Monolithically Integrated Circuits from Functional Oxides

Advanced Materials Interfaces

Volumn 1, Issue 1, 2014, Pages

  Jany, Rainer ^a   Richter, Christoph ^a   Woltmann, Carsten ^b   Pfanzelt, Georg ^b   Förg, Benjamin ^a   Rommel, Marcus ^b   Reindl, Thomas ^b   Waizmann, Ulrike ^b   Weis, Jürgen ^b   Mundy, Julia A ^c   Muller, David A ^c   Boschker, Hans ^b   Mannhart, Jochen ^b  

^a UNIVERSITY OF AUGSBURG   (Germany)

^b MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

^c Cornell University   (United States)

Author keywords

memory applications; microelectronics; oxide interfaces; thin films

Indexed keywords

COMPUTER CIRCUITS; ELECTRONIC PROPERTIES; INTEGRATED CIRCUITS; INTERFACES (MATERIALS); METALS; MICROELECTRONICS; MOS DEVICES; OXIDE FILMS; OXIDE SEMICONDUCTORS; THIN FILMS; TIMING CIRCUITS;

CIRCUIT FUNCTIONALITY; DEVICE APPLICATION; MEMORY APPLICATIONS; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR; MONOLITHICALLY INTEGRATED; OXIDE HETEROSTRUCTURES; OXIDE INTERFACES; TWO DIMENSIONAL ELECTRONS;

MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS;

EID: 84903970048     PISSN: None     EISSN: 21967350     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/admi.201300031     Document Type: Article

References (43)

1. W.-C. Shin, K. Remashan, J.-H. Jang, M.-S. Oh, S.-J. Park, J. Korean Phys. Soc. 2009, 55, 1514.
2. D. A. Mourey, D. A. Zhao, J. Sun, T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron. Devices 2010, 57, 530.
3. D. Kälblein, R. T. Weitz, H. J. Böttcher, F. Ante, U. Zschieschang, K. Kern, H. Klauk, Nano Lett. 2011, 11, 5309.
4. N. F. Mott, Proc. Phys. Soc. Sect. A 1949, 62, 416.
5. M. Imada, A. Fujimori, Y. Tokura, Rev. Mod. Phys. 1998, 70, 1039.
6. H. Y. Hwang, Y. Iwasa, M. Kawasaki, B. Keimer, N. Nagaosa, Y. Tokura, Nat. Mater. 2012, 11, 103.
7. J. Mannhart, D. G. Schlom, Science 2010, 327, 1607.
8. R. Ramesh, D. G. Schlom, MRS Bull. 2008, 33, 1006.
9. P. Zubko, S. Gariglio, M. Gabay, P. Ghosez, J.-M. Triscone, Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 2011, 2, 141.
10. Z. Yang, C. Ko, S. Ramanathan, Annu. Rev. Mater. Res. 2011, 41, 337.
11. M. Nakano, K. Shibuya, D. Okuyama, T. Hatano, S. Ono, M. Kawasaki, Y. Iwasa, Y. Tokura, Nature 2012, 487, 459.
12. S. Hormoz, S. Ramanathan, Solid-State Electron. 2010, 54, 654.
13. T. Kopp, J. Mannhart, J. Appl. Phys. 2009, 106, 064504.
14. L. Li, C. Richter, S. Paetel, T. Kopp, J. Mannhart, R. C. Ashoori, Science 2011, 332, 825.
15. Q. Liu, L. Dong, Y. Liu, R. Gordon, P. D. Ye, P. Fay, A. Seabaugh, Solid-State Electron. 2012, 76, 1.
16. C. Cen, S. Thiel, J. Mannhart, J. Levy, Science 2009, 323, 1026.
17. T. Yajima, Y. Hikita, H. Y. Hwang, Nat. Mater. 2011, 10, 198.
18. B. Förg, C. Richter, J. Mannhart, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 053506.
19. R. Jany, M. Breitschaft, G. Hammerl, A. Horsche, C. Richter, S. Paetel, J. Mannhart, N. Stucki, N. Reyren, S. Gariglio, P. Zubko, A. D. Caviglia, J.-M. Triscone, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 183504.
20. G. Cheng, P. F. Siles, F. Bi, C. Cen, D. F. Bogorin, C. W. Bark, C. M. Folkman, J.-W. Park, C.-B. Eom, G. Medeiros-Ribeiro, J. Levy, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 343.
21. A. Ohtomo, D. A. Muller, J. L. Grazul, H. Y. Hwang, Nature 2002, 419, 378.
22. Y. Kozuka, M. Kim, C. Bell, B. G. Kim, Y. Hikita, H. Y. Hwang, Nature 2009, 462, 487.
23. A. D. Caviglia, S. Gariglio, C. Cancellieri, B. Sacépé, A. Fête, N. Reyren, M. Gabay, A. F. Morpurgo, J.-M. Triscone, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 236802.
24. M. B. Shalom, A. Ron, A. Palevski, Y. Dagan, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 206401.
25. J. Son, P. Moetakef, B. Jalan, O. Bierwagen, N. J. Wright, R. Engel-Herbert, S. Stemmer, Nat. Mater. 2010, 9, 482.
26. P. Moetakef, D. G. Ouellette, J. R. Williams, S. James Allen, L. Balents, D. Goldhaber-Gordon, S. Stemmer, Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 151604.
27. Y. Z. Chen, N. Bovet, F. Trier, D. V. Christensen, F. M. Qu, N. H. Andersen, T. Kasama, W. Zhang, R. Giraud, J. Dufouleur, T. S. Jespersen, J. R. Sun, A. Smith, J. Nygard, L. Lu, B. Büchner, B. G. Shen, S. Linderoth, N. Pryds, Nat. Commun. 2013, 4, 1371.
28. M. Huijben, G. Koster, M. K. Kruize, S. Wenderich, J. Verbeeck, S. Bals, E. Slooten, B. Shi, H. J. A. Molegraaf, J. E. Kleibeuker, S. van Aert, J. B. Goedkoop, A. Brinkman, D. H. A. Blank, M. S. Golden, G. van Tendeloo, H. Hilgenkamp, G. Rijnders, Adv. Funct. Mater. 2013; DOI: 10.1002/adfm.201203355.
29. Y. Xie, C. Bell, Y. Hikita, S. Harashima, H. Y. Hwang, Adv. Mater. 2013. DOI: 10.1002/adma.201301798.
30. A. Ohtomo, H. Y. Hwang, Nature 2004, 427, 423;
31. M. Breitschaft, V. Tinkl, N. Pavlenko, S. Paetel, C. Richter, J. R. Kirtley, Y. C. Liao, G. Hammerl, V. Eyert, T. Kopp, J. Mannhart, Phys. Rev. B 2010, 81, 153414.
32. M. Breitschaft, V. Tinkl, N. Pavlenko, S. Paetel, C. Richter, J. R. Kirtley, Y. C. Liao, G. Hammerl, V. Eyert, T. Kopp, J. Mannhart, Phys. Rev. B 2010, 81, 153414.
33. S. Thiel, G. Hammerl, A. Schmehl, C. W. Schneider, J. Mannhart, Science 2006, 313, 1942.
34. P. D. Eerkes, W. G. van der Wiel, H. Hilgenkamp, arXiv 2013, http://arxiv.org/abs/1306.5673.
35. D. Rakhmilevitch, I. Neder, M. Ben Shalom, A. Tsukernik, M. Karpovski, Y. Dagan, A. Palevski, arXiv 2013, http://arxiv.org/abs/1301.1055.
36. M. Hosoda, Y. Hikita, H. Y. Hwang, C. Bell, Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 103507.
37. F. A. Kröger, The Chemistry of Imperfect Crystals, North Holland Publ. Co. Amsterdam 1974.
38. M.-W. Chu, I. Szafraniak, R. Scholz, C. Harnagea, D. Hesse, M. Alexe, U. Gösele, Nat. Mater. 2004, 3, 87.
39. R. R. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison Wesley Longman, 1996, p. 542.
40. P. M. Solomon, in Device Proposals Beyond Silicon CMOS (Eds:, S. Luryi, J. Xu, A. Zaslavsky,), Wiley, Hoboken, NJ, USA 2010.
41. X. Luo, Y. S. Oh, A. Sirenko, P. Gao, T. A. Tyson, K. Char, S.-W. Cheong, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 172112.
42. C. W. Schneider, S. Thiel, G. Hammerl, C. Richter, J. Mannhart, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 122101.
43. D. A. Muller, L. Fitting Kourkoutis, M. Murfitt, J. H. Song, H. Y. Hwang, J. Silcox, N. Dellby, O. L. Krivanek, Science 2008, 319, 1073.