Atomic layer deposition of transparent VOx thin films for resistive switching applications

Chemical Vapor Deposition

Volumn 20, Issue 7-9, 2014, Pages 291-297

  Singh, Trilok ^a,b   Wang, Shuangzhou ^a,b   Aslam, Nabeel ^c   Zhang, Hehe ^c   Hoffmann Eifert, Susanne ^c   Mathur, Sanjay ^a,b  

^a UNIVERSITY OF COLOGNE   (Germany)

^b XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY   (China)

^c FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

Author keywords

ALD; Resistive switching; Thin Films; VOx

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; METAL INSULATOR TRANSITION; METALS; OXIDE FILMS; SWITCHING; THIN FILM CIRCUITS; VANADIUM DIOXIDE;

CAPACITOR STRUCTURES; INSULATOR-TO-METAL TRANSITIONS; NANOMETRIC THIN FILMS; POLYCRYSTALLINE LAYERS; RESISTANCE RATIO; RESISTIVE SWITCHING; TEMPERATURE-INDUCED; THRESHOLD SWITCHING;

THIN FILMS;

EID: 84919917097     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.201407122     Document Type: Article

References (42)

1. T. C. Chang, T. M. Tsai, G. W. Chang, K. C. Chang, Y. H. Tai, M. J. Tsai, Y. L. Wang, S. M. Sze, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 02290.
2. W. Lee, J. Park, S. Kim, J. Woo, J. Shin, D. Lee, E. Cha, H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 142106.
3. M. Houssa, J. A. Kittl, M. Jurczak, V. V. Afanasev, A. Stesmans, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 142102.
4. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot, Adv. Mater. 2009, 21, 2632.
5. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, S. Tiedke, J. Appl. Phys. 2005, 98, 033715.
6. M. D. Pickett, R. S. Williams, Nanotechnology 2012, 23, 215202.
7. S. Kumar, M. D. Pickett, J. P. Strachan, G. Gibson, Y. Nishi, R. S. Williams, Adv. Mater. 2013, 25, 6128.
8. Y. Wang, G. Cao, Chem. Mater. 2006, 18, 2787.
9. V. Petkov, P. Y. Zavalij, S. Lutta, M. S. Whittingham, V. Parvanov, S. Shastri, Phys. Rev. B 2004, 69, 085410.
10. C. V. Ramana, R. J. Smith, O. M. Hussain, C. C. Chusuei, C. M. Julien, Chem. Mater. 2005, 17, 1213.
11. S. Mathur, T. Ruegamer, I. Grobelsek, Chem. Vap. Deposition 2007, 13, 42.
12. A. Magneli, Acta. Chem. Scand. 1948, 2, 501.
13. A. L. Pergament, ISRN Cond. Matter Phys. 2011, 605913.
14. X. Chen, E. Pomerantseva, K. Gregorczyk, R. Ghodssi, G. Rubloff, RSC Adv. 2013, 3, 429.4.
15. J. Musschoot, D. Deduytsche, R. L. Van Meirhaeghe, C. Detavernier, ECS Trans. 2009, 25 (4), 29.
16. C. W. Zou, X. D. Yan, D. A. Patterson, E. A. C. Emanuelsson, J. M. Bian, W. Gao, CrystEngComm. 2010, 12, 691.
17. I. E. Wachs, S. S. Chan, Appl. Surf. Sci. 1984, 20, 181.
18. A. Grzechnik, Chem. Mater. 1998, 10, 2505.
19. A. G. Aronov, D. N. Mirlin, I. I. Reshina, F. A. Chudnovskii, Sov. Phys.-Solid State 1977, 19, 110.
20. S. Leea, H. M. Cheongb, M. J. Seonga, P. Liua, C. E. Tracya, A. Mascarenhasa, J. R. Pittsa, S. K. Deb, Solid State Ionics 2003, 165, 111.
21. W. Chen, L. Mai, J. Peng, Q. Xu, Q. Zhu, J. Solid State Chem. 2004, 177, 377.
22. X. J. Wang, H. D. Li, Z. J. Fei, X. Wang, Y. Y. Xiong, Y. X. Nie, K. A. Feng, Appl. Surf. Sci. 2001, 177, 8.
23. J. Gao, R. Chen, D. H. Li, L. Jiang, J. C. Ye, X. C. Ma, X. D. Chen, Q. H. Xiong, H. D. Sun, T. Wu, Nanotechnology 2011, 22, 195706.
24. A. Talledo, C. G. Granqvist, J. Appl. Phys. 1995, 77, 4655.
25. Y. Wang, Q. Su, C. H. Chen, M. L. Yu, G. J. Han, G. Q. Wang, K. Xin, W. Lan, X. Q. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys. 2010, 43, 185102.
26. C. Diaz-Guerra, J. Piqueras, J. Appl. Phys. 2007, 102, 084307.
27. C. V. Ramana, O. M. Hussain, Adv. Mater. Opt. Electron. 1997, 7, 225.
28. J. Haber, M. Witko, R. Tokarz, Appl. Catal. 1997, A157, 3.
29. M. Lee, C. B. Lee, D. Lee, S. R. Lee, M. Chang, J. H. Hur, Y. Kim, C. Kim, D. H. Seo, S. Seo, U. Chung, I. Yoo, K. Kim, Nature Mater. 2011, 10, 625.
30. J. J. Yang, M. X. Zhang, J. P. Strachan, F. Miao, M. D. Pickett, R. D. Kelley, G. Medeiros-Ribeiro, R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 232102.
31. D. Walczyk, C. Walczyk, T. Schroeder, T. Bertand, M. Sowinska, M. Lukosius, M. Fraschke, B. Tillack, C. Wenger, Microelectron. Eng. 2011, 88, 1133.
32. Y. Y. Chen, L. Goux, S. Clima, B. Govoreanu, R. Degraeve, G. S. Kar, A. Fantini, G. Groeseneken, D. J. Wouters, M. Jurczak, IEEE Trans. Electron. Devices 2013, 60, 1114.
33. S. B. Lee, K. Kim, J. S. Oh, B. Kahng, J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 063501.
34. M. Son, X. Liu, S. M. Sadaf, D. Lee, S. Park, W. Lee, S. Kim, J. Park, J. Shin, S. Jung, M. Ham, H. Hwang, IEEE Electron. Device Lett. 2012, 33, 5.
35. J. J. Yang, D. B. Strukov, D. R. Stewart, Nature Nanotechnol, 2013, 8.
36. M. D. Pickett, J. Borghetti, J. J. Yang, G. Medeiros-Ribeiro, R. S. Williams, Adv. Mater. 2011, 23, 1733.
37. F. Yang, K. Chen, C. Cheng, F. Su, Ceram. Int. 2013, 39, 729.
38. S. Kim, J. Park, J. Woo, C. Cho, W. Lee, J. Shin, G. Choi, S. Park, D. Lee, B. Lee, H. Hwang, Microelectron. Eng. 2013, 107, 33.
39. J. B. Goodenough, J. Solid State Chem. 1971, 3, 490.
40. N. B. Aetukuri, A. X. Gray, M. Drouard, M. Cossale, L. Gao, A. H. Reid, R. Kukreja, H. Ohldag, C. A. Jenkins, E. Arenholz, K. P. Roche, H. A. Duerr, M. G. Samant, S. S. P. Parkin, Nature Phys. 2013, 9, 661.
41. S. Menzel, M. Waters, A. Marchewka, U. Böttger, R. Dittmann, R. Waser, Adv. FunMater. 2011, 21, 4487.
42. X. Liu, S. M. Sadaf, M. Son, J. Shin, J. Park, J. Lee, S. Park, H. Hwang, Nanotechnology 2011, 22, 475702.