Ferroelectric lithography

Scanning Probe Microscopy

Volumn 2, Issue , 2007, Pages 906-928

  Li, Dongbo ^a   Bonnell, Dawn A ^a  

^a UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84891474218     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Book    
DOI: 10.1007/978-0-387-28668-6_34     Document Type: Chapter

References (57)

1. R. Ramesh, Thin Film Ferroelectric Materials and Devices (Kluwer Academic Publishers, Boston/Dordrecht/London, 1997).
2. James F. Scott and Carlos A. Paz de Araujo, Science 246, 1400(1989).
3. J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh, Science 299, 1719(2003).
4. A. Gruverman, O. Auciello, and H. Tokumoto, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 602(1996).
5. D. A. Bonnell and R. Shao, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 7, 161(2003).
6. C. S. Ganpule, V. Nagarajan, S. B. Ogale, A. L. Roytburd, E. D. Williams, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 77, 3275(2000).
7. A. Gruverman, B. J. Rodriguez, A. I. Kingon, R. J. Nemanich, A. K. Tagantsev, J. S. Cross, and M. Tsukada, Appl. Phys. Lett. 83, 728(2003).
8. E. L. Colla, Seungbum Hong, D. V. Taylor, A. K. Tagantsev, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. 72, 2763(1998).
9. M. Grossmann, O. Lohse, D. Bolten, U. Boettger, and R. Waser, J. Appl. Phys. 92, 2688(2002);
10. M. Grossmann, O. Lohse, D. Bolten, U. Boettger, T. Schneller, and R. Waser, J. Appl. Phys. 92, 2680(2002);
11. P. Gerber, C. Kügeler, U. Ellerkmann, P. Schorn, U. Böttger, and R. Waser, Appl. Phys. Lett. 86, 112908(2005).
12. S. Matsushima, S. Kohiki and M. Oku, J. Ceram. Soc. Japan 108, 952(2000);
13. M. Oku, K. Wagatsuma, and S. Kohiki, Phys. Chem. Chem. Phys. 1, 5327(1999);
14. L. T. Hudson, R. L. Kurtz, S. W. Robey, D. Temple and R. L. Stockbauer, Phys. Rev. B 47, 10832(1993).
15. T. Shimizu, H. Bando, Y. Aiura, Y. Haruyama, K. Oka and Y. Nishihara. Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1305(1995);
16. H. Bando, T. Shimitzu, Y. Aiura, Y. Haruyama, K. Oka and Y. Nishihara. J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1060(1996).
17. S. V. Kalinin, D. A. Bonnell, T. Alvarez, X. Lei, Z. Hu, R. Shao, J. H. Ferris, Adv. Mater. 16, 795(2004).
18. S. V. Kalinin, D. A. Bonnell, T. Alvarez, X. Lei, Z. Hu, J. Ferris, Q. Zhang and S. Dunn, Nano Letters 2, 589(2002).
19. R. Lüthi, H. Haefke, K.-P. Meyer, L. Howald, and H.-J. Güntherodt, J. Appl. Phys. 74, 7461(1993).
20. A. Gruverman, O. Kolosov, J. Hatano, K. Takahashi, and H. Tokumoto, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1095(1995).
21. Seungbum Hong, Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films (Kluwer Academic Publishers, Boston/Dordrecht/New York/London, 2003).
22. M. Alexe and A. Gruverman, Nanoscale Characterization of Ferroelectric Materials: Scanning Probe Microscopy Approach (Springer, 2004).
23. S. V. Kalinin and D. A. Bonnell, Phys. Rev. B 65, 125408(2002).
24. Paula Maria Vilarinho, Yossi Rosenwaks and Angus Kingon, Scanning Probe Microscopy: Characterization, Nanofabrication and Device Application of Functional Materials.. (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht/Boston/London, 2002).
25. S. V. Kalinin and D. A. Bonnell, J. Appl. Phys. 87, 3950(2000).
26. S. V. Kalinin and D. A. Bonnell, Appl. Phys. Lett. 78, 1116(2001).
27. S. V. Kalinin and D. A. Bonnell, Zeitschrift fuer Metallkund 90, 983(1999).
28. S. V. Kalinin and D. A. Bonnell, Phys. Rev. B. 63, 125411(2001).
29. S. V. Kalinin, C. Y. Johnson and D. A. Bonnell, J. Appl. Phys. 91, 3816(2002).
30. G. L. Pearson and W. L. Feldmann, J. Phys. Chem. Solids 9, 28(1958).
31. J. Padilla and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B. 56, 1625(1997).
32. S. Piskunov, E. A. Kotomin, E. Heifets, J. Maier, R. I. Eglitis and G. Borstel, Surf. Sci. 575, 75(2005);
33. R. I. Eglitis, S. Piskunov, E. Heifets, E. A. Kotomin and G. Borstel, Ceram. Int. 30, 1989(2004).
34. A. Gruverman, B. J. Rodriguez, R. M. Nemanich, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 92, 2734(2002).
35. S. V. Kalinin and D. A. Bonnell, Nano Lett. 4, 555(2004).
36. J. Lü, E. Delamarche, L. Eng, R. Bennewitz, E. Meyer and H.-J. Güntherodt, Langmuir 15, 8184(1999).
37. H. R. Zeng, Q. R. Yin, G. R. Li, H. S. Luo, and Z. K. Xu, J. Crystal Growth 254, 432(2003).
38. C. S. Ganpule, A. Stanishevsky, S. Aggarwal, J. Melngailis, E. Williams, R. Ramesh, V. Joshi, and C. Paz de Araujo, Appl. Phys. Lett. 75, 3874(1999).
39. A. V. Bune, V. M. Fridkin, S. Ducharme, L. M. Blinov, S. P. Palto, A. V. Sorokin, S. Yudin, and A. Zlatkin, Nature 391, 874(1998).
40. A. Kumar, H. A. Biebuyck and G. M. Whitesides, Langmuir 10, 1498(1994).
41. T. Tybell, C. H. Ahn, and J.-M. Triscone, Appl. Phys. Lett. 72, 1454(1998);
42. L. M. Eng, M. Bammerlin, C. Loppacher, M. Guggisberg, R. Bennewitz, R. Luthi, E. Meyer, T. Huser, H. Heinzelmann and H. J. Guntherodt, Ferroelectrics 222, 411(1999).
43. M. Yamada and K. Kishima, Electronics Letters 27, 828(1991).
44. J. He, S. H. Tang, Y. Q. Qin, P. Dong, H. Z. Zhang, C. H. Kang, W. X. Sun, and Z. X. Shen, J. Appl. Phys. 93, 9943(2003).
45. J. H. Ferris, D. B. Li, S. V. Kalinin, and D. A. Bonnell, Appl. Phys. Lett. 84, 774(2004).
46. T. Thome, D. Braga, and G. Blaise, J. Appl. Phys. 95, 2619(2004).
47. J. Cazaux, J. Appl. Phys. 59, 1418(1986).
48. R. Coelho, B. Aladeniz, B. Garros, D. Acroute and P. Mirebeau, IEEE Tran. Dielectr. Electr. Insul. 6, 202(1999).
49. R. Renoud, F. Mady, and J.-P. Ganachaud, J. Phys.: Condens. Matter 14, 231(2002).
50. K. Kanaya and S. Okayama, J. Phys. D 5, 43(1972).
51. P. A. Morris Hotsenpiller, J. D. Bolt, W. E. Farneth, J. B. Lowekamp, and G. S. Rohrer, J. Phys. Chem. B 102, 3216(1998).
52. J. B. Lowekamp, G. S. Rohrer, P. A. Morris Hotsenpiller, J. D. Bolt, and W. E. Farneth, J. Phys. Chem. B 102, 7323(1998).
53. J. L. Giocondi and G. S. Rohrer, Chem. Mater. 13, 241(2001).
54. J. L. Giocondi and G. S. Rohrer, J. Am. Ceram. Soc. 86, 1182(2003).
55. J. L. Giocondi and Gregory S. Rohrer, J. Phys. Chem. B 105, 8275(2001).
56. Xiaojun Lei, Dongbo Li, Rui Shao, and Dawn A. Bonnell, J. Mater. Res. 20, 712(2005).
57. http://www.webelements.com.