Low-temperature, solution-processed and alkali metal doped zno for high-performance thin-film transistors

Advanced Materials

Volumn 24, Issue 6, 2012, Pages 834-838

  Park, Si Yun ^a   Kim, Beom Joon ^b   Kim, Kyongjun ^a   Kang, Moon Sung ^c   Lim, Keon Hee ^a   Lee, Tae Il ^d   Myoung, Jae M ^d   Baik, Hong Koo ^d   Cho, Jeong Ho ^b   Kim, Youn Sang ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Sungkyunkwan University   (South Korea)

^c University of Minnesota   (United States)

^d Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

alkali metal doping; gate dielectrics; operational stability; solution processed zinc oxide; thin film transistors

Indexed keywords

ALKALI METAL DOPING; DOPING METHODS; FLEXIBLE PLASTIC SUBSTRATES; LOW PROCESSING TEMPERATURE; LOW TEMPERATURES; METAL-DOPED; OPERATIONAL STABILITY; SOLUTION-PROCESSED; TRANSFER CHARACTERISTICS; ZNO;

ALKALI METALS; GATE DIELECTRICS; METALS; PROCESSING; SEMICONDUCTOR DOPING; ZINC OXIDE;

THIN FILM TRANSISTORS;

ALKALI METAL; ZINC OXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; SEMICONDUCTOR; SOLUTION AND SOLUBILITY; TEMPERATURE;

METALS, ALKALI; SOLUTIONS; TEMPERATURE; TRANSISTORS, ELECTRONIC; ZINC OXIDE;

EID: 84863011813     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201103173     Document Type: Article

References (28)

1. M. Grundmann, H. Frenzel, A. Lajn, M. Lorenz, F. Schein, H. von Wenckstern, Phys. Status Solidi A 2010, 207, 1437.
2. W. E. Spear, P. G. Lecomber, Solid State Commun. 1993, 88, 1015.
3. S. K. Hau, H. L. Yip, N. S. Baek, J. Y. Zou, K. O'Malley, A. K. Y. Jen, Appl. Phys. Lett. 2008, 92.
4. X. Jiang, F. L. Wong, M. K. Fung, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1875.
5. Z. L. Wang, J. H. Song, Science 2006, 312, 242.
6. Y. Ohya, T. Niwa, T. Ban, Y. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 1 2001, 40, 297.
7. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, G. Nunes, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1117.
8. C. R. Gorla, N. W. Emanetoglu, S. Liang, W. E. Mayo, Y. Lu, M. Wraback, H. Shen, J. Appl. Phys. 1999, 85, 2595.
9. Y. Natsume, H. Sakata, Thin Solid Films 2000, 372, 30.
10. H. C. Cheng, C. F. Chen, C. C. Lee, Thin Solid Films 2006, 498, 142.
11. K. Song, D. Kim, X. S. Li, T. Jun, Y. Jeong, J. Moon, J. Mater. Chem. 2009, 19, 8881.
12. M. G. Kanatzidis, M. G. Kim, A. Facchetti, T. J. Marks, Nat. Mater. 2011, 10, 382.
13. K. K. Banger, Y. Yamashita, K. Mori, R. L. Peterson, T. Leedham, J. Rickard, H. Sirringhaus, Nat. Mater. 2011, 10, 45.
14. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Science 2003, 300, 1269.
15. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Nature 2004, 432, 488.
16. G. Adamopoulos, A. Bashir, S. Thomas, W. P. Gillin, S. Georgakopoulos, M. Shkunov, M. A. Baklar, N. Stingelin, R. C. Maher, L. F. Cohen, D. D. C. Bradley, T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 2010, 22, 4764.
17. S. J. Seo, C. G. Choi, Y. H. Hwang, B. S. Bae, J. Phys. D. Appl. Phys. 2009, 42.
18. M. Ohyama, H. Kozuka, T. Yoko, Thin Solid Films. 1997, 306, 78.
19. S. T. Meyers, J. T. Anderson, C. M. Hung, J. Thompson, J. F. Wager, D. A. Keszler, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 17603.
20. B. Zhao, C. L. Wang, Y. W. Chen, H. L. Chen, Mater. Chem. Phys. 2010, 121, 1.
21. K. Kim, S. Park, J. B. Seon, K. H. Lim, K. Char, K. Shin, Y. S. Kim, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 3546.
22. C. H. Park, S. B. Zhang, S. H. Wei, Phys. Rev. B. 2002, 66.
23. S. B. Orlinskii, J. Schmidt, P. G. Baranov, D. M. Hofmann, C. D. Donega, A. Meijerink, Phys. Rev. Lett. 2004, 92.
24. J. Y. W. Seto, J. Appl. Phys. 1975, 46, 5247.
25. J. H. Cho, S. W. Lee, H. J. Lee, J. H. Choi, W. G. Koh, J. M. Myoung, J. H. Hur, J. J. Park, U. Jeong, Nano Lett. 2010, 10, 347.
26. C. D. Frisbie, J. H. Cho, J. Lee, Y. Xia, B. Kim, Y. Y. He, M. J. Renn, T. P. Lodge, Nat. Mater. 2008, 7, 900.
27. J. H. Cho, H. Bong, W. H. Lee, D. Y. Lee, B. J. Kim, K. Cho, Appl. Phys. Lett. 2010, 96.
28. J. J. Richardson, F. F. Lange, Cryst. Growth Des. 2009, 9, 2570.