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Volumn 9, Issue 3-4, 2012, Pages 1070-1073

Initial experiments in the migration enhanced afterglow growth of gallium and indium nitride

Author keywords

AFM; GaN; InN; Migration enhanced epitaxy; XRD

Indexed keywords

AFM; GAN; INN; MIGRATION ENHANCED EPITAXY; XRD;

EID: 84858853389     PISSN: 18626351     EISSN: 16101642     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.201100209     Document Type: Article
Times cited : (11)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.