Single GaInP nanowire p-i-n junctions near the direct to indirect bandgap crossover point

Applied Physics Letters

Volumn 100, Issue 25, 2012, Pages

  Wallentin, Jesper ^a   Barrutia Poncela, Laura ^a   Jansson, Anna M ^a   Mergenthaler, Kilian ^a   Ek, Martin ^a   Jacobsson, Daniel ^a   Reine Wallenberg, L ^a   Deppert, Knut ^a   Samuelson, Lars ^a   Hessman, Dan ^a   Borgström, Magnus T ^a  

^a LUND UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CROSSOVER POINTS; GAINP; LIGHT EMITTING DEVICES; MATERIAL COMPOSITIONS; MULTI JUNCTION SOLAR CELLS; N-TYPE DOPANTS; P-I-N JUNCTIONS; PHOTO-VOLTAIC EFFICIENCY; PHOTOCURRENT RESPONSE; SINGLE NANOWIRES; SINGLE NW;

CRYSTAL STRUCTURE; ENERGY GAP;

NANOWIRES;

EID: 84863317960     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4729929     Document Type: Article

References (34)

1. X. F. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. F. Wang, and C. M. Lieber, Nature (London) 409 (6816), 66 (2001). 10.1038/35051047
2. E. D. Minot, F. Kelkensberg, M. van Kouwen, J. A. van Dam, L. P. Kouwenhoven, V. Zwiller, M. T. Borgström, O. Wunnicke, M. A. Verheijen, and E. P. A. M. Bakkers, Nano Lett. 7 (2), 367 (2007). 10.1021/nl062483w
3. K. N. Hajime Goto, K. Tomioka, S. Hara, and J. M. Kenji Hiruma, and T. Fukui, Appl. Phys. Express 2 (2009), 035004 (2009). 10.1143/APEX.2.035004
4. M. T. Borgström, J. Wallentin, M. Heurlin, S. Fält, P. Wickert, J. Leene, M. H. Magnusson, K. Deppert, and L. Samuelson, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17 (4), 1050 (2011). 10.1109/JSTQE.2010.2073681
5. B. Tian, T. J. Kempa, and C. M. Lieber, Chem. Soc. Rev. 38 (1), 16 (2009). 10.1039/b718703n
6. C. Colombo, M. Heibeta, M. Gratzel, and A. Fontcuberta i Morral, Appl. Phys. Lett. 94 (17), 173108 (2009). 10.1063/1.3125435
7. R. R. King, D. C. Law, K. M. Edmondson, C. M. Fetzer, G. S. Kinsey, H. Yoon, R. A. Sherif, and N. H. Karam, Appl. Phys. Lett. 90 (18), 183516 (2007). 10.1063/1.2734507
8. C. P. T. Svensson, T. Mårtensson, J. Trägårdh, C. Larsson, M. Rask, D. Hessman, L. Samuelson, and J. Ohlsson, Nanotechnology 19 (30), 305201 (2008). 10.1088/0957-4484/19/30/305201
9. N. Sköld, L. S. Karlsson, M. W. Larsson, M. E. Pistol, W. Seifert, J. Trägårdh, and L. Samuelson, Nano Lett. 5 (10), 1943 (2005). 10.1021/nl051304s
10. A. Fakhr, Y. M. Haddara, and R. R. LaPierre, Nanotechnology 21 (16), 165601 (2010). 10.1088/0957-4484/21/16/165601
11. J. W. Nicklas and J. W. Wilkins, Appl. Phys. Lett. 97 (9), 091902 (2010). 10.1063/1.3485297
12. J. Wallentin and M. T. Borgström, J. Mater. Res. 26 (17), 2142 (2011). 10.1557/jmr.2011.214
13. D. Jacobsson, J. M. Persson, D. Kriegner, T. Etzelstorfer, J. Wallentin, J. B. Wagner, J. Stangl, L. Samuelson, K. Deppert, and M. T. Borgström, Nanotechnology 23, 245601 (2011). 10.1088/0957-4484/23/24/245601
14. M. T. Borgström, J. Wallentin, J. Trägårdh, P. Ramvall, M. Ek, L. R. Wallenberg, L. Samuelson, and K. Deppert, Nano Res. 3 (4), 264 (2010). 10.1007/s12274-010-1029-x
15. See supplementary material at http://dx.doi.org/10.1063/1.4729929 E-APPLAB-100-052226 for methods details and electrical measurements of homogenously doped NWs.
16. J. Wallentin, M. Ek, L. R. Wallenberg, L. Samuelson, and M. T. Borgström, Nano Lett. 12 (1), 151 (2011). 10.1021/nl203213d
17. J. Wallentin, P. Wickert, M. Ek, A. Gustafsson, L. R. Wallenberg, M. H. Magnusson, L. Samuelson, K. Deppert, and M. T. Borgstrom, Appl. Phys. Lett. 99 (25), 253105 (2011). 10.1063/1.3669697
18. R. E. Algra, M. A. Verheijen, M. T. Borgström, L.-F. Feiner, G. Immink, W. J. P. van Enckevort, E. Vlieg, and E. P. A. M. Bakkers, Nature (London) 456 (7220), 369 (2008). 10.1038/nature07570
19. J. Wallentin, M. Ek, L. R. Wallenberg, L. Samuelson, K. Deppert, and M. T. Borgström, Nano Lett. 10 (12), 4807 (2010). 10.1021/nl101747z
20. R. E. Algra, M. A. Verheijen, L.-F. Feiner, G. G. W. Immink, W. J. P. v. Enckevort, E. Vlieg, and E. P. A. M. Bakkers, Nano Lett. 11 (3), 1259 (2011). 10.1021/nl104267p
21. J. Wallentin, K. Mergenthaler, M. Ek, L. R. Wallenberg, L. Samuelson, K. Deppert, M. E. Pistol, and M. T. Borgström, Nano Lett. 11 (6), 2286 (2011). 10.1021/nl200492g
22. J. M. Bao, D. C. Bell, F. Capasso, J. B. Wagner, T. Mårtensson, J. Trägårdh, and L. Samuelson, Nano Lett. 8 (3), 836 (2008). 10.1021/nl072921e
23. I. Shalish, H. Temkin, and V. Narayanamurti, Phys. Rev. B 69 24), 245401 (2004). 10.1103/PhysRevB.69.245401
24. T. Suzuki, A. Gomyo, and S. Iijima, J. Cryst. Growth 93 (1-4), 396 (1988). 10.1016/0022-0248(88)90559-3
25. G. Tourbot, C. Bougerol, A. Grenier, M. Den Hertog, D. Sam-Giao, D. Cooper, P. Gilet, B. Gayral, and B. Daudin, Nanotechnology 22 (7), 075601 (2011). 10.1088/0957-4484/22/7/075601
26. N. Sköld, J. B. Wagner, G. Karlsson, T. Hernan, W. Seifert, M. E. Pistol, and L. Samuelson, Nano Lett 6 (12), 2743 (2006). 10.1021/nl061692d
27. M. H. M. van Weert, O. Wunnicke, A. L. Roest, T. J. Eijkemans, A. Yu Silov, J. E. M. Haverkort, G. W. t Hooft, and E. P. A. M. Bakkers, Appl. Phys. Lett. 88 (4), 043109 (2006). 10.1063/1.2168255
28. Y. Moon, S. Si, E. Yoon, and S. J. Kim, J. Appl. Phys. 83 (4), 2261 (1998). 10.1063/1.366966
29. Y. Cui, X. F. Duan, J. T. Hu, and C. M. Lieber, J. Phys. Chem. B 104 (22), 5213 (2000). 10.1021/jp0009305
30. A. Lysov, S. Vinaji, M. Offer, C. Gutsche, I. Regolin, W. Mertin, M. Geller, W. Prost, G. Bacher, and F.-J. Tegude, Nano Res. 4 (10), 987 (2011). 10.1007/s12274-011-0155-4
31. S. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
32. L. Y. Cao, J. S. White, J. S. Park, J. A. Schuller, B. M. Clemens, and M. L. Brongersma, Nature Mater. 8 (8), 643 (2009). 10.1038/nmat2477
33. M. T. Borgström, E. Norberg, P. Wickert, H. A. Nilsson, J. Trägårdh, K. A. Dick, G. Statkute, P. Ramvall, K. Deppert, and L. Samuelson, Nanotechnology 19 (44), 445602 (2008). 10.1088/0957-4484/19/44/445602
34. J. Tatebayashi, A. Lin, P. S. Wong, R. F. Hick, and D. L. Huffaker, J. Appl. Phys. 108 (3), 034315 (2010). 10.1063/1.3457355