Highly selective dry etching of germanium over germanium-tin (Ge 1-xSnx): A novel route for Ge1-xSnx nanostructure fabrication

Nano Letters

Volumn 13, Issue 8, 2013, Pages 3783-3790

  Gupta, Suyog ^a   Chen, Robert ^a   Huang, Yi Chiau ^b   Kim, Yihwan ^b   Sanchez, Errol ^b   Harris, James S ^a   Saraswat, Krishna C ^a  

^a Stanford University   (United States)

^b APPLIED MATERIALS INC   (United States)

Author keywords

direct band gap; dry etch; Germanium; germanium tin; nanostructure; selective etch

Indexed keywords

DIRECT BAND GAP; ETCH CHEMISTRY; GERMANIUM-TIN; NANOSTRUCTURE FABRICATION; ROBUST METHODS; SELECTIVE ETCH; SEMICONDUCTOR PROCESSING TECHNOLOGIES; VIRTUAL SUBSTRATES;

DRY ETCHING; ENERGY GAP; FIELD EFFECT TRANSISTORS; NANOSTRUCTURES; TIN;

GERMANIUM;

EID: 84881567627     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl4017286     Document Type: Article

References (36)

1. He, G.; Atwater, H. A. Phys. Rev. Lett. 1997, 79, 1937-1940
2. Kouvetakis, J.; Menendez, J.; Chizmeshya, A. V. G. Annu. Rev. Mater. Res. 2006, 26, 497
3. Soref, R. A. Proc. IEEE 1993, 81, 1687-1706
4. Gupta, S.; Chen, R.; Magyari-Köpe, B.; Lin, H.; Yang, B.; Nainani, A.; Harris, J. S.; Saraswat, K. C. IEEE Int. Electron Devices Meet. 2011, 398-401
5. Han, G.; Su, S.; Zhan, C.; Yang, Y.; Wang, L.; Guo, P.; W. Wei, W.; Wong, C. P.; Shen, Z. X.; Cheng, B.; Yeo, Y.-C. IEEE Int. Electron Devices Meet. 2011, 402-404
6. Gupta, S.; Vincent, B.; Lin, D.; Gunji, M.; Firrincieli, A.; Gencarelli, F.; Magyari-Köpe, B.; Yang, B.; Douhard, B.; Delmotte, J.; Franquet, A.; Caymax, M.; Dekoster, J.; Nishi, Y.; Saraswat, K. C. Symp. VLSI Technol., Dig. Tech. Pap. 2012, 95-96
7. Yin, W.-J.; Gong, X.-G.; Wei, S.-H. Phys. Rev. B 2008, 78 (16) 161203
8. Gupta, S.; Magyari-Köpe, B.; Nishi, Y.; Saraswat, K. C. J. Appl. Phys. 2013, 113, 073707
9. Chen, R.; Lin, H.; Huo, Y.; Hitzman, C.; Kamins, T. I.; Harris, J. S. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 181125
10. Grzybowski, G.; Beeler, R. T.; Jiang, L.; Smith, D. J.; Kouvetakis, J.; Menendez, J. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 072105
11. Fleurial, J. P.; Borshchevsky, A. J. Electrochem. Soc. 1990, 137 (9) 2928-2937
12. Dichi, E.; Wojakowska, A.; Legendre, B. J. Alloys Compd. 2001, 320, 218-223
13. Gurdal, O.; Desjardins, P.; Carlsson, J. R. A.; Taylor, N.; Radamson, H. H.; Sundgren, J.-E.; Greene, J. E. J. Appl. Phys. 1998, 83 (1) 162
14. Shimura, Y.; Tsutsui, N.; Nakatsuka, O.; Sakai, A.; Zaima, S. Thin Solid Films 2010, 518 (6) S2-S5
15. Werner, J.; Oehme, M.; Schmid, M.; Kaschel, M.; Schirmer, A.; Kasper, E.; Schulze, J. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 061108
16. Taraci, J.; Zollner, S.; McCartney, M. R.; Menendez, J.; Santana-Aranda, M. A.; Smith, D. J.; Haaland, A.; Tutukin, A. V.; Gundersen, G.; Wolf, G.; Kouvetakis, J. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 10980
17. Bauer, M.; Taraci, J.; Chizmeshya, A. V. G.; Zollner, S.; Smith, D. J.; Menendez, J.; Hu, C.; Kouvetakis, J. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 2992
18. Vincent, B.; Gencarelli, F.; Bender, H.; Merckling, C.; Douhard, B.; Petersen, D. H.; Hansen, O.; Henrichsen, H. H.; Meersschaut, J.; Vandervorst, W.; Heyns, M.; Loo, R.; Caymax, M. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 152103
19. Lieten, R. R.; Seo, J. W.; Decoster, S.; Vantomme, A.; Peters, S.; Bustillo, K. C.; Haller, E. E.; Menghini, M.; Locquet, J.-P. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 052106
20. Takeuchi, S.; Sakai, A.; Nakatsuka, O.; Ogawa, M.; Zaima, S. Thin Solid Films 2008, 517 (1) 159-162
21. Chen, R.; Huang, Y.-C.; Gupta, S.; Lin, A. C.; Sanchez, E.; Kim, Y.; Saraswat, K. C.; Kamins, T. I.; Harris, J. S. J. Cryst. Growth 2013, 365, 29-34
22. Nayfeh, A.; Chui, C. O.; Saraswat, K. C.; Yonehara, T. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2815
23. Gupta, S.; Vincent, B.; Yang, B.; Lin, D.; Gencarelli, F.; Lin, J.-Y. J.; Chen, R.; Richard, O.; Bender, H.; Magyari-Kope, B.; Caymax, M.; Dekoster, J.; Nishi, Y.; Saraswat, K. C. IEEE Int. Electron Devices Meet. 2012, 375-378
24. Gong, X.; Han, G.; Bai, F.; Su, S.; Guo, P.; Yang, Y.; Cheng, R.; Zhang, D.; Zhang, G.; Xue, C.; Cheng, B.; Pan, J.; Zhang, Z.; Tok, E. S.; Antoniadis, D.; Yeo, Y.-C. IEEE Electron Device Lett. 2013, 34 (3) 339-341
25. Gupta, S.; Huang, Y.-C.; Kim, Y.; Sanchez, E.; Saraswat, K. C. IEEE Electron Device Lett. 2013, 34 (7) 831-833
26. Ishikawa, Y.; Wada, K.; Cannon, D.; Liu, J.; Luan, H.-C.; Kimerling, L. C. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2044
27. Cheng, R.; Wang, W.; Gong, X.; Sun, L.; Guo, P.; Hu, H.; Shen, Z.; Han, G.; Yeo, Y.-C. ECS J. Solid State Sci. Technol. 2013, 2 (4) 138-145
28. Tanuma, S.; Powell, C. J.; Penn, D. R. Surf. Interface Anal. 1994, 21 (3) 165-214
29. Kim, T. S.; Yang, H. Y.; Kil, Y. H.; Jeong, T. S.; Kang, S.; Shim, K. H. J. Korean Phys. Soc. 2009, 54 (6) 2290-2296
30. Mauer, J. L.; Logan, J. S.; Zielinski, L. B.; Schwartz, G. C. J. Vac. Sci. Technol. 1978, 15 (5) 1734-1738
31. Su, S.; Wang, W.; Cheng, B.; Hu, W.; Zhang, G.; Xue, X.; Zuo, Y.; Wang, Q. Solid State Commun. 2011, 151 (8) 647-650
32. Lin, H.; Chen, R.; Huo, Y.; Kamins, T. I.; Harris, J. S. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 261917
33. D'Costa, V. R.; Tolle, J.; Roucka, R.; Poweleit, C. D.; Kouvetakis, J.; Menendez, J. Solid State Commun. 2007, 144, 240-244
34. Colinge, J.-P.; Gao, M.-H.; Romano-Rodriguez, A.; Maes, H.; Claeys, C. IEEE Int. Electron Devices Meet. 1990, 595-598
35. Cui, Y.; Zhong, Z.; Wang, D.; Wang, W. U.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3 (2) 149-152
36. Lin, J.-Y. J.; Gupta, S.; Huang, Y.-C.; Kim, Y.; Jin, M.; Sanchez, E.; Chen, R.; Balram, K.; Miller, D.; Harris, J.; Saraswat, K. C. Symp. VLSI Technol., Dig. Tech. Pap. 2013, 33-34