-
1
-
-
19944434155
-
-
Seo, S.; Lee, M.; Seo, D.; Jeoung, E.; Suh, D. S.; Joung, Y.; Yoo, I.; Hwang, I.; Kim, S.; Byun, I. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5655
-
(2004)
Appl. Phys. Lett.
, vol.85
, pp. 5655
-
-
Seo, S.1
Lee, M.2
Seo, D.3
Jeoung, E.4
Suh, D.S.5
Joung, Y.6
Yoo, I.7
Hwang, I.8
Kim, S.9
Byun, I.10
-
2
-
-
33748513895
-
-
Kinoshita, K.; Tamura, T.; Aoki, M.; Sugiyama, Y.; Tanaka, H. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 103509
-
(2006)
Appl. Phys. Lett.
, vol.89
, pp. 103509
-
-
Kinoshita, K.1
Tamura, T.2
Aoki, M.3
Sugiyama, Y.4
Tanaka, H.5
-
3
-
-
34047263784
-
-
Ogimoto, Y.; Tamai, Y.; Kawasaki, M.; Tokura, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 143515
-
(2007)
Appl. Phys. Lett.
, vol.90
, pp. 143515
-
-
Ogimoto, Y.1
Tamai, Y.2
Kawasaki, M.3
Tokura, Y.4
-
6
-
-
43049126833
-
-
Strukov, D. B.; Snider, G. S.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nature 2008, 453, 80
-
(2008)
Nature
, vol.453
, pp. 80
-
-
Strukov, D.B.1
Snider, G.S.2
Stewart, D.R.3
Williams, R.S.4
-
7
-
-
67650102619
-
-
Waser, R.; Dittmann, R.; Staikov, G.; Szot, K. Adv. Mater. 2009, 21, 2632
-
(2009)
Adv. Mater.
, vol.21
, pp. 2632
-
-
Waser, R.1
Dittmann, R.2
Staikov, G.3
Szot, K.4
-
8
-
-
78449303523
-
-
Muenstermann, R.; Menke, T.; Dittmann, R.; Waser, R. Adv. Mater. 2010, 22, 4819
-
(2010)
Adv. Mater.
, vol.22
, pp. 4819
-
-
Muenstermann, R.1
Menke, T.2
Dittmann, R.3
Waser, R.4
-
10
-
-
67650465240
-
-
Gergel-Hackett, N.; Hamadani, B.; Dunlap, B.; Suehle, J.; Richter, C.; Hacker, C.; Gundlach, D. IEEE Electron Device Lett. 2009, 30, 706
-
(2009)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.30
, pp. 706
-
-
Gergel-Hackett, N.1
Hamadani, B.2
Dunlap, B.3
Suehle, J.4
Richter, C.5
Hacker, C.6
Gundlach, D.7
-
11
-
-
67349267736
-
-
Kim, S.; Moon, H.; Gupta, D.; Yoo, S.; Choi, Y. K. IEEE Trans. Electron Devices 2009, 56, 696
-
(2009)
IEEE Trans. Electron Devices
, vol.56
, pp. 696
-
-
Kim, S.1
Moon, H.2
Gupta, D.3
Yoo, S.4
Choi, Y.K.5
-
12
-
-
67649283315
-
-
Kim, T. W.; Choi, H.; Oh, S. H.; Wang, G.; Kim, D. Y.; Hwang, H.; Lee, T. Adv. Mater. 2009, 21, 2497
-
(2009)
Adv. Mater.
, vol.21
, pp. 2497
-
-
Kim, T.W.1
Choi, H.2
Oh, S.H.3
Wang, G.4
Kim, D.Y.5
Hwang, H.6
Lee, T.7
-
13
-
-
77349115766
-
-
Jeong, H. Y.; Kim, Y. I.; Lee, J. Y.; Choi, S. Y. Nanotechnology 2010, 21, 115203
-
(2010)
Nanotechnology
, vol.21
, pp. 115203
-
-
Jeong, H.Y.1
Kim, Y.I.2
Lee, J.Y.3
Choi, S.Y.4
-
14
-
-
77955562579
-
-
Park, S.; Lee, T. J.; Kim, D. M.; Kim, J. C.; Kim, K.; Kwon, W.; Ko, Y. G.; Choi, H.; Chang, T.; Ree, M. J. Phys. Chem. B 2010, 114, 10294
-
(2010)
J. Phys. Chem. B
, vol.114
, pp. 10294
-
-
Park, S.1
Lee, T.J.2
Kim, D.M.3
Kim, J.C.4
Kim, K.5
Kwon, W.6
Ko, Y.G.7
Choi, H.8
Chang, T.9
Ree, M.10
-
15
-
-
78650680750
-
-
White, S. I.; Vora, P. M.; Kikkawa, J. M.; Winey, K. I. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 233
-
(2011)
Adv. Funct. Mater.
, vol.21
, pp. 233
-
-
White, S.I.1
Vora, P.M.2
Kikkawa, J.M.3
Winey, K.I.4
-
16
-
-
79951659071
-
-
White, S. I.; Vora, P. M.; Kikkawa, J. M.; Fischer, J. E.; Winey, K. I. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 22106
-
(2010)
J. Phys. Chem. C
, vol.114
, pp. 22106
-
-
White, S.I.1
Vora, P.M.2
Kikkawa, J.M.3
Fischer, J.E.4
Winey, K.I.5
-
17
-
-
23944447615
-
-
Choi, B.; Jeong, D.; Kim, S.; Rohde, C.; Choi, S.; Oh, J.; Kim, H.; Hwang, C.; Szot, K.; Waser, R. Appl. Phys. 2005, 98, 033715
-
(2005)
Appl. Phys.
, vol.98
, pp. 033715
-
-
Choi, B.1
Jeong, D.2
Kim, S.3
Rohde, C.4
Choi, S.5
Oh, J.6
Kim, H.7
Hwang, C.8
Szot, K.9
Waser, R.10
-
18
-
-
27144444787
-
-
Lee, D.; Choi, H.; Sim, H.; Choi, D.; Hwang, H.; Lee, M. J.; Seo, S. A.; Yoo, I. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 719
-
(2005)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.26
, pp. 719
-
-
Lee, D.1
Choi, H.2
Sim, H.3
Choi, D.4
Hwang, H.5
Lee, M.J.6
Seo, S.A.7
Yoo, I.8
-
19
-
-
22144448904
-
-
Rohde, C.; Choi, B. J.; Jeong, D. S.; Choi, S.; Zhao, J. S.; Hwang, C. S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 262907
-
(2005)
Appl. Phys. Lett.
, vol.86
, pp. 262907
-
-
Rohde, C.1
Choi, B.J.2
Jeong, D.S.3
Choi, S.4
Zhao, J.S.5
Hwang, C.S.6
-
20
-
-
19044363374
-
-
Sim, H.; Choi, D.; Lee, D.; Seo, S.; Lee, M. J.; Yoo, I. K.; Hwang, H. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 292
-
(2005)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.26
, pp. 292
-
-
Sim, H.1
Choi, D.2
Lee, D.3
Seo, S.4
Lee, M.J.5
Yoo, I.K.6
Hwang, H.7
-
21
-
-
33846968114
-
-
Villafuerte, M.; Heluani, S.; Juarez, G.; Simonelli, G.; Braunstein, G.; Duhalde, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 052105
-
(2007)
Appl. Phys. Lett.
, vol.90
, pp. 052105
-
-
Villafuerte, M.1
Heluani, S.2
Juarez, G.3
Simonelli, G.4
Braunstein, G.5
Duhalde, S.6
-
22
-
-
58149251884
-
-
Jeong, D. S.; Schroeder, H.; Breuer, U.; Waser, R. J. Appl. Phys. 2008, 104, 123716
-
(2008)
J. Appl. Phys.
, vol.104
, pp. 123716
-
-
Jeong, D.S.1
Schroeder, H.2
Breuer, U.3
Waser, R.4
-
23
-
-
76649133422
-
-
Kwon, D. H.; Kim, K. M.; Jang, J. H.; Jeon, J. M.; Lee, M. H.; Kim, G. H.; Li, X. S.; Park, G. S.; Lee, B.; Han, S. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 148
-
(2010)
Nat. Nanotechnol.
, vol.5
, pp. 148
-
-
Kwon, D.H.1
Kim, K.M.2
Jang, J.H.3
Jeon, J.M.4
Lee, M.H.5
Kim, G.H.6
Li, X.S.7
Park, G.S.8
Lee, B.9
Han, S.10
-
24
-
-
79956124770
-
-
Kim, K. M.; Song, S. J.; Kim, G. H.; Seok, J. Y.; Lee, M. H.; Yoon, J. H.; Park, J.; Hwang, C. S. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 1587
-
(2011)
Adv. Funct. Mater.
, vol.21
, pp. 1587
-
-
Kim, K.M.1
Song, S.J.2
Kim, G.H.3
Seok, J.Y.4
Lee, M.H.5
Yoon, J.H.6
Park, J.7
Hwang, C.S.8
-
25
-
-
80052154799
-
-
Choi, B. J.; Chen, A. B. K.; Yang, X.; Chen, I. W. Adv. Mater. 2011, 23, 3847
-
(2011)
Adv. Mater.
, vol.23
, pp. 3847
-
-
Choi, B.J.1
Chen, A.B.K.2
Yang, X.3
Chen, I.W.4
-
26
-
-
0037472195
-
-
Bose, P.; Pradhan, S.; Sen, S. Mater. Chem. Phys. 2003, 80, 73
-
(2003)
Mater. Chem. Phys.
, vol.80
, pp. 73
-
-
Bose, P.1
Pradhan, S.2
Sen, S.3
-
27
-
-
79956207495
-
-
Deng, Q.; Xia, X.; Guo, M.; Gao, Y.; Shao, G. Mater. Lett. 2011, 65, 2051
-
(2011)
Mater. Lett.
, vol.65
, pp. 2051
-
-
Deng, Q.1
Xia, X.2
Guo, M.3
Gao, Y.4
Shao, G.5
|