Comparison between blue lasers and light-emitting diodes for future solid-state lighting

Laser and Photonics Reviews

Volumn 7, Issue 6, 2013, Pages 963-993

  Wierer, Jonathan J ^a   Tsao, Jeffrey Y ^a   Sizov, Dmitry S ^b  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^b One Science Center Dr ^*  (United States)

Author keywords

AlInGaN; Areal chip cost; Auger recombination; Blue lasers; Cost of light; Efficiency droop; Gain; Heat management; Heat sink; III nitride; InGaN; Laser diodes; LDs; LEDs; Light emitting diodes; PC LEDs; Phosphor converted LEDs; Power conversion efficiency; Quantum efficiency; Semiconductor laser; Semipolar GaN; Solid state lighting; Thermal management

Indexed keywords

ALINGAN; AUGER RECOMBINATION; BLUE LASERS; CHIP COST; EFFICIENCY DROOPS; GAIN; HEAT MANAGEMENT; III-NITRIDE; INGAN; LDS; LEDS; PC-LEDS; PHOSPHOR-CONVERTED LEDS; POWER CONVERSION EFFICIENCIES; SEMIPOLAR GAN; SOLID STATE LIGHTING;

CONVERSION EFFICIENCY; DIODES; EFFICIENCY; ENGINES; HEAT SINKS; LIGHT; LIGHTING; PHOTONS; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTOR LASERS; STIMULATED EMISSION; TEMPERATURE CONTROL;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 84887139976     PISSN: 18638880     EISSN: 18638899     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/lpor.201300048     Document Type: Article

References (158)

1. R. Haitz and J. Y. Tsao, Phys. Status Solidi A 208, 17-29 (2011).
2. M. G. Craford, in: High Brightness Light Emitting Diodes, Semiconductors and Semimetals, Vol. 48 Academic Press, San Diego (1997), Chap. 2.
3. E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes, Cambridge University Press, Cambridge (2003).
4. Y. Shiimizu, K. Sakano, Y. Noguchi, and T. Moriguchi, Patent No. US6614179 (2003).
5. R. Mueller-Mach, G. O. Mueller, M. R. Krames, and T. Trottier, IEEE J. Selec. Top. Quantum Elec. 8, 339-345 (2002).
6. R. Mueller-Mach, G. Mueller, M. R. Krames, H. A. Hoppe, F. Stadler, W. Schnick, T. Juestel, and P. Schmidt, Phys. Status Solidi A 202, 1727-1732 (2005).
7. Y. C. Shen, G. O. Mueller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
8. M. R. Krames, O. B. Shchekin, R. Mueller-Mach, G. O. Mueller, L. Zhou, G. Harbers, and M. G. Craford, J. Disp. Technol. 3, 160-175 (2007).
9. M. H. Crawford, IEEE J. Sel. Top. Quantum 15, 1028-1040 (2009).
10. J. Piprek, Phys. Status Solidi A 207, 2217-2225 (2010).
11. J. Cho, E. F. Schubert, and J. K. Kim, Laser Photon. Rev. 6, 408-421 (2013).
12. C. Vierheilig, C. Eichler, S. Tautz, A. Lell, J. Muller, F. Kopp, B. Stojetz, T. Hager, G. Bruderl, A. Avramescu, T. Lermer, J. Ristic, and U. Strauss, Proc. SPIE - Int. Soc. Opt. Eng. 8277, 82770K82771-82777 (2012).
13. S. Nagahama, presented at the International Workshop on Nitride Semiconductors, Sapporo, Japan (2012).
14. Philips-Lumileds, LUXEON Rebel Color Porfolio Datasheet DS68 20111201, 2011.
15. N. Holonyak and S. F. Bevacqua, Appl. Phys. Lett. 1, 82-83 (1962).
16. H. Manchester, Light of Hope or Terror?, Readers Digest, 97-100 (1963).
17. S. Saito, Y. Hattori, M. Sugai, Y. Harada, H. Jongil, and S. Nunoue, 2008 IEEE 21st International Semiconductor Laser Conference, 185-186 (2008).
18. T. Kozaki, S. Nagahama, and T. Mukai, Proc. SPIE 6485, Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV 6485, 48503-48503 (2007).
19. M. Conner, BMW's laser headlights: the future of solid-state lighting? UBM Tech, London (2011), http://www.edn.com/electronics-blogs/other/4368481/
20. P. C. Hung and J. Y. Tsao, IEEE J. Disp. Technol. 9, 405-412 (2013).
21. A. Neumann, J. J. Wierer, W. Davis, Y. Ohno, S. R. J. Brueck, and J. Y. Tsao, Opt. Exp. 19, A982-A990 (2011).
22. E. F. Schubert and J. K. Kim, Science 308, 1274-1278 (2005).
23. L. A. Coldren, S. W. Corzine, and M. Mashanovitch, Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits, Wiley, Hoboken, N.J. (2012).
24. S. L. Chuang, Physics of Optoelectronic Devices, Wiley, New York (1995), 717 p.
25. A. David and M. J. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 96, 103504 (2010).
26. E. Kioupakis, P. Rinke, K. T. Delaney, and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 98 (2011).
27. J. Hader, J. V. Moloney, and S. W. Koch, Proc. SPIE, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XIV 6115, T1151-T1151 (2006).
28. J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
29. Q. Dai, Q. F. Shan, J. Wang, S. Chhajed, J. Cho, E. F. Schubert, M. H. Crawford, D. D. Koleske, M. H. Kim, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 97, 133507 (2010).
30. G. B. Lin, D. Meyaard, J. Cho, E. F. Schubert, H. Shim, and C. Sone, Appl. Phys. Lett. 100, 161106 (2012).
31. Q. Dai, Q. F. Shan, J. Cho, E. F. Schubert, M. H. Crawford, D. D. Koleske, M. H. Kim, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 98, 033506 (2011).
32. I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T. J. Gmitter, and A. Scherer, Appl. Phys. Lett. 63, 2174-2176 (1993).
33. V. Haerle, B. Hahn, S. Kaiser, A. Weimar, S. Bader, F. Eberhard, A. Plossl, and D. Eisert, Phys. Status Solidi A 201, 2736-2739 (2004).
34. D. Morita, M. Sano, M. Yamamoto, K. Matoba, K. Yasutomo, K. Akaishi, Y. Kasai, S. Nagahama, and T. Mukai, Quantum Sens. Nanophoton. Devices 5359, 415-421 (2004).
35. O. B. Shchekin, J. E. Epler, T. A. Trottier, T. Margalith, D. A. Steigerwald, M. O. Holcomb, P. S. Martin, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 89, 071109 (2006).
36. T. Fujii, A. David, C. Schwach, P. M. Pattison, R. Sharma, K. Fujito, T. Margalith, S. P. Denbaars, C. Weisbuch, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 2 43, L411-L413 (2004).
37. W. S. Wong, J. Kruger, Y. Cho, B. P. Linder, E. R. Weber, N. W. Cheung, and T. Sands, Proceedings of the Symposium on Light Emitting Devices for Optoelectronic Applications and the Twenty-Eighth State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 98, 377-384 (1998).
38. C. L. Keraly, L. Kuritzky, M. Cochet, and C. Weisbuch, in: III-nitride Based Light Emitting Diodes and Applications Springer, Berlin (2013).
39. Y. Kawaguchi, K. Nishizono, J. S. Lee, and H. Katsuda, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1-Reg. Papers Brief Commun. Rev. Papers 46, 31-34 (2007).
40. J. Kvietkova, L. Siozade, P. Disseix, A. Vasson, J. Leymarie, B. Damilano, N. Grandjean, and J. Massies, Phys. Status Solidi A-Appl. Res. 190, 135-140 (2002).
41. M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
42. I. A. Pope, P. M. Smowton, P. Blood, J. D. Thomson, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 82, 2755-2757 (2003).
43. G. Chen, M. Craven, A. Kim, A. Munkholm, S. Watanabe, M. Camras, W. Gotz, and F. Steranka, Phys. Status Solidi A 205, 1086-1092 (2008).
44. A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
45. A. David and N. F. Gardner, Appl. Phys. Lett. 97, 193508 (2010).
46. M. Ohta, Y. Ohizumi, Y. Hoshina, T. Tanaka, Y. Yabuki, K. Funato, S. Tomiya, S. Goto, and M. Ikeda, Phys. Status Solidi A 204, 2068-2072 (2007).
47. B. G. Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, N.J. (1990), 462 p.
48. M. R. Krames, G. Christenson, D. Collins, L. W. Cook, M. G. Craford, A. Edwards, R. M. Fletcher, N. Gardner, W. Goetz, W. Imler, E. Johnson, R. S. Kern, R. Khare, F. K. Kish, C. Lowery, M. J. Ludowise, R. Mann, M. Maranowski, S. Maranowski, P. S. Martin, J. O'Shea, S. Rudaz, D. Steigerwald, J. Thompson, J. J. Wierer, J. Yu, D. Basile, Y. L. Chang, G. Hasnain, M. Hueschen, K. Killeen, C. Kocot, S. Lester, J. Miller, G. Mueller, R. Mueller-Mach, J. Rosner, R. Schneider, T. Takeuchi, and T. S. Tan, Proc. SPIE 3938, Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications IV 3938, 2-12 (2000).
49. D. Zhu, A. N. Noemaun, M. F. Schubert, J. Cho, E. F. Schubert, M. H. Crawford, and D. D. Koleske, Appl. Phys. Lett. 96, 121110 (2010).
50. N. F. Gardner, G. O. Muller, Y. C. Shen, G. Chen, S. Watanabe, W. Gotz, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 243506 (2007).
51. A. Laubsch, M. Sabathil, W. Bergbauer, M. Strassburg, H. Lugauer, M. Peter, S. Lutgen, N. Linder, K. Streubel, J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, and S. W. Koch, Phys. Status Solidi C: Curr. Top. Solid State Phys., 6(2), S913-S916 (2009).
52. J. Iveland, L. Martinelli, J. Peretti, J. S. Speck, and C. Weisbuch, Phys. Rev. Lett. 110, 5 (2013).
53. S. F. Yu, R. M. Lin, S. J. Chang, J. R. Chen, J. Y. Chu, C. T. Kuo, and Z. Y. Jiao, J. Disp. Technol. 9, 239-243 (2013).
54. C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Exp. 5, 042101 (2012).
55. M. Peter, A. Laubsch, W. Bergbauer, T. Meyer, M. Sabathil, J. Baur, and B. Hahn, Phys. Status Solidi A 206, 1125-1129 (2009).
56. J. R. Jinschek, R. Erni, N. F. Gardner, A. Y. Kim, and C. Kisielowski, Solid State Commun. 137, 230-234 (2006).
57. S. Bruninghoff, C. Eichler, S. Tautz, A. Lell, M. Sabathil, S. Lutgen, and U. Strauss, Phys. Status Solidi A 206, 1149-1152 (2009).
58. E. D. Palik and G. Ghosh, Handbook of Optical Constants of Solids, Academic Press, San Diego (1998).
59. A. David and M. J. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 97, 033501 (2010).
60. B. Ma and J. Kim, Electron Lett. 48, 172-174 (2012).
61. N. Narendran, L. Deng, R. M. Pysar, Y. Gu, and H. Yu, Third International Conference on Solid State Lighting 5187, 267-275 (2004).
62. W. G. Scheibenzuber, U. T. Schwarz, L. Sulmoni, J. Dorsaz, J. F. Carlin, and N. Grandjean, J. Appl. Phys. 109, 093106 (2011).
63. S. Bruninghoff, S. Tautz, M. Sabathil, D. Queren, S. Lutgen, and U. Strauss, Proc. SPIE 7216, Gallium Nitride Materials and Devices IV 7216 (2009).
64. T. Melo, Y. L. Hu, C. Weisbuch, M. C. Schmidt, A. David, B. Ellis, C. Poblenz, Y. D. Lin, M. R. Krames, and J. W. Raring, Semicond. Sci. Technol. 27, 024015 (2012).
65. T. Lermer, A. Gomez-Iglesias, M. Sabathil, J. Muller, S. Lutgen, U. Strauss, B. Pasenow, J. Hader, J. V. Moloney, S. W. Koch, W. Scheibenzuber, and U. T. Schwarz, Appl. Phys. Lett. 98, 021115 (2011).
66. K. Kojima, U. T. Schwarz, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, and T. Mukai, Opt. Exp. 15, 7730-7736 (2007).
67. U. T. Schwarz, H. Braun, K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, and T. Mukai, Proc. SPIE, Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV 6485, 48506-48506 (2007).
68. D. Sizov, R. Bhat, J. Wang, D. Allen, B. Paddock, and C. E. Zah, Phys. Status Solidi A 210, 459-465 (2013).
69. L. Q. Zhang, D. S. Jiang, J. J. Zhu, D. G. Zhao, Z. S. Liu, S. M. Zhang, and H. Yang, J. Appl. Phys. 105, 023104 (2009).
70. H. X. Jiang and J. Y. Lin, Opto-Electron. Rev. 10, 271-286 (2002).
71. T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 65, 593-594 (1994).
72. M. Katsuragawa, S. Sota, M. Komori, C. Anbe, T. Takeuchi, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 189, 528-531 (1998).
73. D. S. Sizov, R. Bhat, A. Heberle, K. C. Song, and C. E. Zah, Appl. Phys. Exp. 3, 122104 (2010).
74. S. Lutgen, D. Dini, I. Pietzonka, S. Tautz, A. Breidenassel, A. Lell, A. Avramescu, C. Eichler, T. Lermer, J. Muller, G. Bruederl, A. Gomez, U. Strauss, W. G. Scheibenzuber, U. T. Schwarz, B. Pasenow, and S. Koch, Proc. SPIE, Novel in-Plane Semiconductor Lasers X 7953, 79530G (2011).
75. M. Schillgalies, A. Laubsch, S. Lutgen, A. Avramescu, G. Bruderl, D. Queren, and U. Strauss, Phys. Status Solidi C 5, 2192-2194 (2008).
76. U. Strauss, C. Eichler, C. Rumbolz, A. Lell, S. Lutgen, S. Tautz, M. Schillgalies, and S. Bruninghoff, Phys. Status Solidi C 5, 2077-2079 (2008).
77. J. Muller, U. Strauss, T. Lermer, G. Bruderl, C. Eichler, A. Avramescu, and S. Lutgen, Phys. Status Solidi A 208, 1590-1592 (2011).
78. K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, H. Braun, U. Schwarz, S. Nagahama, and T. Mukai, Phys. Status Solidi C 5, 2126-2128 (2008).
79. M. Peters, V. Rossin, M. Everett, and E. Zucker, Proc. SPIE, High-Power Diode Laser Technology and Applications V 6456, G4560-G4560 (2007).
80. P. Crump, M. Grimshaw, J. Wang, W. Dong, S. Zhang, S. Das, J. Farmer, and M. DeVito, presented at the Quantum Electronics and Laser Science Conference, Long Beach, CA (2006).
81. T. Fujimoto, Y. Yamada, Y. Yamada, A. Okubo, Y. Oeda, and K. Muro, Proc. SPIE, In-Plane Semiconductor Lasers III 3628, 38-45 (1999).
82. M. A. Bettiati, C. Starck, F. Laruelle, V. Cargemel, P. Pagnod, P. Garabedian, D. Keller, G. Ughetto, J. C. Bertreux, L. Raymond, G. Gelly, and R. M. Capella, Proc. SPIE, High-power Diode Laser Technology and Applications IV 6104, F1040-F1040 (2006).
83. A. Michiue, T. Miyoshi, T. Kozaki, T. Yanamoto, S. Nagahama, and T. Mukai, IEICE Trans. Electron. 92-C, 194-197 (2009).
84. T. Kozaki, H. Matsumura, Y. Sugimoto, S. I. Nagahama, and T. Mukai, Proc. SPIE, Novel In-Plane Semiconductor Lasers V 6133, 13306-13306 (2006).
85. O. H. Nam, K. H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, J. K. Son, H. Y. Ryu, Y. H. Kim, and Y. Park, Phys. Status Solidi A-Appl. Res. 201, 2717-2720 (2004).
86. V. Kummler, A. Lell, V. Harle, U. T. Schwarz, T. Schoedl, and W. Wegscheider, Appl. Phys. Lett. 84, 2989-2991 (2004).
87. M. Ochiai and K. Yasa, Patent No. US 7738524B2.
88. S. Tomiya, T. Hino, S. Goto, M. Takeya, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum 10, 1277-1286 (2004).
89. L. Marona, P. Wisniewski, P. Prystawko, I. Grzegory, T. Suski, S. Porowski, P. Perlin, R. Czernecki, and M. Leszczynski, Appl. Phys. Lett. 88, 201111 (2006).
90. M. Furitsch, A. Avramescu, C. Eichler, K. Engl, A. Leber, A. Miler, C. Rumbolz, G. Bruderl, U. Strauss, A. Lell, and V. Harle, Phys. Status Solidi A 203, 1797-1801 (2006).
91. M. Kneissl, D. P. Bour, L. Romano, C. G. Van de Walle, J. E. Northrup, W. S. Wong, D. W. Treat, M. Teepe, T. Schmidt, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 77, 1931-1933 (2000).
92. K. A. Bulashevich, M. S. Ramm, and S. Y. Karpov, Phys. Status Solidi C: Curr. Top. Solid State Phys. 6(2), S804-S806 (2009).
93. J. P. Liu, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, J. Han, G. D. Shen, and H. B. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 021102 (2008).
94. X. Li, S. Okur, F. Zhang, V. Avrutin, U. Ozgur, H. Morkoc, S. M. Hong, S. H. Yen, T. C. Hsu, and A. Matulionis, J. Appl. Phys. 111, 063112 (2012).
95. D. S. Sizov, R. Bhat, A. Zakharian, K. C. Song, D. E. Allen, S. Coleman, and C. E. Zah, IEEE J. Sel. Top. Quantum 17, 1390-1401 (2011).
96. Y. Kawaguchi, C. Y. Huang, Y. R. Wu, Q. M. Yan, C. C. Pan, Y. J. Zhao, S. Tanaka, K. Fujito, D. Feezell, C. G. Van de Walle, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 100, 231110 (2012).
97. K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi, T. Hashizume, T. Fukui, and H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 86, 052105 (2005).
98. A. Laubsch, W. Bergbauer, M. Sabathil, M. Strassburg, H. Lugauer, M. Peter, T. Meyer, G. Bruderl, J. Wagner, N. Linder, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C: Curr. Top. Solid State Phys. 6(2), S885-S888 (2009).
99. F. A. Ponce, S. Srinivasan, A. Bell, L. Geng, R. Liu, M. Stevens, J. Cai, H. Omiya, H. Marui, and S. Tanaka, Phys. Status Solidi B 240, 273-284 (2003).
100. K. C. Kim, M. C. Schmidt, H. Sato, F. Wu, N. Fellows, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Phys. Status Solidi-R 1, 125-127 (2007).
101. A. Strittmatter, J. E. Northrup, N. M. Johnson, M. V. Kisin, P. Spiberg, H. El-Ghoroury, A. Usikov, and A. Syrkin, Phys. Status Solidi B-Basic Solid State Phys. 248, 561-573 (2011).
102. Y. J. Zhao, Q. M. Yan, C. Y. Huang, S. C. Huang, P. S. Hsu, S. Tanaka, C. C. Pan, Y. Kawaguchi, K. Fujito, C. G. Van de Walle, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and D. Feezell, Appl. Phys. Lett. 100, 201108 (2012).
103. C. C. Pan, S. Tanaka, F. Wu, Y. J. Zhao, J. S. Speck, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and D. Feezell, Appl. Phys. Exp. 5, 062103 (2012).
104. P. S. Hsu, M. T. Hardy, E. C. Young, A. E. Romanov, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 100, 171917 (2012).
105. M. J. Cich, R. I. Aldaz, A. Chakraborty, A. David, M. J. Grundmann, A. Tyagi, M. Zhang, F. M. Steranka, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 101, 223509 (2012).
106. T. Gessmann, E. F. Schubert, J. W. Graff, K. Streubel, and C. Karnutsch, IEEE Electron Device Lett. 24, 683-685 (2003).
107. Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D Appl. Phys. 43, 354002 (2010).
108. X. Li, X. Ni, J. Lee, M. Wu, U. Ozgur, H. Morkoc, T. Paskova, G. Mulholland, and K. R. Evans, Appl. Phys. Lett. 95, 121107 (2009).
109. M. C. Schmidt, K. C. Kim, H. Sato, N. Fellows, H. Masui, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2-Lett. Exp. Lett. 46, L126-L128 (2007).
110. D. F. Feezell, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, J. Disp. Technol. 9, 190-199 (2013).
111. K. A. Bulashevich, O. V. Khokhlev, I. Y. Evstratov, and S. Y. Karpov, Proc. SPIE, Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XVI 8278, 827819 (2012).
112. W. G. Scheibenzuber, U. T. Schwarz, R. G. Veprek, B. Witzigmann, and A. Hangleiter, Phys. Rev. B 80, 115320 (2009).
113. L. Schade, U. T. Schwarz, T. Wernicke, M. Weyers, and M. Kneissl, Phys. Status Solidi B-Basic Solid State Phys. 248, 638-646 (2011).
114. R. I. Taylor, R. A. Abram, M. G. Burt, and C. Smith, IEE Proc. 132, 7 (1985).
115. C. Smith, R. A. Abram, and M. G. Burt, J. Phys. C Solid State 16, L171-L175 (1983).
116. E. Kioupakis, Q. Yan, and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 101, 231107 (2013).
117. S. Chichibu, D. A. Cohen, M. P. Mack, A. C. Abare, P. Kozodoy, M. Minsky, S. Fleischer, S. Keller, J. E. Bowers, U. K. Mishra, L. A. Coldren, D. R. Clarke, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 496-498 (1998).
118. H. P. Zhao, G. Y. Liu, R. A. Arif, and N. Tansu, Solid State Electron. 54, 1119-1124 (2010).
119. M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
120. G. Namkoong, E. Trybus, K. K. Lee, M. Moseley, W. A. Doolittle, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 93, 172112 (2008).
121. E. Kioupakis, P. Rinke, A. Schleife, F. Bechstedt, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 81, 241201(R) (2010).
122. D. Sizov, R. Bhat, and C. E. Zah, J. Lightw. Technol. 30, 679-699 (2012).
123. T. Lermer, M. Schillgalies, A. Breidenassel, D. Queren, C. Eichler, A. Avramescu, J. Muller, W. Scheibenzuber, U. Schwarz, S. Lutgen, and U. Strauss, Phys. Status Solidi A 207, 1328-1331 (2010).
124. S. N. Lee, H. Y. Ryu, H. S. Paek, J. K. Son, Y. J. Sung, K. S. Kim, H. K. Kim, H. Kim, T. Jang, K. H. Ha, O. H. Nam, and Y. Park, IEEE Electron Device Lett. 29, 870-872 (2008).
125. A. Castiglia, E. Feltin, J. Dorsaz, G. Cosendey, J. F. Carlin, R. Butte, and N. Grandjean, Electron. Lett. 44, 521-522 (2008).
126. B. Witzigmann, V. Laino, M. Luisier, U. T. Schwarz, G. Feicht, W. Wegscheider, K. Engl, M. Furitsch, A. Leber, A. Lell, and V. Harle, Appl. Phys. Lett. 88, 021104 (2006).
127. T. Makino, IEEE J. Quantum Electron. 32, 493-501 (1996).
128. A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2-Lett. Exp. Lett. 46, L789-L791 (2007).
129. D. Ahn and S. H. Park, Semicond. Sci. Technol. 27 (2012).
130. S. H. Park, D. Ahn, and S. L. Chuang, IEEE J. Quantum Electron. 43, 1175-1182 (2007).
131. W. G. Scheibenzuber, U. T. Schwarz, T. Lermer, S. Lutgen, and U. Strauss, Appl. Phys. Lett. 97, 021102 (2010).
132. Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kyono, M. Ueno, and T. Nakamura, Appl. Phys. Exp. 4, 052103 (2011).
133. J. Piprek, Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulations, Wiley, New York (2007).
134. W. W. Chow, A. F. Wright, A. Girndt, F. Jahnke, and S. W. Koch, Appl. Phys. Lett. 71, 2608-2610 (1997).
135. W. W. Chow and S. W. Koch, Semiconductor-Laser Fundamentals: Physics of the Gain Materials, Springer, Berlin, New York (1999).
136. W. W. Chow, A. Girndt, and S. Koch, Opt. Exp. 2, 119-124 (1998).
137. D. D. Koleske, A. E. Wickenden, R. L. Henry, J. C. Culbertson, and M. E. Twigg, J. Cryst. Growth 223, 466-483 (2001).
138. I. H. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701-2703 (1996).
139. W. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, G. A. Valkovskiy, M. A. Yagovkina, S. O. Usov, N. V. Kryzhanovskaya, V. S. Sizov, P. N. Brunkov, A. L. Zakgeim, A. E. Cherniakov, N. A. Cherkashin, M. J. Hytch, E. V. Yakovlev, D. S. Bazarevskiy, M. M. Rozhavskaya, and A. F. Tsatsulnikov, J. Cryst. Growth 315, 267-271 (2011).
140. S. H. Song, S. Lee, and V. Au, Proceedings of the 1994 International Electronics Packaging Conference, 111-121 (1994).
141. J. Y. Tsao, IEEE Circ. Devices 20, 28-37 (2004).
142. W. Nakwaski and M. Osinski, Electron. Lett. 28, 572-574 (1992).
143. M. Grabherr, M. Miller, R. Jager, R. Michalzik, U. Martin, H. J. Unold, and K. J. Ebeling, IEEE J. Selec. Top. Quantum Electron. 5, 495-502 (1999).
144. R. E Simons, Electron. Cooling 7, 12-13 (2001).
145. R. E. Simons, Electron. Cooling 8 (2002).
146. A. D. Kraus and A. Bar-Cohen, Design and Analysis of Heat Sinks, Wiley, New York (1995).
147. J. Y. Tsao and P. Waide, Leukos 6, 259-281 (2010).
148. J. Y. Tsao, M. E. Coltrin, M. H. Crawford, and J. A. Simmons, Proc. IEEE 98, 1162-1179 (2010).
149. J. Y. Tsao, J. J. Wierer, L. E. S. Rohwer, M. E. Coltrin, M. H. Crawford, J. A. Simmons, P. C. Hung, H. D. Saunders, D. S. Sizov, R. Bhat, and C. E. Zah, in: III-Nitride Based Light-Emitting Diodes and Applications Springer, Berlin (2013).
150. J. Y. Tsao, H. D. Saunders, J. R. Creighton, M. E. Coltrin, and J. A. Simmons, J. Phys. D Appl. Phys. 43 (2010).
151. U.S. Department of Energy Office of Energy Efficiency and Renewable Energy, Solid-State Lighting Research and Development Multi-Year Program Plan Washington, DC (2011).
152. A.L. Ladran, E. R. Ault, R. J. Beach, J. H. Campbell, A. C. Erlandson, A. J. Felker, B. L. Freitas, W. R. Meier, S. Telford, C. A. Ebbers, J. A. Caird, and C. P. J. Barty, Inertial Fusion Energy's Role in Developing the Market for High Power Laser Diodes (Lawrence Livermore National Laboratory Report UCRL-CONF-237006, 2007).
153. R. Martinsen, Industrial markets beckon for high-power diode lasers, Opt. Laser Europe Mag. 26-27 (2007).
154. G. Barbose, N. Darghouth, and R. Wiser, Tracking the Sun III: The Installed Cost of Photovoltaics in the U.S. from 1998-2009 (Lawrence Berkeley National Laboratory Report 2010).
155. U.S. Department of Energy Office of Energy Efficiency and Renewable Energy, 2008 Solar Technologies Market Report Washington, DC (2010).
156. J. Lushetsky, presented at the $1/W Workshop Washington, DC (2010).
157. E. Virey, iLED 3, 16-19 (2012).
158. A.L. Ladran, E. R. Ault, R. J. Beach, J. H. Campbell, A. C. Erlandson, A. J. Felker, B. L. Freitas, W. R. Meier, S. Telford, C. A. Ebbers, J. A. Caird, and C. P. J. Barty, Inertial Fusion Energy's Role in Developing the Market for High Power Laser Diodes (Lawrence Livermore National Laboratory Report 2007).