Few-layer graphene direct deposition on Ni and Cu foil by cold-wall chemical vapor deposition

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 12, Issue 8, 2012, Pages 6516-6520

  Chang, Q H ^a   Guo, G L ^a   Wang, T ^a   Ji, L C ^a   Huang, L ^a   Ling, B ^a   Yang, H F ^a  

^a SHANGHAI NORMAL UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Ar Plasma Treatment; Chemical Vapor Deposition; Graphene

Indexed keywords

ALTERNATIVE SYNTHESIS; AR PLASMA TREATMENT; AR PLASMAS; CARBON SOURCE; CU FOIL; DIRECT DEPOSITION; FEW-LAYER GRAPHENE; PET SUBSTRATE; PROCESS PARAMETERS; RAMAN MICROSCOPY; SINGLE LAYER; THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

CARBON FILMS; COPPER; GRAPHENE; METAL CLADDING; OPTICAL MICROSCOPY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SUBSTRATES; VAPORS;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

EID: 84865123033     PISSN: 15334880     EISSN: 15334899     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2012.5432     Document Type: Conference Paper

References (21)

1. C. Soldano, A. Mahmood, and E. Dujardin, Carbon 48, 2127 (2010).
2. L. G. D. Arco, Y. Zhang, C. W. Schlenker, K. Ryu, M. E. Thompson, and C. W. Zhou, ACS Nano 4, 2865 (2010).
3. S. Bae, H. Kim, Y. B. Lee, X. F. Xu, J. S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. II. Song, Y. J. Kim, K. S. Kim, B. Özyilmaz, J. H. Ahn, B. H. Hong, and S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 5, 574 (2010).
4. X. S. Li, Y. W. Zhu, W. W. Cai, M. Borysiak, B. Y. Han, D. Chen, R. D. Piner, L. Colombo, and R. S. Ruoff, Nano Lett. 9, 4359 (2009).
5. X. S. Li, W. W. Cai, J. H. An, S. Y. Kim, J. Nah, D. X. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff, Science 324, 1312 (2009).
6. H. J. Park, J. Meyer, S. Roth, and V. Skákalová, Carbon 48, 1088 (2010).
7. Z. Y. Juang, C. Y. Wu, A. Y. Lu, C. Y. Su, K. C. Leou, F. R. Chen, and C. H. Tsai, Carbon 48, 3169 (2010).
8. J. M. Lee, H. Y. Jeong, and W. I. Park, J. Electron. Mater. 39, 2190 (2010).
9. J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Appl. Phys. 50, 3189 (1979).
10. P. B. Zantye, A. Kumar, and A. K. Sikder, Mater. Sci. Eng. R 45, 89 (2004).
11. S. J. Chae, F. Günes, K. K. Kim, E. S. Kim, G. H. Han, S. M, Kim, H. J. Shin, S. M. Yoon, J. Y. Choi, M. H. Park, C. W. Yang, D. Pribat, and Y. H. Lee, Adv. Mater. 21, 2328 (2009).
12. Z. H. Ni, H. M. Wang, J. Kasim, H. M. Fan, T. Yu, Y. H. Wu, Y. P. Feng, and Z. X. Shen, Nano Lett. 7, 2758 (2007).
13. A. C. Ferrari, J. C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K. S, Novoselov, S. Roth, and A. K Geim, Phys. Rev. Lett. 97, 187401. (2006).
14. J. S. Park, A. Reina, S. Saito, J. Kong, G. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, Carbon 47, 1303 (2009).
15. X. X. Li, H. W. Zhu, K. L. Wang, A. Y. Cao, J. Q. Wei, C. Y. Li, Y. Jia, Z. Li, X. Li, and D. H. Wu, Adv. Mater. 22, 2743 (2010).
16. D. S. Lee, C. Riedl, B. Krauss, K. V. Klitzing, U. Starke, and J. H. Smet, Nano Lett. 8, 4320 (2008).
17. Z. J. Fan, K. Wang, T. Wei, J. Yan, L. P. Song, and B. Shao, Carbon 8, 1670 (2010).
18. A. Kasry, M. A. Kuroda, G. J. Matyna, G. S. Tulevski, and A. A. Bol, ACS Nano 4, 3839 (2010).
19. F. Günes, H. J. Shin, C. Biswas, G. H. Han, E. S. Kim, S. J. Chae, J. Y. Choi, and Y. H. Lee, ACS Nano 4, 4595 (2010).
20. N. Z. Muradov and T. N. Veziroglu, Int. J. Hydrogen Energy 30, 225 (2005).
21. Q. K. Yu, J. Lian, S. Siriponglert, H. Li, Y. P. Chen, and S. S. Pei, Appl. Phys. Lett. 93, 113103 (2008).