Self-aligned, extremely high frequency III-V metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on rigid and flexible substrates

Nano Letters

Volumn 12, Issue 8, 2012, Pages 4140-4145

  Wang, Chuan ^a,b   Chien, Jun Chau ^a   Fang, Hui ^a,b,c   Takei, Kuniharu ^a,b,c   Nah, Junghyo ^a,b,c,e   Plis, E ^d   Krishna, Sanjay ^d   Niknejad, Ali M ^a   Javey, Ali ^a,b,c  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^c LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

^d University of New Mexico   (United States)

^e Chungnam National University   (South Korea)

Author keywords

flexible electronics; III V on insulator; radio frequency transistors; two dimensional membranes; XOI

Indexed keywords

CHANNEL LENGTH; EXTREMELY HIGH FREQUENCIES; FLEXIBLE SUBSTRATE; HIGH FREQUENCY HF; III-V-ON-INSULATOR; INAS; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR; MOSFETS; NANOMEMBRANES; POLYIMIDE SUBSTRATE; RADIO FREQUENCIES; RADIO FREQUENCY TRANSISTORS; RF MEASUREMENTS; RIGID AND FLEXIBLE SUBSTRATES; SELF-ALIGNED; SELF-ALIGNED DEVICES; SILICON SUBSTRATES; T-SHAPED GATE; XOI;

CUTOFF FREQUENCY; FLEXIBLE ELECTRONICS; INDIUM ARSENIDE; MOSFET DEVICES; POLYIMIDES; RADIO WAVES;

SUBSTRATES;

EID: 84864670829     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl301699k     Document Type: Article

References (39)

1. Lee, S.; Jagannathan, B.; Narasimha, S.; Chou, A.; Zamdmer, N.; Johnson, J.; Williams, R.; Wagner, L.; Kim, J.; Plouchart, J. O.; Pekarik, J.; Springer, S.; Freeman, G. IEDM Tech. Dig. 2007, 255-258
2. Li, S.; Yu, Z.; Yen, S.; Tang, W.; Burke, P. Nano Lett. 2004, 4, 753-756
3. Kocabas, C.; Kim, H.; Banks, T.; Rogers, J.; Pesetski, A.; Baumgardner, J.; Krishnaswamy, S.; Zhang, H. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2008, 105, 1405-1409
4. Louarn, A.; Kapche, F.; Bethoux, J.-M.; Happy, H.; Dambrine, G.; Derycke, V.; Chenevier, P.; Izard, N.; Goffman, M. F.; Bourgoin, J.-P. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 233108
5. Nougaret, L.; Happy, H.; Dambrine, G.; Derycke, V.; Bourgoin, J.-P.; Green, A. A.; Hersam, M. C. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 243505
6. Rutherglen, C.; Jain, D.; Burke, P. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 811-819
7. Wang, C.; Badmaev, A.; Jooyaie, A.; Bao, M.; Wang, K. L.; Galatsis, K.; Zhou, C. ACS Nano 2011, 5, 4169-4176
8. Lin, Y.-M.; Dimitrakopoulos, C.; Jenkins, K. A.; Farmer, D. B.; Chiu, H.-Y.; Grill, A.; Avouris, Ph. Science 2010, 327, 662
9. Wu, Y.; Lin, Y.-M.; Bol, A. A.; Jenkins, K. A.; Xia, F.; Farmer, D. B.; Zhu, Y.; Avouris, Ph. Nature 2011, 472, 74-78
10. Lin, Y.-M.; Valdes-Garcia, A.; Han, S.; Farmer, D. B.; Meric, I.; Sun, Y.; Wu, Y.; Dimitrakopoulos, C.; Grill, A.; Avouris, Ph.; Jenkins, K. A. Science 2011, 332, 1294-1297
11. Liao, L.; Lin, Y.; Bao, M.; Cheng, R.; Bai, J.; Liu, Y.; Qu, Y.; Wang, K. L.; Huang, Y.; Duan, X. Nature 2010, 467, 305-308
12. Takahashi, T.; Takei, K.; Adabi, E.; Fan, Z.; Niknejad, A. M.; Javey, A. ACS Nano 2010, 4, 5855-5860
13. Vandenbrouck, S.; Madjour, K.; Theron, D.; Dong, Y. J.; Li, Y.; Lieber, C. M.; Gaquiere, C. IEEE Electron Device Lett. 2009, 30, 322-324
14. Egard, M.; Johansson, S.; Johansson, A.-C.; Persson, K.-M.; Dey, A. W.; Borg, B. M.; Thelander, C.; Wernersson, L.-E.; Lind, E. Nano Lett. 2010, 10, 809-812
15. del Alamo, J. A. Nature 2011, 479, 317-323
16. Kim, D.; del Alamo, J. A. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 830-833
17. Kim, D.; del Alamo, J. A. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 806-808
18. Hudait, M. K.; Dewey, G.; Datta, S.; Fastenau, J. M.; Kavalieros, J.; Liu, W. K.; Lubyshev, D.; Pillarisetty, R.; Rachmady, W.; Radosavljevic, M.; Rakshit, T.; Chau, R. IEDM Tech. Dig. 2007, 625-628
19. Radosavljevic, M.; Chu-Kung, B.; Corcoran, S.; Dewey, G.; Hudait, M. K.; Fastenau, J. M.; Kavalieros, J.; Liu, W. K.; Lubyshev, D.; Metz, M.; Millard, K.; Mukherjee, N.; Rachmady, W.; Shah, U.; Chau, R. IEDM Tech. Dig. 2009, 1-4
20. Radosavljevic, M.; Dewey, G.; Fastenau, J. M.; Kavalieros, J.; Kotlyar, R.; Chu-Kung, B.; Liu, W. K.; Lubyshev, D.; Metz, M.; Millard, K.; Mukherjee, N.; Pan, L.; Pillarisetty, R.; Rachmady, W.; Shah, U.; Chau, R. IEDM Tech. Dig. 2010, 6.1.1-6.1.4
21. Ko, H.; Takei, K.; Kapadia, R.; Chuang, S.; Fang, H.; Leu, P. W.; Ganapathi, K.; Plis, E.; Kim, H. S.; Chen, S.-Y.; Madsen, M.; Ford, A. C.; Chueh, Y.-L.; Krishna, S.; Salahuddin, S; Javey, A. Nature 2010, 468, 286-289
22. Rogers, J. A.; Lagally, M. G.; Nuzzo, R. G. Nature 2011, 477, 45-53
23. Yoon, J.; Jo, S.; Chun, I. S.; Jung, I.; Kim, H.-S.; Meitl, M.; Menard, E.; Li, X.; Coleman, J. J.; Paik, U.; Rogers, J. A. Nature 2010, 465, 329-333
24. Takei, K.; Chuang, S.; Fang, H.; Kapadia, R.; Liu, C.-H.; Nah, J.; Kim, H. S.; Plis, E.; Krishna, S.; Chueh, Y.-L.; Javey, A. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 103507
25. Fang, H.; Chuang, S.; Takei, K.; Kim, H. S.; Plis, E.; Liu, C.-H.; Krishna, S.; Chueh, Y.-L.; Javey, A. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 504-506
26. Takei, K.; Madsen, M.; Fang, H.; Kapadia, R.; Chuang, S.; Kim, H. S.; Liu, C.-H.; Plis, E.; Nah, J.; Krishna, S.; Chueh, Y.-L.; Guo, J.; Javey, A. Nano Lett. 2012, 12, 2060-2066
27. Chimot, N.; Derycke, V.; Goffman, M. F.; Bourgoin, J. P.; Happy, H.; Dambrine, G. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 153111
28. Sire, C.; Ardiaca, F.; Lepilliet, S.; Seo, J. T.; Hersam, M. C.; Dambrine, G.; Happy, H.; Derycke, V. Nano Lett. 2012, 12, 1184-1188
29. Ahn, J. H.; Kim, H.-S.; Lee, K. J.; Zhu, Z.; Menard, E.; Nuzzo, R. G.; Rogers, J. A. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 460-462
30. Yuan, H.-C.; Ma, Z. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 212105
31. Sun, Y.; Menard, E.; Rogers, J. A.; Kim, H.-S.; Kim, S.; Chen, G.; Adesida, I.; Dettmer, R.; Cortez, R.; Tewksbury, A. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 183509
32. Takahashi, T.; Takei, K.; Adabi, E.; Fan, Z.; Niknejad, A. M.; Javey, A. ACS Nano 2010, 4, 5855-5860
33. Badmaev, A.; Che, Y.; Li, Z.; Wang, C.; Zhou, C. ACS Nano 2012, 6, 3371-3376
34. Sze, S. M. Physics of semiconductor devices; Wiley: New York, 1981.
35. Brennan, K.; Hess, K. Solid-State Electron. 1984, 27, 347-357
36. Shi, J.; Wichmann, N.; Roelens, Y.; Bollaert, S. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 203505
37. Chueh, Y.-L.; Ford, A. C.; Ho, J. C.; Jacobson, Z. A.; Fan, Z.; Chen, C.-Y.; Chou, L.-J.; Javey, A. Nano Lett. 2008, 8, 4528-4533
38. Takei, K.; Takahashi, T.; Ho, J. C.; Ko, H.; Gillies, A. G.; Leu, P. W.; Fearing, R. S.; Javey, A. Nat. Mater. 2010, 9, 821-826
39. Sun, H.; Alt, A. R.; Benedickter, H.; Bolognesi, C. R.; Feltin, E.; Carlin, J.-F.; Gonschorek, M.; Grandjean, N. Appl. Phys. Express 2010, 3, 094101