Single-layer MoS2 field effect transistor with epitaxially grown SrTiO3 gate dielectric on Nb-doped SrTiO3 substrate

Bulletin of the Korean Chemical Society

Volumn 34, Issue 9, 2013, Pages 2563-2564

  Kim, Woo Hee ^b   Son, Jong Yeog ^a  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

^b SAMSUNG Electronics   (South Korea)

Author keywords

Field effect transistor; MoS2; Nb doped STO; SrTiO3 gate dielectric

Indexed keywords

EID: 84885414385     PISSN: 02532964     EISSN: 12295949     Source Type: Journal    
DOI: 10.5012/bkcs.2013.34.9.2563     Document Type: Short Survey

References (18)

1. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Grigorieva, M. I. K. I. V.; Dubonos, S. V.; Firsov, A. A. Nature 2005, 438, 197.
2. Zhang, Y.; Tan, Y.-W.; Stormer, H. L.; Kim, P. Nature 2005, 438, 201.
3. Ayari, A.; Cobas, E.; Ogundadegbe, O.; Fuhrer, M. S. J. of Appl. Phys. 2007, 101, 014507.
4. Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.; Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
5. Liu, H.; Neal, A. T.; Ye, P. D. ACS Nano 2012, 6, 8563.
6. Chen, Y. L.; Analytis, J. G.; Chu, J. H.; Liu, Z. K.; Mo, S. K.; Qi, X.-L.; Zhang, H. J.; Lu, D. H.; Dai, X.; Fang, Z. Science 2009, 325, 178.
7. Zhang, H.; Liu, C.-X.; Qi, X.-L.; Dai, X.; Fang, Z.; Zhang, S.-C. Nat. Phys. 2009, 5, 438.
8. Late, D. J.; Liu, B.; Matte, H. S. S. R.; Dravid, V. P.; Rao, C. N. R. ACS Nano 2012, 6, 5635.
9. Yoon, Y.; Ganapathi, K.; Salahuddin, S. Nano Lett. 2011, 11, 3768.
10. Liu, H.; Gu, J.; Ye, P. D. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 1273.
11. Novoselov, K. S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T. J.; Khotkevich, V. V.; Morozov, S. V.; Geim, A. K. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 10451.
12. Liu, H.; Ye, P. D. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 546. 13
13. Lembke, D.; Kis, A. ACS Nano 2012, 6, 10070.
14. Son, J. Y.; Shin, Y.-H.; Ryu, S.; Kim, H.; Jang, H. M. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 14676.
15. Son, J. Y.; Shin, Y.-H.; Kim, H.; Jang, H. M. ACS Nano 2010, 4, 2655.
16. Lee, Y.-H.; Zhang, X.-Q.; Zhang, W.; Chang, M.-T.; Lin, C.-T.; Chang, K.-D.; Yu, Y.-C.; Wang, J. T.-W.; Chang, C.-S.; Li, L.-J.; Lin, T.-W. Adv. Mater. 2012, 24, 2320.
17. Hong, X.; Posadas, A.; Zou, C. H.; Zhu, J. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 136808.
18. Shin, Y.-S.; Son, J. Y.; Jo, M.-H.; Shin, Y.-H.; Jang, H. M. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 5623.