Anisotropic formation and distribution of stacking faults in II-VI semiconductor nanorods

Nano Letters

Volumn 13, Issue 1, 2013, Pages 106-110

  Hughes, Steven M ^a,b,c   Alivisatos, A Paul ^a,b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c WHITMAN COLLEGE   (United States)

Author keywords

CdSe; heterostructure; Nanocrystal; nanorod; orientation; stacking fault

Indexed keywords

ANISOTROPIC DISTRIBUTION; ANISOTROPIC FORMATIONS; CADMIUM SELENIDES; CDSE; II-VI SEMICONDUCTOR; INVERSION SYMMETRY; POLYTYPISM; STABLE FORM; TOTAL LENGTH; WURTZITES; ZINC BLENDE; ZINC BLENDE CRYSTAL STRUCTURE;

ANISOTROPY; CADMIUM ALLOYS; CADMIUM COMPOUNDS; CRYSTAL ORIENTATION; HETEROJUNCTIONS; NANOCRYSTALS; STACKING FAULTS; ZINC; ZINC SULFIDE;

NANORODS;

EID: 84872112366     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl3036417     Document Type: Article

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