Nonlinear modelling of dispersive photodiodes based on frequency-and time-domain measurements

1996 26th European Microwave Conference, EuMC 1996

Volumn 1, Issue , 1996, Pages 379-382

  Stolze, A ^a   Kompa, G ^a  

^a UNIVERSITY OF KASSEL   (Germany)

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ELECTRIC NETWORK TOPOLOGY; EQUIVALENT CIRCUITS; NONLINEAR SYSTEMS; PARAMETER ESTIMATION; RADAR SYSTEMS;

ELECTRICAL MODELING; EQUIVALENT NETWORK; MEASUREMENT SETUP; NON-LINEAR MODELLING; NONLINEAR DISPERSIVE; NONLINEAR EQUIVALENT CIRCUIT; PHYSICAL PARAMETERS; TIME DOMAIN MEASUREMENT;

PHOTODIODES;

EID: 84897567140     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/EUMA.1996.337594     Document Type: Conference Paper

References (12)

1. Zhang, J.M., Conn, D.R.: State-space Modeling of the PIN Photodetector, Journal of Lightwave Technology, Vol. 10, no. 5, 1992, pp. 603-609.
2. Unlu, M. S. et al: Transient simulation of resonant cavity enhanced heterojunction photodiodes, IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 4, No. 12, 1992, pp. 1366-1369.
3. Kuhl, D. et al: High-speed metal-semiconductor-metal photodiodes in InP:Fe, IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 2, No. 8, 1990, pp:574-575.
4. Bowers, J.E. et al: InGaAs PIN Photodetectors with Modulation Response to Millimetre Wavelengths, in: Electronics Letters, Vol. 21, No. 18, 29. August 1985, pp. 812-814.
5. Stolze, A.: Breitßandige melßtechnische Charakterisierung und Modellierung von Sperrschicht-Photodioden fur den gezielten rechnergestutzten Entwurf von opto-elektronischen Breitbanddetektoren, Dissertation University of Kassel, Fortschrittberichte-VDI, Reihe 9, Nr. 230, VDI-Verlag, 1996.
6. Bangert, A.: Optisch steuerbare monolithisch integrierte Hochfrequenzoszillatoren auf der Basis von GaAsHeterostraktur- Feldeffekttransistoren, Dissertation University of Kassel, Fortschrittberichte VDI, Reihe 9, Nr.191, VDI-Verlag, 1994.
7. Camacho-Peñalosa, C., Aitchison, C.S. Modelling Frequency Dependence of Output Impedance of a Microwave MESFET at Low Frequencies, Electronics Letters, Vol. 21, No. 12, 1985, pp. 528-529.
8. Kompa, G.: Modelling of Dispersive Microwave FET Devices using a Quasi-static Approach, International Journal of Microwave and Millimeter-Wave Computer-Aided Engineering, Vol. 5, No. 3, 1995, pp. 173-194.
9. Stolze, A. et al: Experimentelle Modellierung von ultraschnellen MSM-Photodioden mit hoher Modellparameter-Extraktionsschärfe, MIOP'93 (Mikrowellen und Optronik), Sindelfingen 25-27. Mai 1993, S.357-361.
10. Sze, M.: Physics of Semiconductor Devices, Second Edition, New York: John Wiley & Sons, 1981.
11. Volpe, F.P.: Erzeugung von optischen Pikosekundenimpulsen hoher Leistung mit Halbleiterlasern zur Nahbereichs-Entfernungsmessung mit Submillimetermelßgenauigkeit, Dissertation University of Kassel, Fortschrittberichte-VDI, Reihe 9, Nr. 202, VDI-Verlag, 1995.
12. Kompa, G. et al: Pikosekunden Laserradar und faseroptisches Abtastsystem wr dynamischen on-line Konturvermessung, 3D-Objektvermessung auf grollere Entfernungen, VDI-Verlag, 1995, pp. 1-14.