Properties of magnetic tunnel junctions with a MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure down to junction diameter of 11nm

Applied Physics Letters

Volumn 105, Issue 6, 2014, Pages

  Sato, H ^a   Enobio, E C I ^a   Yamanouchi, M ^a   Ikeda, S ^a   Fukami, S ^a   Kanai, S ^a   Matsukura, F ^a   Ohno, H ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

PHYSICAL PROPERTIES; PHYSICS;

BLANKET FILMS; DEMAGNETIZING FACTORS; MAGNETIC TUNNEL JUNCTION; MGO; PERPENDICULAR ANISOTROPY;

MAGNETIC DEVICES;

EID: 84926368346     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4892924     Document Type: Article

References (28)

1. H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu, N. Kasai, and S. Ikeda, Tech. Dig. -Int. Electron Devices Meet. 2010, 9.4.1. 10.1109/IEDM.2010.5703329
2. M. Endo, S. Kanai, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 96, 212503 (2010). 10.1063/1.3429592
3. S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, Nature Mater. 9, 721 (2010). 10.1038/nmat2804
4. D. C. Worledge, G. Hu, D. W. Abraham, J. Z. Sun, P. L. Trouilloud, J. Nowak, S. Brown, M. C. Gaidis, J. O'Sullivan, and R. P. Robertazzi, Appl. Phys. Lett. 98, 022501 (2011). 10.1063/1.3536482
5. J. J. Nowak, R. P. Robertazzi, J. Z. Sun, G. Hu, D. W. Abraham, P. L. Trouilloud, S. Brown, M. C. Gaidis, E. J. O'Sullizan, W. J. Gallagher, and D. C. Worledge, IEEE Magn. Lett. 2, 3000204 (2011). 10.1109/LMAG.2011.2155625
6. W. C. Lim, Y. J. Lee, J. M. Lee, W. K. Kim, J. H. Kim, K. W. Kim, K. S. Kim, Y. S. Park, H. J. Shin, S. H. Park, J. H. Kim, J. H. Jeong, M. A. Kang, Y. H. Kim, W. J. Kim, S. Y. Kim, Y. C. Cho, H. L. Park, H. S. Ahn, J. H. Park, S. C. Oh, S. O. Park, S. Jeong, S. W. Nam, H. K. Kang, and E. S. Jung, Dig. Tech. Pap., Symp. VLSI Technol. 2013, 64.
7. T. Ohsawa, S. Miura, K. Kinoshita, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh, Dig. Tech. Pap., Symp. VLSI Circuits 2013, 110.
8. L. Thomas, G. Jan, J. Zhu, H. Liu, Y. J. Lee, S. Le, R. Y. Tong, K. Pi, Y. J. Wang, D. Shen, R. He, J. Haq, J. Teng, V. Lam, K. Huang, T. Zhong, T. Torng, and P. K. Wang, J. Appl. Phys. 115, 172615 (2014). 10.1063/1.4870917
9. Y. Iba, C. Yoshida, A. Hatada, A. Takahashi, Y. Yamazaki, H. Noshiro, K. Tsunoda, T. Takenaga, M. Aoki, and T. Sugii, Dig. Tech. Pap., Symp. VLSI Technol. 2013, 136.
10. T. Endoh, S. Togashi, F. Iga, Y. Yoshida, T. Ohsawa, H. Koike, S. Fukami, S. Ikeda, N. Kasai, N. Sakimura, T. Hanyu, and H. Ohno, Tech. Dig. -Int. Electron Devices Meet. 2011, 4.3.1. 10.1109/IEDM.2011.6131487
11. S. Matsunaga, A. Katsumata, M. Natsui, S. Fukami, T. Endoh, H. Ohno, and T. Hanyu, Dig. Tech. Pap., Symp. VLSI Circuits 2011, 298.
12. M. Natsui, D. Suzuki, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, and T. Hanyu, Tech. Dig. Pap. -Int. Solid-State Circuits Conf. 2013, 194. 10.1109/ISSCC.2013.6487696
13. H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 101, 022414 (2012). 10.1063/1.4736727
14. J. H. Park, Y. Kim, W. C. Lim, S. H. Park, J. H. Kim, W. Kim, K. W. Kim, J. H. Jeong, K. S. Kim, H. Kim, Y. J. Lee, S. C. Oh, J. E. Lee, S. O. Park, S. Watts, D. Apalkov, V. Nikitin, M. Krounbi, S. Jeong, S. Choi, H. K. Kang, and C. Chung, Dig. Tech. Pap., Symp. VLSI Technol 2012, 57. 10.1109/VLSIT.2012.6242459
15. G. Jan, Y. J. Wang, T. Moriyama, Y. J. Lee, M. Lin, T. Zhong, R. Y. Tong, and T. Torng, Appl. Phys. Express 5, 093008 (2012). 10.1143/APEX.5.093008
16. H. Kubota, S. Ishibashi, T. Saruya, T. Nozaki, A. Fukushima, K. Yakushiji, K. Ando, Y. Suzuki, and S. Yuasa, J. Appl. Phys. 111, 07C723 (2012). 10.1063/1.3679393
17. S. Tsunegi, H. Kubota, S. Tamaru, K. Yakushiji, M. Konoto, A. Fukushima, T. Taniguchi, H. Arai, H. Imamura, and S. Yuasa, Appl. Phys. Express 7, 033004 (2014). 10.7567/APEX.7.033004
18. H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, IEEE Trans. Magn. 49, 4437 (2013). 10.1109/TMAG.2013.2251326
19. H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, H. D. Gan, K. Mizunuma, R. Koizumi, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 99, 042501 (2011). 10.1063/1.3617429
20. J. Z. Sun, R. P. Robertazzi, J. Nowak, P. L. Trouilloud, G. Hu, D. W. Abraham, M. C. Gaidis, S. L. Brown, E. J. O'Sullivan, W. J. Gallagher, and D. C. Worledge, Phys. Rev. B 84, 064413 (2011). 10.1103/PhysRevB.84.064413
21. H. Sato, S. Ikeda, S. Fukami, H. Honjo, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, K. Mizunuma, F. Matsukura, and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 53, 04EM02 (2014). 10.7567/JJAP.53.04EM02
22. H. Sato, T. Yamamoto, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, K. Kinoshita, F. Matsukura, N. Kasai, and H. Ohno, Tech. Dig. -Int. Electron Devices Meet. 2013, 3.2.1. 10.1109/IEDM.2013.6724550
23. K. Mizunuma, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, S. Kanai, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Express 6, 063002 (2013). 10.7567/APEX.6.063002
24. H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, R. Koizumi, F. Matsukura, and H. Ohno, IEEE Magn. Lett. 3, 3000204 (2012). 10.1109/LMAG.2012.2190722
25. M. P. Sharrock, IEEE Trans. Magn. 26, 193 (1990). 10.1109/20.50532 (Pubitemid 20678642)
26. M. Julliere, Phys. Lett. A 54, 225 (1975). 10.1016/0375-9601(75)90174-7
27. J. Z. Sun, S. L. Brown, W. Chen, E. A. Delenia, M. C. Gaidis, J. Harms, G. Hu, X. Jiang, R. Kilau, W. Kula, G. Lauer, L. Q. Liu, S. Murthy, J. Nowak, E. J. O'Sullivan, S. S. P. Parkin, R. P. Robertazzi, P. M. Rice, G. Sandhu, T. Topuria, and D. C. Worledge, Phys. Rev. B 88, 104426 (2013). 10.1103/PhysRevB.88.104426
28. S. Kanai, Y. Nakatani, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 103, 072408 (2013). 10.1063/1.4818676