Nanostructured p-n junctions for kinetic-to-electrical energy conversion

Advanced Energy Materials

Volumn 2, Issue 10, 2012, Pages 1261-1268

  Briscoe, Joe ^a   Stewart, Mark ^b   Vopson, Melvin ^b   Cain, Markys ^b   Weaver, Paul M ^b   Dunn, Steve ^a  

^a QUEEN MARY UNIVERSITY OF LONDON   (United Kingdom)

^b NATIONAL PHYSICAL LABORATORY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

APPLIED STRESS; CURRENT OUTPUT; NANO-STRUCTURED; P-N JUNCTION; P-TYPE; PEDOT:PSS; PIEZOELECTRIC ENERGY HARVESTING; POWER DENSITIES; POWER OUT PUT; SYSTEMATIC TESTING; TIME-DEPENDENT CHANGES; VOLTAGE OUTPUT; ZNO; ZNO NANOROD;

CONDUCTING POLYMERS; ENERGY CONVERSION; ENERGY HARVESTING; NANORODS; PIEZOELECTRICITY; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; ZINC OXIDE;

ELECTRONIC EQUIPMENT TESTING;

EID: 84867287577     PISSN: 16146832     EISSN: 16146840     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/aenm.201200205     Document Type: Article

References (46)

1. K. A. Cook-Chennault, N. Thambi, A. M. Sastry, Smart Mater. Struct. 2008, 17, 04300.
2. S. R. Anton, H. A. Sodano, Smart Mater. Struct. 2007, 16, R1.
3. D. Tiwari, S. Dunn, J. Mater. Sci. 2009, 44, 5063.
4. Z. L. Wang, J. Song, Science 2006, 312, 242.
5. J. Zhang, M. Li, L. Yu, L. Liu, H. Zhang, Z. Yang, Appl. Phys. A 2009, 97, 869.
6. S. Xu, Y. Qin, C. Xu, Y. Wei, R. Yang, Z. L. Wang, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 366.
7. J.-H. Tian, J. Hu, S.-S. Li, F. Zhang, J. Liu, J. Shi, X. Li, Z.-Q. Tian, Y. Chen, Nanotechnology 2011, 22, 245601.
8. M.-Y. Choi, D. Choi, M.-J. Jin, I. Kim, S.-H. Kim, J.-Y. Choi, S. Y. Lee, J. M. Kim, S.-W.Kim, Adv. Mater. 2009, 21, 2185.
9. G. Zhu, R. Yang, S. Wang, Z. L. Wang, Nano Lett. 2010, 10, 3151.
10. M. Lee, J. Bae, J. Lee, C.-S. Lee, S. Hong, Z. L. Wang, Energy Environ. Sci. 2011, 4, 3359.
11. Y. Hu, Y. Zhang, C. Xu, L. Lin, R. L. Snyder, Z. L. Wang, Nano Lett. 2011, 11, 2572.
12. D. Choi, K. Y. Lee, M.-J. Jin, S.-G. Ihn, S. Yun, X. Bulliard, W. Choi, S. Y. Lee, S.-W. Kim, J.-Y. Choi, J. M. Kim, Z. L. Wang, Energy Environ. Sci. 2011, 4, 4607.
13. A. R. Hutson, Phys. Rev. Lett. 1960, 4, 505.
14. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang, Science 2001, 292, 1897.
15. Z. R. Tian, J. A. Voigt, J. Liu, B. Mckenzie, M. J. Mcdermott, M. A. Rodriguez, H. Konishi, H. Xu, Nat. Mater. 2003, 2, 821.
16. K. S. Leschkies, R. Divakar, J. Basu, E. Enache-Pommer, J. E. Boercker, C. B. Carter, U. R. Kortshagen, D. J. Norris, E. S. Aydil, Nano Lett. 2007, 7, 1793.
17. M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, P. Yang, Nat. Mater. 2005, 4, 455.
18. J. Joo, B. Y. Chow, M. Prakash, E. S. Boyden, J. M. Jacobson, Nat. Mater. 2011, 10, 596.
19. R. Könenkamp, R. C. Word, M. Godinez, Nano Lett. 2005, 5, 2005.
20. S. Kirchmeyer, K. Reuter, J. Mater. Chem. 2005, 15, 2077.
21. C. S. Lee, J. Joo, S. Han, S. K. Koh, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1841.
22. L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. Zhang, R. J. Saykally, P. Yang, Angew. Chem. Int. Ed. 2003, 42, 3031.
23. J. Briscoe, D. E. Gallardo, S. Hatch, V. Lesnyak, N. Gaponik, S. Dunn, J. Mater. Chem. 2011, 21, 2517.
24. M. Stewart, W. Battrick, M. Cain, in Measurement Good Practice Guide No. 44, National Physical Laboratory, Teddington, UK 2001.
25. H. Jaffe, D. Berlincourt, Proc. IEEE 1965, 53, 1372.
26. T. Ogawa, H. Oikawa, A. Kojima, Jpn. J. Appl. Phys. 1971, 10, 593.
27. J. Wooldridge, J. F. Blackburn, N. L. McCartney, M. Stewart, P. Weaver, M. G. Cain, J. Appl. Phys. 2010, 107, 104118.
28. I. P. Batra, P. Wurfel, B. D. Silverman, Phys. Rev. B 1973, 8, 3257.
29. P. Wurfel, I. P. Batra, Phys. Rev. B 1973, 8, 5126.
30. Y. Inoue, K. Sato, K. Sato, H. Miyama, Chem. Phys. Lett. 1986, 129, 79.
31. V. M. Fridkin, Ferroelectric Semiconductors. Consultants Bureau, New York 1980.
32. J. L. Giocondi, G. S. Rohrer, J. Phys. Chem. B 2001, 105, 8275.
33. S. V. Kalinin, D. A. Bonnell, T. Alvarez, X. Lei, Z. Hu, J. H. Ferris, Q. Zhang, S. Dunn, Nano Lett. 2002, 2, 589.
34. S. Dunn, P. M. Jones, D. E. Gallardo, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 8724.
35. S. Dunn, D. Tiwari, P. M. Jones, D. E. Gallardo, J. Mater. Chem. 2007, 17, 4460.
36. J. F. Scott, Ferroelectric Memories. Springer-Verlag, Berlin 2000.
37. J. Shi, M. B. Starr, H. Xiang, Y. Hara, M. A. Anderson, J.-H. Seo, Z. Ma, X. Wang, Nano Lett. 2011, 11, 5587.
38. C. T. Black, C. Farrell, T. J. Licata, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2041.
39. S. M. Sze, K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices. John Wiley and Sons, New Jersey 2007.
40. K. Momeni, G. M. Odegard, R. S. Yassar, J. Appl. Phys. 2010, 108, 114303.
41. M. Alexe, S. Senz, M. A. Schubert, D. Hesse, U. Gösele, Adv. Mater. 2008, 20, 4021.
42. G. Romano, G. Mantini, A. D. Carlo, A. D'Amico, C. Falconi, Z. L. Wang, Nanotechnology 2011, 22, 465401.
43. Z. Shao, L. Wen, D. Wu, X. Zhang, S. Chang, S. Qin, J. App. Phys. 2010, 108, 124312.
44. F. Wang, J.-H. Seo, D. Bayerl, J. Shi, H. Mi, Z. Ma, D. Zhao, Y. Shuai, W. Zhou, X. Wang, Nanotechnology 2011, 22, 225602.
45. G. H. Kim, D. H. Hwang, S. I. Woo, Phys. Chem. Chem. Phys. 2012, 14, 3530.
46. B. K. Sharma, N. Khare, S. Ahmad, Solid State Commun. 2009, 149, 771