Monolayer hexagonal boron nitride films with large domain size and clean interface for enhancing the mobility of graphene-based field-effect transistors

Advanced Materials

Volumn 26, Issue 10, 2014, Pages 1559-1564

  Wang, Lifeng ^a,b   Wu, Bin ^a   Chen, Jisi ^a   Liu, Hongtao ^a   Hu, Pingan ^b   Liu, Yunqi ^a  

^a INSTITUTE OF CHEMISTRY   (China)

^b HARBIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

chemical vapor deposition; electronic devices; graphene; hexagonal boron nitride; interfaces

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GRAPHENE; INTERFACES (MATERIALS); MONOLAYERS;

EFFECTIVE SIZE; ELECTRONIC DEVICE; GRAPHENE DEVICES; HEXAGONAL BORON NITRIDE; HEXAGONAL BORON NITRIDE FILMS; INTERFACIAL PROPERTY; LARGE DOMAIN; OPTICAL VISUALIZATION;

BORON NITRIDE;

EID: 84895919926     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201304937     Document Type: Article

References (25)

1. A. K. Geim, I. V. Grigorieva, Nature 2013, 499, 419-425.
2. K. Watanabe, T. Taniguchi, H. Kanda, Nat. Mater. 2004, 3, 404-409.
3. L. Song, L. Ci, H. Lu, P. B. Sorokin, C. H. Jin, J. Ni, A. G. Kvashnin, D. G. Kvashnin, J. Lou, B. I. Yakobson, P. M. Ajayan, Nano Lett. 2010, 10, 3209-3215.
4. Y. Chen, J. Zou, S. J. Campbell, G. Le Caer, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2430-2432.
5. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722-726.
6. K. K. Kim, A. Hsu, X. T. Jia, S. M. Kim, Y. M. Shi, M. Dresselhaus, T. Palacios, J. Kong, ACS Nano 2012, 6, 8583-8590.
7. K. H. Lee, H. J. Shin, J. Lee, I. Lee, G. H. Kim, J. Y. Choi, S. W. Kim, Nano Lett. 2012, 12, 714-718.
8. M. Wang, S. K. Jang, W. J. Jang, M. Kim, S. Y. Park, S. W. Kim, S. J. Kahng, J. Y. Choi, R. S. Ruoff, Y. J. Song, S. Lee, Adv. Mater. 2013, 25, 2746-2752.
9. Y. M. Shi, C. Hamsen, X. T. Jia, K. K. Kim, A. Reina, M. Hofmann, A. L. Hsu, K. Zhang, H. N. Li, Z. Y. Juang, M. S. Dresselhaus, L. J. Li, J. Kong, Nano Lett. 2010, 10, 4134-4139.
10. K. K. Kim, A. Hsu, X. T. Jia, S. M. Kim, Y. M. Shi, M. Hofmann, D. Nezich, F. Joaquin, M. Dresselhaus, T. Palacios, J. Kong, Nano Lett. 2012, 12, 161-166.
11. G. Kim, A.-R. Jang, H. Y. Jeong, Z. Lee, D. J. Kang, H. S. Shin, Nano Lett. 2013, 13, 1834-1839.
12. W. Auwärter, H. U. Suter, H. Sachdev, T. Greber, Chem. Mater. 2004, 16, 343-345.
13. Y. Gao, W. C. Ren, T. Ma, Z. B. Liu, Y. Zhang, W. B. Liu, L. P. Ma, X. L. Ma, H. M. Cheng, ACS Nano 2013, 7, 5199-5206.
14. A. Ismach, H. Chou, D. A. Ferrer, Y. P. Wu, S. McDonnell, H. C. Floresca, A. Covacevich, C. Pope, R. Piner, M. J. Kim, R. M. Wallace, L. Colombo, R. S. Ruoff, ACS Nano 2012, 6, 6378-6385.
15. S. M. Kim, A. Hsu, P. T. Araujo, Y. Lee, T. Palacios, M. Dresselhaus, J. Idrobo, K. K. Kim, J. Kong, Nano Lett. 2013, 13, 933-941.
16. F. Baitalow, J. Baumann, G. Wolf, K. Jaenicke-Robler, G. Leitner, Thermochemical. Acta 2002, 391, 159-168.
17. S. Frueh, R. Kellett, C. Mallery, T. Molter, W. S. Willis, C. King'ondu, S. L. Suib, Inorg. Chem. 2011, 50, 783-792.
18. H. Wang, G. Z. Wang, P. F. Bao, S. L. Yang, W. Zhu, X. Xie, W. J. Zhang, J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 3627-3630.
19. B. Wu, D. C. Geng, Y. L. Guo, L. P. Huang, Y. Z. Xue, J. Zheng, J. Y. Chen, G. Yu, Y. Q. Liu, L. Jiang, W. P. Hu, Adv. Mater. 2011, 23, 3522-3525.
20. T. H. Yuzuriha, D. W. Hess, Thin Solid Films 1986, 140, 199-207.
21. D. M. Hoffman, G. L. Doll, P. C. Eklund, Phys. Rev. B 1984, 30, 6051.
22. X. Blasé, A. Rubio, S. G. Louie, M. L. Cohen, Phys. Rev. B 1995, 51, 6868-6875.
23. D. C. Geng, B. Wu, Y. L. Guo, L. P. Huang, Y. Z. Xue, J. Y. Chen, G. Yu, L. Jiang, W. P. Hu, Y. Q. Liu, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2012, 109, 7992-7996.
24. B. Wu, D. C. Geng, Z. P. Xu, Y. L. Guo, L. P. Huang, Y. Z. Xue, J. Y. Chen, G. Yu, Y. Q. Liu, NPG Asia Mater. 2013, 5, e36.
25. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S. K. Saha, U. V. Waghmare, K. S. Novoselov, H. R. Krishnamurthy, A. K. Geim, A. C. Ferrari, A. K. Sood, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 210-215.