Ultrashort channel silicon nanowire transistors with nickel silicide source/drain contacts

Nano Letters

Volumn 12, Issue 8, 2012, Pages 3979-3985

  Tang, Wei ^a,b   Dayeh, Shadi A ^b   Picraux, S Tom ^b   Huang, Jian Yu ^c   Tu, King Ning ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b LOS ALAMOS NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

in situ TEM; Nickel silicide; Schottky barrier field effect transistor; short channel; silicon nanowire

Indexed keywords

IN-SITU TEM; NICKEL SILICIDE; SCHOTTKY BARRIERS; SHORT CHANNELS; SILICON NANOWIRES;

IN SITU PROCESSING; NANOWIRES; PARAMETER EXTRACTION; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SILICIDES; TRANSCONDUCTANCE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAPORS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 84864703494     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl3011676     Document Type: Article

References (48)

1. Westwater, J.; Gosain, D. P.; Tomiya, S.; Usui, S.; Ruda, H. J. Vac. Sci. Technol., B 1997, 15 (3) 554-557
2. Dayeh, S. A.; Picraux, S. T. Nano Lett. 2010, 10 (10) 4032-4039
3. Wu, Y.; Cui, Y.; Huynh, L.; Barrelet, C. J.; Bell, D. C.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4 (3) 433-436
4. Huang, Y.; Duan, X. F.; Cui, Y.; Lauhon, L. J.; Kim, K. H.; Lieber, C. M. Science 2001, 294 (5545) 1313-1317
5. Huang, Y.; Duan, X. F.; Wei, Q. Q.; Lieber, C. M. Science 2001, 291 (5504) 630-633
6. Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 291 (5505) 851-853
7. Xiang, J.; Lu, W.; Hu, Y. J.; Wu, Y.; Yan, H.; Lieber, C. M. Nature 2006, 441 (7092) 489-493
8. Lin, Y. C.; Lu, K. C.; Wu, W. W.; Bai, J. W.; Chen, L. J.; Tu, K. N.; Huang, Y. Nano Lett. 2008, 8 (3) 913-918
9. Takagi, S.; Irisawa, T.; Tezuka, T.; Numata, T.; Nakaharai, S.; Hirashita, N.; Moriyama, Y.; Usuda, K.; Toyoda, E.; Dissanayake, S.; Shichijo, M.; Nakane, R.; Sugahara, S.; Takenaka, M.; Sugiyama, N. IEEE Trans. Electron Devices 2008, 55 (1) 21-39
10. The International Technology Roadmap For Semiconductors 2011; http://www.itrs.net/.
11. Lu, K. C.; Wu, W. W.; Wu, H. W.; Tanner, C. M.; Chang, J. P.; Chen, L. J.; Tu, K. N. Nano Lett. 2007, 7 (8) 2389-2394
12. Wu, W. W.; Lu, K. C.; Chen, K. N.; Yeh, P. H.; Wang, C. W.; Lin, Y. C.; Huang, Y. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 20
13. Taur, Y.; Wann, C. H.; Frank, D. J. 25 nm CMOS design considerations. International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Digest, Dec 6-9, 1998; pp 789-792.
14. Tan, E. J.; Pey, K. L.; Singh, N.; Lo, G. Q.; Chi, D. Z.; Chin, Y. K.; Tang, L. J.; Lee, P. S.; Ho, C. K. F. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29 (8) 902-905
15. Bucher, E.; Schulz, S.; Luxsteiner, M. C.; Munz, P.; Gubler, U.; Greuter, F. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 1986, 40 (2) 71-77
16. Lu, J. P.; Miles, D. S.; DeLoach, J.; Yue, D. F.; Chen, P. J.; Bonifield, T.; Crank, S.; Yu, S. F.; Mehrad, F.; Obeng, Y.; Ramappa, D. A.; Corum, D.; Guldi, R. L.; Robertson, L. S.; Liu, X.; Hall, L. H.; Xu, Y. Q.; Lin, B. Y.; Griffin, A. F., Jr.; Johnson, F. S.; Grider, T.; Mercer, D.; Montgomery, C. Nickel Salicide Process Technology for CMOS Devices of 90 nm Node and Beyond, International Workshop on Junction Technology (IWJT), 2006; pp 127-133. (Pubitemid 46900380)
17. Wu, Y.; Xiang, J.; Yang, C.; Lu, W.; Lieber, C. M. Nature 2004, 430 (6995) 61-65
18. Heinzig, A.; Slesazeck, S.; Kreupl, F.; Mikolajick, T.; Weber, W. M. Nano Lett. 2012, 12 (1) 119-124
19. Appenzeller, J.; Knoch, J.; Tutuc, E.; Reuter, M.; Guha, S. Dual-gate silicon nanowire transistors with nickel silicide contacts, International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 11-13, 2006; pp 1-4.
20. Weber, W. M.; Geelhaar, L.; Graham, A. P.; Unger, E.; Duesberg, G. S.; Liebau, M.; Pamler, W.; Cheze, C.; Riechert, H.; Lugli, P.; Kreupl, F. Nano Lett. 2006, 6 (12) 2660-2666
21. Hu, Y.; Xiang, J.; Liang, G.; Yan, H.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2008, 8 (3) 925-930
22. Vonkanel, H. Mater. Sci. Rep. 1992, 8 (5) 193-269
23. Tu, K. N.; Chu, W. K.; Mayer, J. W. Thin Solid Films 1975, 25 (2) 403-413
24. Lavoie, C.; d'Heurle, F. M.; Detavernier, C.; Cabral, C. Microelectron. Eng. 2003, 70 (2-4) 144-157
25. Tu, K. N.; Alessandrini, E. I.; Chu, W. K.; Krautle, H.; Mayer, J. W. Jpn. J. Appl. Phys. 1974, 669-672
26. Lin, Y. C.; Chen, Y.; Xu, D.; Huang, Y. Nano Lett. 2010, 10 (11) 4721-4726
27. Dellas, N. S.; Liu, B. Z.; Eichfeld, S. M.; Eichfeld, C. M.; Mayer, T. S.; Mohney, S. E. J. Appl. Phys. 2009, 105 (9) 094309
28. Ogata, K.; Sutter, E.; Zhu, X.; Hofmann, S. Nanotechnology 2011, 22 (36) 365305
29. Tung, R. T.; Gibson, J. M.; Poate, J. M. Phys. Rev. Lett. 1983, 50 (6) 429-432
30. Teodorescu, V.; Nistor, L.; Bender, H.; Steegen, A.; Lauwers, A.; Maex, K.; Van Landuyt, J. J. Appl. Phys. 2001, 90 (1) 167-174
31. Chueh, Y. L.; Ko, M. T.; Chou, L. J.; Chen, L. J.; Wu, C. S.; Chen, C. D. Nano Lett. 2006, 6 (8) 1637-1644
32. Mangelinck, D.; Hoummada, K.; Blum, I. Appl. Phys. Lett. 2009, 95 (18) 181902
33. Van Bockstael, C.; Detavernier, C.; Van Meirhaeghe, R. L.; Jordan-Sweet, J. L.; Lavoie, C. J. Appl. Phys. 2009, 106 (6) 064515
34. Hsu, H. F.; Chan, H. Y.; Chen, T. H.; Wu, H. Y.; Cheng, S. L.; Wu, F. B. Appl. Surf. Sci. 2011, 257 (17) 7422-7426
35. Tung, R. T.; Poate, J. M.; Bean, J. C.; Gibson, J. M.; Jacobson, D. C. Thin Solid Films 1982, 93, 77-90
36. Tung, R. T. Mater. Sci. Eng. Rep. 2001, 35 (1-3) 1-138
37. Tung, R. T. Phys. Rev. Lett. 1984, 52 (6) 461-464
38. Li, Q. L.; Zhu, X. X.; Yang, Y.; Ioannou, D. E.; Xiong, H. D.; Kwon, D. W.; Suehle, J. S.; Richter, C. A. Nanotechnology 2009, 20 (41) 415202
39. MeiKei, I.; Solomon, P. M.; Laux, S. E.; Wong, H. S. P.; Chidambarrao, D. Comparison of raised and Schottky source/drain MOSFETs using a novel tunneling contact model, International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Digest, Dec 6-9, 1998; pp 733-736.
40. Lombardi, C.; Manzini, S.; Saporito, A.; Vanzi, M. IEEE Trans. Comput.-Aided Des. Integr. Circuits Syst. 1988, 7 (11) 1164-1171
41. Li, N.; Tan, T. Y.; Gösele, U. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2008, 90 (4) 591-596
42. Javey, A.; Guo, J.; Wang, Q.; Lundstrom, M.; Dai, H. J. Nature 2003, 424 (6949) 654-657
43. Dayeh, S. A. Semicond. Sci. Technol. 2010, 25 (2) 024004
44. Feste, S. F.; Knoch, J.; Buca, D.; Zhao, Q. T.; Breuer, U.; Mantl, S. J. Appl. Phys. 2010, 107 (4) 044510
45. Kikuchi, A. J. Appl. Phys. 1988, 64 (2) 938-940
46. Tang, J. S.; Wang, C. Y.; Xiu, F. X.; Lang, M. R.; Chu, L. W.; Tsai, C. J.; Chueh, Y. L.; Chen, L. J.; Wang, K. L. ACS Nano 2011, 5 (7) 6008-6015
47. Cohen, G. M.; Rooks, M. J.; Chu, J. O.; Laux, S. E.; Solomon, P. M.; Ott, J. A.; Miller, R. J.; Haensch, W. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 (23) 233110
48. Dayeh, S. A.; Aplin, D. P. R.; Zhou, X. T.; Yu, P. K. L.; Yu, E. T.; Wang, D. L. Small 2007, 3 (2) 326-332