Wide operational margin capability of 1 kbit spin-transfer-torque memory array chip with 1-PMOS and 1-bottom-pin-magnetic-tunnel-junction type cell

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 53, Issue 4 SPEC. ISSUE, 2014, Pages

  Koike, Hiroki ^a   Ohsawa, Takashi ^a   Miura, Sadahiko ^b   Honjo, Hiroaki ^b   Ikeda, Shoji ^a   Hanyu, Takahiro ^a   Ohno, Hideo ^a   Endoh, Tetsuo ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b NEC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

PHYSICAL PROPERTIES; PHYSICS;

CURRENT MAGNITUDES; EFFECTIVE SOLUTION; MAGNETIC TUNNEL JUNCTION; OPERATION MARGIN; OPTIMAL COMBINATION; P-I-N STRUCTURE; SPIN TRANSFER TORQUE; TEST ELEMENT GROUPS;

MAGNETIC DEVICES;

EID: 84903277273     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.53.04ED13     Document Type: Conference Paper

References (31)

1. T. Kawahara, R. Takemura, K. Miura, J. Hayakawa, S. Ikeda, Y. M. Lee, R. Sasaki, Y. Goto, K. Ito, T. Meguro, F. Matsukura, H. Takahashi, H. Matsuoka, and H. Ohno, IEEE J. Solid-State Circuits 43, 109 (2008).
2. K. Tsuchida, T. Inaba, K. Fujita, Y. Ueda, T. Shimizu, Y. Asao, T. Kajiyama, M. Iwayama, K. Sugiura, S. Ikegawa, T. Kishi, T. Kai, M. Amano, N. Shimomura, H. Yoda, and Y. Watanabe, Int. Solid-State Circuits Conf. Dig. Tech. Pap., 2010, p. 258.
3. R. Takemura, T. Kawahara, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, N. Matsuzaki, K. Ono, M. Yamanouchi, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, H. Hasegawa, H. Matsuoka, and H. Ohno, IEEE J. Solid-State Circuits 45, 869 (2010).
4. S. Chung, K.-M. Rho, S.-D. Kim, H.-J. Suh, D.-J. Kim, H. J. Kim, S. H. Lee, J.-H. Park, H.-M. Hwang, S.-M. Hwang, J.-Y. Lee, Y.-B. An, J.-U. Yi, Y.-H. Seo, D.-H. Jung, M.-S. Lee, S.-H. Cho, J.-N. Kim, G.-J. Park, G. Jin, A. Driskill-Smith, V. Nikitin, A. Ong, X. Tang, Y. Kim, J.-S. Rho, S.-K. Park, S.-W. Chung, J.-G. Jeong, and S. J. Hong, IEDM Tech. Dig., 2010, p. 304.
5. J. P. Kim, T. Kim, W. Hao, H. M. Rao, K. Lee, X. Zhu, X. Li, W. Hsu, S. H. Kang, N. Matt, and N. Yu, Symp. VLSI Circuits Dig. Tech. Pap., 2011, p. 296.
6. E. Chen, D. Apalkov, A. Driskill-Smith, A. Khvalkovskiy, D. Lottis, K. Moon, V. Nikitin, A. Ong, X. Tang, S. Watts, R. Kawakami, M. Krounbi, S. A. Wolf, S. J. Poon, J. W. Lu, A. W. Ghosh, M. Stan, W. Butler, T. Mewes, S. Gupta, C. K. A. Mewes, P. B. Visscher, and R. A. Lukaszew, IEEE Trans. Magn. 48, 3025 (2012).
7. H.-C. Yu, K.-C. Lin, K.-F. Lin, C.-Y. Huang, Y.-D. Chih, T.-C. Ong, J. Chang, S. Natarajan, and L. C. Tran, Int. Solid-State Circuits Conf. Dig. Tech. Pap., 2013, p. 224.
8. Y. J. Lee, G. Jan, Y. J. Wang, K. Pi, T. Zhong, R. Y. Tong, V. Lam, J. Teng, K. Huang, R. R. He, S. Le, T. Torng, J. DeBrosse, T. Maffitt, C. Long, W. J. Gallagher, and P. K. Wang, IEEE Int. Symp. VLSI Technology, Systems, and Applications, 2013, TR34.
9. N. D. Rizzo, D. Houssameddine, J. Janesky, R. Whig, F. B. Mancoff, M. L. Schneider, M. DeHerrera, J. J. Sun, K. Nagel, S. Deshpande, H.-J. Chia, S. M. Alam, T. Andre, S. Aggarwal, and J. M. Slaughter, IEEE Trans. Magn. 49, 4441 (2013).
10. S. Mangin, D. Ravelosona, J. A. Katine, M. J. Carey, B. D. Terris, and E. E. Fullerton, Nat. Mater. 5, 210 (2006).
11. H. Meng and J.-P. Wang, Appl. Phys. Lett. 88, 172506 (2006).
12. T. Kishi, H. Yoda, T. Kai, T. Nagase, E. Kitagawa, M. Yoshikawa, K. Nishiyama, T. Daibou, M. Nagamine, M. Amano, S. Takahashi, M. Nakayama, N. Shimomura, H. Aikawa, S. Ikegawa, S. Yuasa, K. Yakushiji, H. Kubota, A. Fukushima, M. Oogane, T. Miyazaki, and K. Ando, IEDM Tech. Dig., 2008, p. 309.
13. S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, Nat. Mater. 9, 721 (2010).
14. G. Jan, Y.-J. Wang, T. Moriyama, Y.-J. Lee, M. Lin, T. Zhong, R.-Y. Tong, T. Torng, and P.-K. Wang, Appl. Phys. Express 5, 093008 (2012).
15. W. Kim, J. H. Jeong, Y. Kim, W. C. Lim, J. H. Kim, J. H. Park, H. J. Shin, Y. S. Park, K. S. Kim, S. H. Park, Y. J. Lee, K. W. Kim, H. J. Kwon, H. L. Park, H. S. Ahn, S. C. Oh, J. E. Lee, S. O. Park, S. Choi, H. K. Kang, and C. Chung, IEDM Tech. Dig., 2011, p. 531.
16. D. C. Worledge, M. Gajek, D. W. Abraham, S. Brown, M. C. Gaidis, G. Hu, J. Nowak, E. J. O'Sullivan, R. P. Robertazzi, J. Z. Sun, P. L. Trouilloud, and W. J. Gallagher, IEEE Int. Memory Workshop, 2012, p. 69.
17. J.-H. Park, Y. Kim, W. C. Lim, J. H. Kim, S. H. Park, J. H. Kim, W. Kim, K. W. Kim, J. H. Jeong, K. S. Kim, H. Kim, Y. J. Lee, S. C. Oh, J. E. Lee, S. O. Park, S. Watts, D. Apalkov, V. Nikitin, M. Krounbi, S. Jeong, S. Choi, H. K. Kang, and C. Chung, Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2012, p. 57.
18. H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, IEEE Trans. Magn. 49, 4437 (2013).
19. M. Bowen, V. Cros, F. Petroff, A. Fert, C. Martínez Boubeta, J. L. Costa- Krämer, J. V. Anguita, A. Cebollada, F. Briones, J. M. de Teresa, L. Morellón, M. R. Ibarra, F. Güell, F. Peiró, and A. Cornet, Appl. Phys. Lett. 79, 1655 (2001).
20. J. Faure-Vincent, C. Tiusan, E. Jouguelet, F. Canet, M. Sajieddine, C. Bellouard, E. Popova, M. Hehn, F. Montaigne, and A. Schuhl, Appl. Phys. Lett. 82, 4507 (2003).
21. Z. Diao, D. Apalkov, M. Pakala, Y. Ding, A. Panchula, and Y. Huai, Appl. Phys. Lett. 87, 232502 (2005).
22. W. Zhu, H. Li, Y. Chen, and X. Wang, IEEE Trans. Magn. 47, 156 (2011).
23. Y. Zhang, X. Wang, Y. Li, A. K. Jones, and Y. Chen, IEEE Design, Automation and Test in Europe Conf. Exhib., 2012, p. 1313.
24. N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, H. Honjo, T. Sugibayashi, H. Koike, T. Ohsawa, S. Fukami, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh, IEEE Int. Symp. Circuits and Systems, 2012, p. 1971.
25. H. Koike, T. Ohsawa, and T. Endoh, Int. Workshop Computational Electronics, 2013, p. 246.
26. H. Koike and T. Endoh, Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2011, p. 961.
27. H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh, Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2013, p. 1094.
28. Y. M. Lee, C. Yoshida, K. Tsunoda, S. Umehara, M. Aoki, and T. Sugii, Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2010, p. 49.
29. C. Yoshida, T. Takenaga, Y. Iba, Y. Yamazaki, H. Noshiro, K. Tsunoda, A. Hatada, M. Nakabayashi, A. Takahashi, M. Aoki, and T. Sugii, IEEE Trans. Magn. 49, 4363 (2013).
30. Y. Iba, C. Yoshida, A. Hatada, M. Nakabayashi, A. Takahashi, Y. Yamazaki, H. Noshiro, K. Tsunoda, T. Takenaga, M. Aoki, and T. Sugii, Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2013, p. 136.
31. C. J. Lin, S. H. Kang, Y. J. Wang, K. Lee, X. Zhu, W. C. Chen, X. Li, W. N. Hsu, Y. C. Kao, M. T. Liu, W. C. Chen, Y. C. Lin, M. Nowak, N. Yu, and L. Tran, IEDM Tech. Dig., 2009, p. 279.