Printable giant magnetoresistive devices

Advanced Materials

Volumn 24, Issue 33, 2012, Pages 4518-4522

  Karnaushenko, Daniil ^a,b   Makarov, Denys ^a   Yan, Chenglin ^a   Streubel, Robert ^a,b   Schmidt, Oliver G ^a,b  

^a IFW DRESDEN   (Germany)

^b CHEMNITZ UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

Author keywords

GMR effect; magnetic ink; magnetoelectronics; multilayer flake; printable sensor

Indexed keywords

CONTACT LESS; FABRICATED SENSORS; GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT; GIANT MAGNETORESISTIVE; GMR EFFECT; MAGNETIC INK; ROOM TEMPERATURE;

MAGNETOELECTRONICS; SENSORS;

GIANT MAGNETORESISTANCE;

INK;

ARTICLE; INSTRUMENTATION; MAGNETISM; PRINTING;

INK; MAGNETIC PHENOMENA; PRINTING;

EID: 84865320421     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201201190     Document Type: Article

References (27)

1. A. C. Arias, J. D. MacKenzie, I. McCulloch, J. Rivnay, A. Salleo, Chem. Rev. 2010, 110, 3.
2. H. Yan, Z. Chen, Y. Zheng, C. Newman, J. R. Quinn, F. Dotz, M. Kastler, A. Facchetti, Nature 2009, 457, 679.
3. R. C. Coffin, J. Peet, J. Rogers, G. C. Bazan, Nat. Chem. 2009, 1, 657.
4. Y. Sun, G. C. Welch, W. L. Leong, C. J. Takacs, G. C. Bazan, A. J. Heeger, Nat. Mater. 2012, 11, 44.
5. C. Yan, L. Nikolova, A. Dadvand, C. Harnagea, A. Sarkissian, D. F. Perepichka, D. Xue, F. Rosei, Adv. Mater. 2010, 22, 1741.
6. L. Torsi, G. M. Farinola, F. Marinelli, M. C. Tanese, O. H. Omar, L. Valli, F. Babudri, F. Palmisano, P. G. Zambonin, F. Naso, Nat. Mater. 2008, 7, 412.
7. M. P. Genovese, I. V. Lightcap, P. V. Kamat, ACS Nano 2012, 6, 865.
8. A. Rida, L. Yang, R. Vyas, M. Tentzeris, Antennas and Propagation Magazine 2009, 51, 13.
9. S. S. P. Parkin, Annual Review of Materials Science 1995, 25, 357.
10. P. Gruenberg, R. Schreiber, Y. Pang, M. B. Brodsky, H. Sowers, Phys. Rev. Lett. 1986, 57, 2442.
11. G. Binasch, P. Gruenberg, F. Saurenbach, W. Zinn, Phys. Rev. B 1989, 39, 4828.
12. M. Melzer, D. Makarov, A. Calvimontes, D. Karnaushenko, S. Baunack, R. Kaltofen, Y. Mei, O. G. Schmidt, Nano Lett. 2011, 11, 2522.
13. Y.-F. Chen, Y. Mei, R. Kaltofen, J. I. Mönch, J. Schumann, J. Freudenberger, H.-J. Klauà , O. G. Schmidt, Adv. Mater. 2008, 20, 3224.
14. A. E. Berkowitz, J. R. Mitchell, M. J. Carey, A. P. Young, S. Zhang, F. E. Spada, F. T. Parker, A. Hutten, G. Thomas, Phys. Rev. Lett. 1992, 68, 3745.
15. J. Q. Xiao, J. S. Jiang, C. L. Chien, Phys. Rev. Lett. 1992, 68, 3749.
16. S. Ram, P. Frankwicz, Physica Status Solidi (A) 2001, 188, 1129.
17. W. Wang, F. Zhu, J. Weng, J. Xiao, W. Lai, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1118.
18. A. Weddemann, I. Ennen, A. Regtmeier, C. Albon, A. Wolff, K. Eckstädt, N. Mill, M. K.-H. Peter, J. Mattay, C. Plattner, N. Sewald, A. Hütten, Beilstein J. Nanotechnol. 2010, 1, 75.
19. Z. Guo, S. Park, H. T. Hahn, S. Wei, M. Moldovan, A. B. Karki, D. P. Young, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 53111.
20. S. Wang, F. J. Yue, J. Shi, Y. J. Shi, A. Hu, Y. W. Du, D. Wu, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 172501.
21. J. Dugay, R. P. Tan, A. Meffre, T. Blon, L.-M. Lacroix, J. Carrey, P. F. Fazzini, S. Lachaize, B. Chaudret, M. Respaud, Nano Lett. 2011, 11, 5128.
22. M. Wang, C. M. Li, Phys. Chem. Chem. Phys. 2011, 13, 1413.
23. M. Wang, W. Huang, M. B. Chan-Park, C. M. Li, Nanotechnology 2011, 22, 105702.
24. M. Melzer, D. Karnaushenko, D. Makarov, L. Baraban, A. Calvimontes, I. Monch, R. Kaltofen, Y. Mei, O. G. Schmidt, RSC Adv. 2012, 2, 2284.
25. H. X. Ji, X. L. Wu, L. Fan, C. Krien, I. Fiering, Y. G. Guo, Y. F. Mei, O. G. Schmidt, Adv. Mater. 2010, 22, 4591.
26. D. S. McLachlan, M. Blaszkiewicz, R. E. Newnham, J. Am. Ceram. Soc. 1990, 73, 2187.
27. M. Jung, J. Kim, J. Noh, N. Lim, C. Lim, G. Lee, J. Kim, H. Kang, K. Jung, A. Leonard, J. Tour, G. Cho, IEEE Electron. Device. Lett. 2010, 57, 571.