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Volumn , Issue , 2012, Pages 19-20

A new Metal Control Gate Last process (MCGL process) for high performance DC-SF (Dual Control gate with Surrounding Floating gate) 3D NAND flash memory

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CONTACT HOLES; CONTROL GATES; DUAL CONTROL; FLOATING GATES; HIGH RELIABILITY; LOW DAMAGES; NAND FLASH MEMORY; TUNNEL OXIDES;

EID: 84866533021     PISSN: 07431562     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/VLSIT.2012.6242440     Document Type: Conference Paper
Times cited : (20)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.