. Lange T. Gaier L. Samoska A. Fung Tech. Dig. IEDM 2007 609 611
33. S.-J. Yeon M. Park J. Choi K. Seo Tech. Dig. IEDM 2007 613 616
34. D.-H. Kim J. A. del Alamo IEEE Electron Device Lett. 2008 23 830 833
35. R. Lai W. R. Deal X. B. Mei W. Yoshida J. Lee D. Dang J. Wang Y. M. Kim P. H. Liu V. Radisic M. Lange T. Gaier L. Samoska A. Fung Proc. IPRM 2008 1 3
36. W. Deal X. B. Mei K. M. K. H. Leong V. Radisic S. Sakozy R. Lai IEEE Trans. THz Sci. Technol. 2011 1 25 32
37. D.-H. Kim B. Brar J. A. del Alamo Tech. Dig. IEDM 2011 319 322
38. M. Schlechtweg A. Tessmann I. Kallfass A. Leuther V. Hurm H. Massler M. Riessle R. Lösch O. Ambacher Proc. NEWCAS 2011 269 272
39. A. Leuther A. Tessmann M. Dammann H. Massler M. Schlechtweg O. Ambacher Proc. IPRM 2013 1 2
40. D. L. Woolard E. R. Brown M. Pepper M. Kemp Proc. IEEE 2005 93 1722 1743
41. M. Tonouchi Nat. Photonics 2007 1 97 105
42. J.-P. Colinge C.-W. Lee A. Afzalian N. D. Akhavan R. Yan I. Ferain P. Razavi B. O'Neill A. Blake M. White A.-M. Kelleher B. McCarthy R. Murphy Nat. Nanotechnol. 2010 5 225 229
43. F. Schwierz, H. Wong and J. J. Liou, Nanometer CMOS, Pan Stanford Publishing, Singapore, 2010
44. F. Schwierz and J. J. Liou, Modern Microwave Transistors, J. Wiley & Sons, Hoboken, 2003
45. P. Miro M. Audiffred T. Heine Chem. Soc. Rev. 2014 43 6537 6554
46. P. Vogt P. De Padova C. Quaresima J. Avila E. Frantzeskakis M. C. Asensio A. Resta B. Ealet G. Le Lay Phys. Rev. Lett. 2012 108 155501
47. M. E. Davila L. Xian S. Cahangirov A. Rubio G. Le Lay New J. Phys. 2014 16 095002
48. L. Li Y. Yu G. J. Ye Q. Ge X. Ou H. Wu D. Feng X. H. Chen Y. Zhang Nat. Nanotechnol. 2014 9 372 377
49. B. van den Broek M. Houssa E. Scarlise G. Pourtois V. V. Afanas'ev A. Stesmans 2D Mater. 2014 1 021004
50. http://apps.webofknowledge.com/
51. J. O. Sofo A. S. Chaudhari G. D. Barber Phys. Rev. B: Condens. Matter 2007 75 153401
52. D. C. Elias R. R. Nair T. M. G. Mohiuddin S. V. Morozov P. Blake M. P. Halsall A. C. Ferrari D. W. Boukhvalov M. I. Katsnelson A. K. Geim K. S. Novoselov Science 2010 323 610 613
53. E. Bianco S. Butler S. Jiang O. D. Restrepo W. Windl J. E. Goldberger ACS Nano 2013 7 4414 4421
54. R. R. Nair W. C. Ren R. Jalil I. Riaz V. G. Kravets L. Britnell P. Blake F. Schedin A. S. Mayorov S. J. Yuan M. I. Katsnelson H. M. Cheng W. Strupinski L. G. Bulusheva A. V. Okotrub I. V. Grigorieva A. N. Grigorenko K. S. Novoslov A. K. Geim Small 2010 6 2877 2884
55. J. T. Robinson J. S. Burgess C. E. Junkermeier S. C. Badescu T. L. Reinecke F. K. Perkins M. K. Zalalutdniov J. W. Baldwin J. C. Culbertson P. E. Sheehan E. S. Snow Nano Lett. 2010 10 3001 3005
56. A. Kuc, in Chemical Modelling: 11, ed., M. Springborg, and, J.-O. Joswig, 2015, pp. 1-29
57. A. P. Nayak T. Pandey D. Voiry J. Liu S. T. Moran A. Sharma C. Tan C.-H. Chen L.-J. Li M. Chhowalla J.-F. Lin A. K. Singh D. Akinwande Nano Lett. 2015 15 346 353
58. G. Eda T. Fujita H. Yamaguchi D. Voiry M. Chen M. Chhowalla ACS Nano 2012 6 7311 7317
59. M. Naguib O. Mashtalir J. Carle V. Presser J. Lu L. Hultman Y. Gogotsi M. W. Barsoum ACS Nano 2012 6 1322 1331
60. M. Naguib M. Kurtogly V. Presser J. Lu J. Niu M. Heon L. Hultman Y. Gogotsi M. W. Barsoum Adv. Mater. 2011 23 4248 4253
61. M. Naguib J. Come B. Dyatkin V. Presser P.-L. Taberna P. Simon M. W. Barsoum Y. Gogotsi Electrochem. Commun. 2012 16 61 64
62. M. Khazaei M. Arai T. Sasaki C.-Y. Chung N. S. Venkataramanan M. Estili Y. Sakka Y. Kawazoe Adv. Funct. Mater. 2013 23 2185 2192
63. H. Sahin C. Cahangirov M. Topsakal E. Bekaroglu E. Akturk R. T. Senger S. Ciraci Phys. Rev. B: Condens. Matter 2009 80 155453
64. H. L. Zhuang A. K. Singh R. Hennig Phys. Rev. B: Condens. Matter 2013 87 165415
65. V. Nicolosi M. Chhowalla M. G. Kanatzidis M. S. Strano J. N. Coleman Science 2013 340 1420
66. Y.-M. Lin C. Dimitrakopoulos K. A. Jenkins D. B. Farmer H.-Y. Chiu A. Grill P. Avouris Science 2010 327 662
67. L. Colombo R. M. Wallace R. S. Ruoff Proc. IEEE 2013 101 1536 1556
68. Y.-H. Lee L. Yu H. Wang W. Fang X. Ling Y. Shi C.-T. Lin J.-K. Huang M.-T. Chang C.-S. Chang M. Dresselhaus T. Palacios L.-J. Li J. Kong Nano Lett. 2013 13 1852 1857
69. H. Zhou C. Wang J. C. Shaw R. Cheng Y. Chen X. Huang Y. Liu N. O. Weiss Z. Lin Y. Huang X. Duan Nano Lett. 2015 15 709 713
70. L. Tao E. Cinquanta D. Chiappe C. Granzianetti M. Fanciulli M. Dubey A. Molle D. Akinwande Nat. Nanotechnol. 2015 10 227 231
71. J. C. Bean, in High-Speed Semiconductor Devices, ed., S. M. Sze, J. Wiley, 1990
72. K. Kim J.-Y. Choi S.-H. Cho H.-J. Chung Nature 2011 479 338 344
73. F. Schwierz Nat. Nanotechnol. 2010 5 487 496
74. D. Reddy L. F. Register G. D. Carpenter S. K. Banerjee J. Phys. D: Appl. Phys. 2011 44 313001
75. D.-H. Kim B. Brar J. A. del Alamo Tech. Dig. IEDM 2011 319 322
76. A. Leuther A. Tessmann M. Dammann H. Massler M. Schlechtweg O. Ambacher Proc. IPRM 2013 1 2
77. T. Ashley L. Buckle M. T. Emeny M. Fearn D. G. Hayes K. P. Hilton R. Jefferies T. Martin T. J. Phillips J. Powell A. W.-H. Tang D. Wallis P. J. Wilding Proc. CSIC 2006 121 124
78. T. Ashley M. T. Emeny D. G. Hayes K. P. Hilton R. Jefferies J. O. Maclean S. J. Smith A. W.-H. Tang D. Wallis P. J. Webber Tech. Dig. IEDM 2009 849 852
79. E. Pop V. Varshney A. K. Roy MRS Bull. 2012 37 1273 1281
80. R.-H. Yan A. Ourmazd K. F. Lee IEEE Trans. Electron Devices 1992 39 1704 1710
81. Q. Zhang Y. Lu H. G. Xing S. J. Koester S. O. Koswatta IEEE Electron Device Lett. 2010 31 531 533
82. Q. Zhang Y. Lu G. H. Xing C. A. Richter S. J. Koester S. O. Koswatta Proc. DRC 2010 75 76
83. M. V. Fischetti T. P. O'Regan S. Narayanan C. Sachs S. Jin J. Kim Y. Zhang IEEE Trans. Electron Devices 2007 54 2116 2136
84. S. Kümmel L. Kronik Rev. Mod. Phys. 2008 80 3 60
85. J. C. Garcia D. B. De Lima L. V. C. Assali J. F. Justo J. Phys. Chem. C 2011 115 13242 13246
86. M. Houssa E. Scalise K. Sankaran G. Pourtois V. V. Afanas'ev A. Stesmans Appl. Phys. Lett. 2011 98 223107
87. L. Yang C.-H. Park Y.-W. Son M. L. Cohen S. G. Louie Phys. Rev. Lett. 2007 99 186801
88. D. Gunlycke C. T. White Phys. Rev. B: Condens. Matter 2008 77 115116
89. P. Ruffieux J. Cai N. Plumb L. Patthey D. Prezzi A. Ferretti E. Molinari X. Feng K. Müllen C. A. Pignedoli R. Fasel ACS Nano 2012 6 6930 6935
90. S. Linden D. Zhong A. Timmer N. Aghdassi J. H. Franke H. Zhang X. Feng K. Müllen H. Fuchs L. Chi H. Zacharias Phys. Rev. Lett. 2012 108 216801
91. X. Li X. Wang L. Zhang S. Lee H. Dai Science 2008 319 1229 1232
92. J. Cai P. Ruffieux R. Jaafar M. Bieri T. Braun S. Blankenburg M. Muoth A. P. Seitsonen M. Saleh X. Feng K. Müllen R. Fasel Nature 2010 466 470 473
93. M. Y. Han B. Özyilmaz Y. Zhang P. Kim Phys. Rev. Lett. 2007 98 206805
94. L. Tapaszto G. Dobrik P. Lambin L. P. Biro Nat. Nanotechnol. 2008 3 397 401
95. Y.-C. Chen D. G. de Oteyza Z. Pedramrazi C. Chen F. R. Fischer M. F. Crommie ACS Nano 2013 7 6123 6128
96. E. V. Castro K. S. Novoselov S. V. Morozov N. M. R. Peres J. M. B. Lopes dos Santos J. Nilsson F. Guinea A. K. Geim A. H. Castro Netro Phys. Rev. Lett. 2007 99 216802
97. G. Iannaccone G. Fiori M. Macucci P. Michetti M. Cheli A. Betti P. Marconcini Tech. Dig. IEDM 2009 245 248
98. S. Cahangirov M. Topsakal S. Ciraci Phys. Rev. B: Condens. Matter 2010 81 195120
99. Z. Ni Q. Liu K. Tang J. Zheng J. Zhou R. Qin Z. Gao D. Yu J. Lu Nano Lett. 2012 12 113 118
100. H. Liu A. T. Neal Z. Zhu Z. Luo X. Xu D. Tomanek P. D. Ye ACS Nano 2014 8 4033 4041
101. Y. Xie P. R. C. Kent Phys. Rev. B: Condens. Matter 2013 87 235441
102. I. Meric C. R. Dean N. Petrone L. Wang J. Hone P. Kim K. L. Shepard Proc. IEEE 2013 101 1609 1619
103. W. Gannett W. Regan K. Watanabe T. Taniguchi M. F. Crommie A. Zettl Appl. Phys. Lett. 2011 98 242105
104. X. Li J. T. Mullen Z. Jinn K. M. Borysenko M. B. Nardelli K. W. Kim Phys. Rev. B: Condens. Matter 2013 87 115418
105. Z.-G. Shao X.-S. Ye L. Yang C.-L. Wang J. Appl. Phys. 2013 114 093712
106. O. D. Restrepo K. E. Krymowski J. Goldberger W. Windl New J. Phys. 2014 16 105009
107. K. Kaasbjerg K. S. Thygesen K. W. Jacobsen Phys. Rev. B: Condens. Matter 2012 85 115317
108. L. Zeng Z. Xie S. Chen G. Du J. Kang X. Liu Appl. Phys. Lett. 2013 103 113505
109. W. Bao X. Cai D. Kim K. Sridhara M. S. Fuhrer Appl. Phys. Lett. 2013 102 042104
110. S. Das H.-Y. Chen A. V. Penumatcha J. Appenzeller Nano Lett. 2013 13 100 105
111. J. Lee H.-Y. Chang T.-J. Ha H. Li R. S. Ruoff A. Dodabalapu D. Akinwande Tech. Dig. IEDM 2013 491 494
112. W. Liu J. Kang W. Cao D. Sarkar Y. Khatami D. Jena K. Banerjee Tech. Dig. IEDM 2013 499 502
113. S. Larentis B. Fallahazad E. Tutuc Appl. Phys. Lett. 2012 101 223104
114. W. Liu J. Kang D. Sarkar Y. Khatami D. Jena K. Banerjee Nano Lett. 2013 13 1983 1990
115. Y. Wang B.-C. Huang M. Zhang C. Miao Y.-H. Xie J. C. S. Woo Dig. VLSI Technol. 2011 116 117
116. J. Y. Tan A. Avsar J. Balakrishnan G. K. W. Koon T. Taychatanapat E. C. T. O'Farrell K. Watanabe T. Taniguchi G. Eda A. H. Castro Neto B. Özyilmaz Appl. Phys. Lett. 2014 104 183504
117. X. Li C. W. Magnuson A. Venugopal J. An J. W. Suk B. Han M. Borysiak W. Cai A. Velamakanni Y. Zhu L. Fu E. M. Vogel E. Voelkl L. Colombo R. S. Ruoff Nano Lett. 2010 10 4328 4334
118. J. A. Robinson M. Hollander M. LaBella K. A. Trumbull R. Cavalero D. W. Snyder Nano Lett. 2011 11 3875 3880
119. Z. Guo R. Dong P. S. Chakraborty N. Lourenco J. Palmer Y. Hu M. Ruan J. Hankinson J. Kunc J. D. Cressler C. Berger W. A. de Heer Nano Lett. 2013 13 942 947
120. J.-H. Chen C. Jang S. Xiao M. Ishigami M. S. Fuhrer Nat. Nanotechnol. 2008 3 206 209
121. D. Lembke A. Kis ACS Nano 2012 6 10070 10075
122. M. S. Fuhrer J. Hone Nat. Nanotechnol. 2013 8 146 147
123. B. Radislavjevic A. Kis Nat. Nanotechnol. 2013 8 147 148
124. S. Jo N. Ubrig H. Berger A. B. Kuzmenko A. Morpurgo Nano Lett. 2014 14 2019 2025
125. D. Ovchinnikov A. Allain Y.-S. Huang D. Dumcenco A. Kis ACS Nano 2014 8 8174 8181
126. H. Fang S. Chuang T. C. Chang K. Takei T. Takahashi A. Javey Nano Lett. 2012 12 3788 3792
127. A. Allain A. Kis ACS Nano 2014 8 7180 7185
128. L. Li Y. Yu G. J. Ye Q. Ge X. Ou H. Wu D. Feng X. H. Chen Y. Zhang Nat. Nanotechnol. 2014 9 372 377
129. V. E. Dorgan M.-H. Bae E. Pop Appl. Phys. Lett. 2010 97 082112
130. M. Bresciani A. Paussa P. Palestri D. Esseni L. Selmi Tech. Dig. IEDM 2010 724 727
131. X. Li K. M. Borysenko M. B. Nardelli K. W. Kim Phys. Rev. B: Condens. Matter 2011 84 195453
132. A. Betti G. Fiori G. Iannaccone Appl. Phys. Lett. 2011 99 242108
133. R. Granzner V. M. Polyakov C. Schippel F. Schwierz IEEE Trans. Electron Devices 2014 61 3601 3607
134. M. Schmidt M. C. Lemme H. D. B. Gottlob F. Driussi L. Selmi H. Kurz Solid-State Electron. 2009 53 1246 1251
135. H. Raza E. C. Kan Phys. Rev. Lett. 2008 77 245434
136. K.-T. Lam Z. Dong J. Guo IEEE Electron Device Lett. 2014 35 963 965
137. J. Qiao X. Kong Z.-X. Hu F. Yang W. Ji Nat. Commun. 2014 5 4475
138. A. A. Balandin S. Gosh W. Bao I. Calizo D. Teweldebrhan F. Miao C. N. Lau Nano Lett. 2008 8 902 907
139. E. Pop V. Varshney A. K. Roy MRS Bull. 2012 37 1273 1281
140. C. Muratore V. Varshney J. J. Gengler J. J. Hu J. E. Bultman T. M. Smith P. J. Shamberger B. Qiu X. Ruan A. K. Roy A. A. Voevodin Appl. Phys. Lett. 2013 102 081604
141. J. H. Seol I. Jo A. L. Moore L. Lindsay Z. H. Aitken M. T. Pettes X. Li Z. Yao R. Huang D. Broido N. Mingo R. S. Ruoff L. Shi Science 2010 328 213 216
142. A. D. Liao J. Z. Wu X. Wang K. Tahy D. Jena H. Dai E. Pop Phys. Rev. Lett. 2011 106 256801
143. R. Yan J. R. Simpson S. Bertolazzi J. Brivio M. Watson X. Wu A. Kis T. Luo A. R. H. Walker H. G. Xing ACS Nano 2014 8 986 993
144. X. Gu R. Yang Appl. Phys. Lett. 2014 105 131903
145. K. F. Mak C. H. Lui T. F. Heinz Appl. Phys. Lett. 2010 97 221904
146. Z. Chen W. Jang W. Bao C. N. Lau C. Dames Appl. Phys. Lett. 2009 95 161910
147. S. S. Mahajan G. Subbarayan B. G. Sammakia IEEE Trans. Comp., Packag., Manuf. Technol. 2011 1 1132 1139
148. J. Chen G. Zhang B. Li J. Appl. Phys. 2012 112 064319
149. R. Mao B. D. Kong K. W. Kim T. Jayasekera A. Calzolari M. B. Nardelli Appl. Phys. Lett. 2012 101 113111
150. B. Deng A. Chernatynskiy M. Khafizov D. H. Hurley S. R. Phillpot J. Appl. Phys. 2014 115 084910
151. D. H. Hurley M. Khafizov S. L. Shinde J. Appl. Phys. 2011 109 083504
152. M.-H. Bae S. Islam V. E. Dorgan E. Pop ACS Nano 2011 5 7936 7944
153. Z.-Y. Ong M. V. Fischetti A. Y. Serov E. Pop Phys. Rev. B: Condens. Matter 2013 87 195404
154. K. Nagashio T. Nishimura K. Kita A. Toriumi Tech. Dig. IEDM 2009 565 568
155. W. S. Leong H. Gong J. T. L. Thong ACS Nano 2014 8 994 1001
156. J. S. Moon M. Antcliffe H. C. Seo D. Curtis S. Lin A. Schmitz I. Milosavljevic A. A. Kiselev R. S. Ross D. K. Gaskill P. M. Campbell R. C. Fitch K.-M. Lee P. Asbeck Appl. Phys. Lett. 2012 100 203512
157. F. Xia V. Perebeinos Y.-M. Lin Y. Wu P. Avouris Nat. Nanotechnol. 2011 6 179 184
158. I. Meric C. R. Dean A. F. Young N. Baklitskaya N. J. Tremblay C. Nuckolls P. Kim K. L. Sheppard Nano Lett. 2011 11 1093 1097
159. L. Yang K. Majumdar Y. Du H. Liu H. Wu M. Hatzistergos P. Y. Hung R. Tieckelmann W. Tsai C. Hobbs P. D. Ye Dig. VLSI Technol. 2014 1 2
160. R. Kappera D. Voiry S. E. Yalcin B. Branch G. Gupta A. D. Mohite M. Chhowalla Nat. Mater. 2014 13 1128 1134
161. W. Liu J. Kang W. Cao D. Sarkar Y. Khatami D. Jena K. Banerjee Tech. Dig. IEDM 2013 499 502
162. C. D. English G. Shine V. E. Dorgan K. C. Saraswat E. Pop Proc. DRC 2014 193 194
163. D. Krasnozhon D. Lembke C. Nyffeler Y. Leblebici A. Kis Nano Lett. 2014 14 5905 5911
164. S. Das R. Gulotty A. V. Sumant A. Roelofs Nano Lett. 2014 14 2861 2866
165. H.-J. Chuang X. Tan N. J. Ghimire M. M. Parera B. Chamberlain M. M.-C. Cheng J. Yan D. Mandrus D. Tomanek Z. Zhou Nano Lett. 2014 14 3594 3601
166. Y. Du H. Liu Y. Deng P. D. Ye ACS Nano 2014 10 10035 10042
167. S. M. Koh E. Y.-J. Kong B. Liu C.-M. Ng G. S. Samudra Y.-C. Yeo IEEE Trans. Electron Devices 2011 58 3852 3862
168. A. R. Alt C. R. Bolognesi IEEE Trans. Electron Devices 2013 60 787 792
169. H. Li Z. Feng C. W. Tang K. M. Lau IEEE Electron Device Lett. 2011 32 1224 1226
170. Y. Wu D. B. Farmer F. Xia P. Avouris Proc. IEEE 2013 101 1620 1637
171. A. Hsu H. Wang Y. C. Shin B. Mailly X. Zhang L. Yu Y. Shi Y. H. Lee M. Dubey K. K. Kim J. Kong T. Palacios Proc. IEEE 2013 101 1638 1652
172. X. Wang Y. Ouyang X. Li H. Wang J. Guo H. Dai Phys. Rev. Lett. 2008 100 206803
173. M.-W. Lin C. Ling Y. Zhang H. J. Yoon M. M.-C. Cheng L. A. Agapito N. Kioussis N. Widjaja Z. Zhou Nanotechnology 2011 22 265201
174. H. Yang J. Heo S. Park H. J. Song D. H. Seo K.-E. Byun P. Kim I. Yoo H.-J. Chung K. Kim Science 2012 336 1140 1143
175. L. Britnell R. V. Gorbatchev R. Jalil B. D. Belle F. Schedin A. Mishchenko T. Georgiou M. I. Katsnelson L. Eaves S. V. Morozov N. M. R. Peres J. Leist A. K. Geim K. S. Novoselov L. A. Ponomarenko Science 2012 335 947 950
176. W. Mehr J. Dabrowski J. C. Scheytt G. Lippert Y.-H. Xie M. C. Lemme M. Ostling G. Lupina IEEE Electron Device Lett. 2012 33 691 693
177. M. C. Lemme T. J. Echtermeyer M. Baus H. Kurz IEEE Electron Device Lett. 2007 28 282 284
178. I. Meric N. Baklitskaya P. Kim K. L. Shepard Tech. Dig. IEDM 2008 1 4
179. R. Cheng J. Bai L. Liao H. Zhou Y. Chen L. Liu Y.-C. Lin S. Jiang Y. Huang X. Duan Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2012 109 11588 11592
180. Y. Wu K. A. Jenkins A. Valdes-Garcia D. B. Farmer Y. Zhu A. A. Bol C. Dimitrakopoulos W. Zhu F. Xia P. Avouris Y.-M. Lin Nano Lett. 2012 12 3062 3067
181. L. Liao Y.-C. Lin M. Bao R. Cheng J. Bai Y. Liu Y. Qu K. L. Wang Y. Huang X. Duan High-speed graphene transistors with a self-aligned nanowire gate Nature 2010 467 305 308
182. Z. H. Feng C. Yu J. Li Q. B. Liu Z. Z. He X. B. Song J. J. Wang S. J. Cai Carbon 2014 75 249 254
183. D.-H. Kim J. A. del Alamo 30-nm InAs PHEMTs with fT=644 GHz and fmax=681 GHz IEEE Electron Device Lett. 2010 31 806 808
184. S. Lee B. Jagannathan S. Narasimha A. Chou N. Zamdmer J. Johnson R. Williams L. Wagner J. Kim J.-O. Plouchart J. Pekarik S. Springer G. Freeman Tech. Dig. IEDM 2007 255 258
185. I. Post M. Akbar G. Curello S. Gannavaram W. Hafez U. Jalan K. Komeyli J. Lin N. Lindert J. Park J. Rizk G. Sacks C. Tsai D. Yeh P. Bai C.-H. Jan Tech. Dig. IEDM 2006 1 3
186. C.-H. Jan P. Bai S. Biwas M. Buehler Z.-P. Chen G. Curello S. Gannavaram W. Hafez J. He J. Hicks U. Jalan N. Lazo J. Lin N. Lindert C. Litteken M. Jones M. Kang K. Komeyli A. Mezhiba S. Naskar S. Olson J. Park R. Parker L. Pei I. Post N. Pradhan C. Prasad M. Prince J. Rizk G. Sacks H. Tashiro D. Towner C. Tsai Y. Wang L. Yang J.-Y. Yeh J. Yip K. Misty Tech. Dig. IEDM 2008 1 3
187. N. Petrone I. Meric T. Chari K. L. Shepard J. Hone J. Electron Device Soc. 2015 3 44 48
188. M. Tanzid M. A. Anderson J. Sun J. Stake Appl. Phys. Lett. 2014 104 013502
189. D. Mele S. Fregonese S. Lepilliet E. Pichonat G. Dambrine H. Happy IMS Dig. 2013 1 4
190. B. Hughes IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1992 40 1821 1832
191. P. C. Chao A. J. Tessmer K.-H. G. Du P. Ho M.-Y. Kao P. M. Smith J. M. Ballingall S.-M. J. Liu A. A. Jabra IEEE Electron Device Lett. 1990 11 59 62
192. P. Ho P. C. Chao K. H. G. Duh A. A. Jabra J. M. Ballingall P. M. Smith Tech. Dig. IEDM 1988 184 186
193. W. E. Hoke P. J. Lemonias J. J. Mosca P. S. Lyman A. Torabi P. F. Marsh R. A. McTaggart S. M. Lardizabal K. Hetzler JVST B 1999 13 1131 1135
194. M. Schlechtweg A. Tessmann A. Leuther H. Massler S. Wagner R. Aidam J. Rosenzweig O. Ambacher Proc. COMCAS 2013 1 4
195. J.-H. Lee H.-S. Yoon C.-S. Park H.-M. Park IEEE Electron Device Lett. 1995 16 271 273
196. D. Geiger M. Mittermeier J. Dickmann C. Geng F. Scholz E. Kohn Electron. Lett. 1995 31 1295 1297
197. L. F. Tiemeijer H. M. J. Boots R. J. Havens A. J. Scholten P. H. W. de Vreede P. H. Woerlee A. Heringa D. B. M. Klaassen Tech. Dig. IEDM 2001 223 226
198. K. Kuhn R. Basco D. Becher M. Hattendorf P. Packan I. Post P. Vandervoorn I. Young Dig. VLSI Symp. 2004 224 225
199. F. Schwierz, Graphene electronics, in Emerging nanoelectronic devices, ed., A. Chen, J. Hutchby, V. Zhirnov, and, G. Bourianoff, J. Wiley & Sons, 2015
200. I. Imperiale S. Bonsignore A. Gnudi E. Gnani S. Reggiani G. Baccarani Tech. Dig. IEDM 2010 732 735
201. J. Lee H.-Y. Chang T.-J. Ha H. Li R. S. Ruoff A. Dodabalapur D. Akinwande Tech. Dig. IEDM 2013 491 494
202. M. Kitamura Y. Arakawa Jpn. J. Appl. Phys. 2011 50 01BC01
203. H. Zhou J.-H. Seo D. M. Paskiewicz Y. Zhu G. K. Celler P. M. Voyles W. Zhou M. G. Lagally Z. Ma Sci. Rep. 2013 3 1291
204. C. Wang J.-C. Chien H. Fang K. Takei J. Nah E. Plis S. Krishna A. M. Niknejad A. Javey Nano Lett. 2012 12 4140 4145
205. M. N. Yogeesh K. Parish J. Lee L. Tao D. Akinwande Dig. IMS 2014 1 4
206. N. Petrone I. Meric J. Hone K. L. Shepard Nano Lett. 2013 13 121 125
207. R. Cheng S. Jiang Y. Chen Y. Liu N. Weiss H.-C. Cheng H. Wu Y. Huang X. Duan Nat. Commun. 2014 5 5143
208. H. Wang X. Wang F. Xia L. Wang H. Jiang Q. Xia M. L. Chin M. Dubey S.-J. Han Nano Lett. 2014 14 6424 6429
209. W. Zhu M. N. Yogeesh S. Yang S. H. Aldave J.-S. Kim S. Sonde L. Tao N. Lu D. Akinwande Nano Lett. 2015 15 1883 1890
210. G. Fiori S. Lebegue A. Betti P. Michetti M. Klintenberg O. Eriksson G. Iannaccone Phys. Rev. B: Condens. Matter 2010 82 153404
211. J. Son, S. Lee, S. J. Kim, B. C. Park, H.-K. Lee, S. Kim, J. H. Kim, B. H. Hong and J. Hong, 2015
212. H. Wang L. Yu Y.-H. Lee W. Fang A. Hsu P. Herring M. Chin M. Dubey L.-J. Li J. Kong T. Palacios Tech. Dig. IEDM 2012 88 91
213. B. Radisavljevic M. B. Whitwick A. Kis ACS Nano 2011 5 9934 9938
214. S. Bertolazzi J. Brivio A. Kis ACS Nano 2011 5 9703 9709
215. H.-Y. Chang S. Yang J. Lee L. Tao W.-S. Hwang D. Jena N. Lu D. Akinwande ACS Nano 2013 6 5446 5452
216. M. Tosun S. Chuang H. Fang A. B. Sachid M. Hettick Y. Lin Y. Zeng A. Javey ACS Nano 2014 8 4948 4953
217. W. S. Hwang M. Remskar R. Yan V. Protasenko K. Tahy S. D. Chae P. Zhao A. Konar H. Xing A. Seabaugh D. Jena Appl. Phys. Lett. 2012 101 013107
218. S. Larentis B. Fallahazad E. Tutuc Appl. Phys. Lett. 2012 101 223104
219. S. Fathipour N. Ma W. S. Hwang V. Protasenko S. Vishwanath H. G. Xing H. Xu D. Jena J. Appenzeller A. Seabaugh Appl. Phys. Lett. 2014 105 192101
220. L. Liu S. B. Kumar Y. Ouyang J. Guo IEEE Trans. Electron Devices 2011 58 3042 3047
221. K. Alam R. K. Lake IEEE Trans. Electron Devices 2012 59 3250 3254
222. J. Chang L. F. Register S. K. Banerjee Proc. SISPAD 2013 408 411
223. S. R. Mehrotra S.-G. Kim T. Kubis M. Povolotskyi M. S. Lundstrom G. Klimeck IEEE Trans. Electron Devices 2013 60 2171 2177
224. K. Majumdar C. Hobbs P. D. Kirsch IEEE Electron Device Lett. 2013 35 402 404
225. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of semiconductor devices, J. Wiley & Sons, 2007
226. L. Yu Y.-H. Lee X. Ling E. J. G. Santos Y. C. Shin Y. Lin M. Dubey E. Kaxiras J. Kong H. Wang T. Palacios Nano Lett. 2014 14 3055 3063
227. S. Bertolazzi D. Krasnozhon A. Kis ACS Nano 2013 7 3246 3252
228. T. Roy M. Tosun J. S. Kang A. B. Sachid S. B. Desai M. Hettick C. C. Hu A. Javey ACS Nano 2014 8 6259 6264