Photoelectrochemical and Raman characterization of In2O3 mesoporous films sensitized by CdS nanoparticles

Beilstein Journal of Nanotechnology

Volumn 4, Issue 1, 2013, Pages 255-261

  Malashchonak, Mikalai V ^a   Poznyak, Sergey K ^a   Streltsov, Eugene A ^a   Kulak, Anatoly I ^b   Korolik, Olga V ^a   Mazanik, Alexander V ^a  

^a BELARUSIAN STATE UNIVERSITY   (Belarus)

^b INSTITUTE OF GENERAL AND INORGANIC CHEMISTRY   (Belarus)

Author keywords

Cadmium sulfide (CdS); Indium oxide (In2O3); Nanoparticles; Successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR)

Indexed keywords

INDIUM OXIDE; PHOTOCURRENT SPECTRUM; PHOTOELECTROCHEMICAL PROCESS; PHOTOELECTROCHEMICALS; QUANTUM-CONFINEMENT EFFECTS; RAMAN CHARACTERIZATION; SPECTRAL SENSITIZATION; SUCCESSIVE IONIC LAYER ADSORPTION AND REACTIONS;

DEPOSITION; ELECTROCHEMISTRY; INDIUM; NANOPARTICLES; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

CADMIUM SULFIDE;

EID: 84885134181     PISSN: None     EISSN: 21904286     Source Type: Journal    
DOI: 10.3762/bjnano.4.27     Document Type: Article

References (25)

1. Grätzel, M. Nature 2001, 414, 338-344. doi:10.1038/35104607
2. Vogel, R.; Hoyer, P.; Weller, H. J. Phys. Chem. 1994, 98, 3183-3188. doi:10.1021/j100063a022
3. Rühle, S.; Shalom, M.; Zaban, A. ChemPhysChem 2010, 11, 2290-2304. doi:10.1002/cphc.201000069
4. Kamat, P. V. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 18737-18753. doi:10.1021/jp806791s
5. Katoh, R.; Furube, A.; Yoshihara, T.; Hara, K.; Fujihashi, G.; Takano, S.; Murata, S.; Arakawa, H.; Tachiya, M. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 4818-4822. doi:10.1021/jp031260g
6. Nicolau, Y. F. Appl. Surf. Sci. 1985, 22-23, 1061-1074. doi:10.1016/0378-5963(85)90241-7
7. Pathan, H.; Lokhande, C. Bull. Mater. Sci. 2004, 27, 85-111. doi:10.1007/BF02708491
8. Baker, D. R.; Kamat, P. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 805-811. doi:10.1002/adfm.200801173
9. Ahmed, R.; Will, G.; Bell, J.; Wang, H. J. Nanopart. Res. 2012, 14, 1140-1153. doi:10.1007/s11051-012-1140-x
10. Cheng, S.; Fu, W.; Yang, H.; Zhang, L.; Ma, J.; Zhao, H.; Sun, M.; Yang, L. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 2615-2621. doi:10.1021/jp209258r
11. Rabinovich, E.; Hodes, G. J. Phys. Chem. C 2013, 117, 1611-1620. doi:10.1021/jp3105453
12. Mori, S.; Asano, A. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 13113-13117. doi:10.1021/jp1019203
13. Poznyak, S. K.; Kulak, A. I. Electrochim. Acta 2000, 45, 1595-1605. doi:10.1016/S0013-4686(99)00319-9
14. Roy, A.; Sood, A. K. Phys. Rev. B 1996, 53, 12127-12132. doi:10.1103/PhysRevB.53.12127
15. White, W. B.; Keramidas, V. G. Spectrochim. Acta, Part A 1972, 28, 501-509. doi:10.1016/0584-8539(72)80237-X
16. Korotcenkov, G.; Brinzari, V.; Ivanov, M.; Cerneavschi, A.; Rodriguez, J.; Cirera, A.; Cornet, A.; Morante, J. Thin Solid Films 2005, 479, 38-51. doi:10.1016/j.tsf.2004.11.107
17. Richter, H.; Wang, Z. P.; Ley, L. Solid State Commun. 1981, 39, 625-629. doi:10.1016/0038-1098(81)90337-9
18. Roca, E.; Trallero-Giner, C.; Cardona, M. Phys. Rev. B 1994, 49, 13704-13711. doi:10.1103/PhysRevB.49.13704
19. Trallero-Giner, C.; Debernardi, A.; Cardona, M.; Menéndez-Proupín, E.; Ekimov, A. I. Phys. Rev. B 1998, 57, 4664-4669. doi:10.1103/PhysRevB.57.4664
20. Nien, Y.-T.; Zaman, B.; Ouyang, J.; Chen, I.-G.; Hwang, C.-S.; Yu, K. Mater. Lett. 2008, 62, 4522-4524. doi:10.1016/j.matlet.2008.08.023
21. Romcevic, N.; Kostic, R.; Romcevic, M.; Comor, M. I.; Nedeljkovic, J. M. J. Phys. D: Appl. Phys. 2005, 38, 4321-4324. doi:10.1088/0022-3727/38/24/009
22. Kostic, R.; Romcevic, N. Phys. Status Solidi C 2004, 1, 2646-2649. doi:10.1002/pssc.200405349
23. Scamarcio, G.; Lugará, M.; Manno, D. Phys. Rev. B 1992, 45, 13792-13795. doi:10.1103/PhysRevB.45.13792
24. Hwang, Y.-N.; Shin, S.; Park, H. L.; Park, S.-H.; Kim, U.; Jeong, H. S.; Shin, E.-J.; Kim, D. Phys. Rev. B 1996, 54, 15120-15124. doi:10.1103/PhysRevB.54.15120
25. Brus, L. J. Phys. Chem. 1986, 90, 2555-2560. doi:10.1021/j100403a003