Properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions fabricated over the bottom electrode contact

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 54, Issue 4, 2015, Pages

  Miura, Sadahiko ^a,b   Honjo, Hiroaki ^a,b   Kinoshita, Keizo ^a,b   Tokutome, Keiichi ^a   Koike, Hiroaki ^b   Ikeda, Shoji ^b   Endoh, Tetsuo ^b   Ohno, Hideo ^b  

^a NEC CORPORATION   (Japan)

^b TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODES; FABRICATION; GEOMETRY; MAGNESIA; MAGNETIC ANISOTROPY; MAGNETIC STORAGE; MAGNETISM; OXIDE MINERALS; RANDOM ACCESS STORAGE; SOLID STATE DEVICES;

BOTTOM ELECTRODE CONTACTS; ELECTRODE RESISTANCE; MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY; MAGNETIC TUNNEL JUNCTION; MAGNETORESISTANCE RATIO; PERPENDICULAR ANISOTROPY; SPIN TRANSFER TORQUE; SUBSTRATE GEOMETRY;

TUNNEL JUNCTIONS;

EID: 84926307370     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.54.04DM06     Document Type: Conference Paper

References (31)

1. D. Suzuki, M. Natsui, T. Endoh, H. Ohno, and T. Hanyu, J. Appl. Phys. 111, 07E318 (2012).
2. T. Ohsawa, S. Miura, K. Kinoshita, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh, Symp. VLSI Circuits Dig. Tech. Pap., 2013, C110.
3. H. Yoda, S. Fujita, N. Shimomura, E. Kitagawa, K. Abe, K. Nomura, H. Noguchi, and J. Ito, IEDM Tech. Dig., 2012, p. 259.
4. E. Deng, Y. Zhang, J.-O. Klein, D. Ravelsona, C. Chappert, and W. Zhao, IEEE Trans. Magn. 49, 4982 (2013).
5. N. D. Rizzo, D. Houssameddine, J. Janesky, R. Whig, F. B. Mancoff, M. L. Schneider, M. DeHerrera, J. J. Sun, K. Nagel, S. Deshpande, H.-J. Chia, S. M. Alam, T. Andre, S. Aggarwal, and J. M. Slaughter, IEEE Trans. Magn. 49, 4441 (2013).
6. M. Natsui, D. Suzuki, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, and T. Hanyu, Int. Solid-State Circuits Conf. Dig. Tech. Pap., 2013, p. 194.
7. H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 04ED13 (2014).
8. T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 04ED03 (2014).
9. S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, Nat. Mater. 9, 721 (2010).
10. D. C. Worledge, G. Hu, P. L. Trouilloud, D. W. Abraham, S. Brown, M. C. Gaidis, J. Nowak, E. J. O'Sullivan, R. P. Robertazzi, J. Z. Sun, and W. J. Gallagher, IEDM Tech. Dig., 2010, p. 296.
11. D. C. Worledge, G. Hu, D. W. Abraham, J. Z. Sun, P. L. Trouilloud, J. Nowak, S. Brown, M. C. Gaidis, E. J. O'Suillivan, and R. P. Robertazzi, Appl. Phys. Lett. 98, 022501 (2011).
12. H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, H. Gan, K. Mizunuma, R. Koizumi, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 99, 042501 (2011).
13. J. Z. Sun, R. P. Robertazzi, J. Nowak, P. L. Trouilloud, G. Hu, D. W. Abraham, M. C. Gaidis, S. L. Brown, W. J. O'Sullovan, W. J. Gallagher, and D. C. Worledge, Phys. Rev. B 84, 064413 (2011).
14. J. J. Nowak, R. P. Robertazzi, J. Z. Sun, G. Hu, D. W. Abraham, P. L. Trouilloud, S. Brown, M. C. Gaidis, E. J. O'Suillivan, W. J. Gallagher, and D. C. Worledge, IEEE Magn. Lett. 2, 3000204 (2011).
15. S. Ikeda, R. Koizumi, H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, K. Mizunuma, H. Gan, F. Matsukura, and H. Ohno, IEEE Trans. Magn. 48, 3829 (2012).
16. H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 101, 022414 (2012).
17. M. Gajek, J. J. Nowak, J. Z. Sun, P. L. Trouilloud, E. J. O'Sullivian, D. W. Abraham, M. C. Gaidis, G. Hu, S. Brown, Y. Zhu, R. P. Robertazzi, W. J. Gallagher, and D. C. Worledge, Appl. Phys. Lett. 100, 132408 (2012).
18. G. Jan, Y. J. Wang, T. Moriyama, Y. J. Lee, M. Lin, T. Zhong, R. Y. Tong, T. Torng, and P. K. Wang, Appl. Phys. Express 5, 093008 (2012).
19. J.-H. Park, Y. Kim, W. C. Lim, J. H. Kim, S. H. Park, J. H. Kim, W. Kim, K. W. Kim, J. H. Jeong, K. S. Kim, H. Kim, Y. J. Lee, S. C. Oh, J. E. Lee, S. O. Park, S. Watts, D. Apalkov, V. Nikitin, M. Krounbi, S. Jeong, S. Choi, H. K. Kang, and C. Chung, Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2012, p. 57.
20. H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, IEEE Trans. Magn. 49, 4437 (2013).
21. S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, J. Appl. Phys. 113, 17C721 (2013).
22. H. Sato, T. Yamamoto, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, K. Kinoshita, F. Matsukura, N. Kasai, and H. Ohno, IEDM Tech. Dig., 2013, p. 60.
23. H. Sato, S. Ikeda, S. Fukami, H. Honjo, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, K. Mizunuma, F. Matsukura, and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 04EM02 (2014).
24. D. C. Worledge, G. Hu, D. W. Abraham, P. L. Trouilloud, and S. Brown, J. Appl. Phys. 115, 172601 (2014).
25. G. Jan, L. Thomas, S. Le, Y. J. Lee, H. Liu, J. Zhu, R. Y. Tong, K. Pi, Y. J. Wang, D. Shen, R. He, J. Haq, J. Teng, V. Lam, K. Huang, T. Zhong, T. Torng, and P. K. Wang, Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2014, p. 50.
26. S. H. Kang, Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2014, p. 44.
27. L. Thomas, G. Jan, J. Zhu, H. Liu, Y. J. Lee, S. Le, R. Y. Tong, K. Pi, Y. J. Wang, D. Shen, R. He, J. Haq, J. Teng, V. Lam, K. Huang, T. Zhong, T. Torng, and P. K. Wang, J. Appl. Phys. 115, 172615 (2014).
28. S. C. Oh, J. H. Jeong, W. C. Lim, W. J. Kim, Y. H. Kim, H. J. Shin, Y. Lee, Y. G. Shin, S. Choi, and C. Chung, IEDM Tech. Dig., 2010, p. 300.
29. S. Chung, K.-M. Rho, S.-D. Kim, H.-J. Suh, D.-J. Kim, H. J. Kim, S. H. Lee, J.-H. Park, H.-M. Hwang, S.-M. Hwang, J.-Y. Lee, Y.-B. An, J.-U. Yi, Y.-H. Seo, D.-H. Jung, M.-S. Lee, S.-H. Cho, J.-N. Kim, G.-J. Park, G. Jin, A. Driskill-Smith, V. Nikitin, A. Ong, X. Tang, Y. Kim, J.-S. Rho, S.-K. Park, S.-W. Chung, J.-G. Jeong, and S. J. Hong, IEDM Tech. Dig., 2010, p. 304.
30. H. Honjo, R. Nebashi, T. Suzuki, S. Fukami, N. Ishiwata, T. Sugibayashi, and N. Kasai, J. Appl. Phys. 103, 07A711 (2008).
31. R. H. Koch, J. A. Katine, and J. Z. Sun, Phys. Rev. Lett. 92, 088302 (2004).