Microwave and infrared dielectric response in BaTiO 3 based relaxor ferroelectrics

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 208, Issue 12, 2011, Pages 2853-2860

  Zhang, Jingji ^a,b,c   Zhai, Jiwei ^a,b   Zhang, Yewen ^a  

^a Tongji University   (China)

^b TONGJI UNIVERSITY   (China)

^c CHINA JILIANG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

infrared dielectric response; microwave dielectric properties; Raman spectra; relaxor ferroelectrics; tunability

Indexed keywords

B-SITE CATIONS; DIELECTRIC PEAKS; DIELECTRIC RESPONSE; HIGH TUNABILITY; IR ANALYSIS; LOSS TANGENT; MICROWAVE DIELECTRIC PROPERTIES; MW-PERMITTIVITY; POSITIONAL DISORDER; RED-SHIFTED; RELAXOR BEHAVIOR; RELAXOR FERROELECTRIC; RELAXOR FERROELECTRICS; RELAXORS; SOFT MODES; TUNABILITIES;

BARIUM COMPOUNDS; PERMITTIVITY; POSITIVE IONS; RAMAN SCATTERING; SINGLE CRYSTALS; TIN;

FERROELECTRIC MATERIALS;

EID: 82055162926     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.201127272     Document Type: Article

References (41)

1. K. Tagantsev, V. O. Sherman, K. F. Astafiev, J. Venkatesh, and, N. Setter, J. Electroceram. 11, 5 (2003).
2. H. T. Zhang, X. Y. Deng, T. Li, W. Zhang, R. Chen, W. W. Tian, J. B. Li, X. H. Wang, and, L. T. Li, Appl. Phys. Lett. 97, 162913 (2010).
3. I. Fujii, M. Ugorek, and, M. Trolier, J. Appl. Phys. 107, 104116 (2010).
4. Y. K. Choi, T. Hoshina, H. Takeda, T. Teranishi, and, T. Tsurumi, Appl. Phys. Lett. 97, 212907 (2010).
5. B. Jaffe, W. R. Cook, and, H. Jaffe, Piezoelectric Ceramics (Academic Press, London, 1971).
6. H. Wu, and, W. Z. Shen, Phys. Rev. B 73, 094115 (2006).
7. L. B. Kong, S. Li, T. S. Zhang, J. W. Zhai, F. Y. C. Boey, and, J. Ma, Prog. Mater. Sci. 55, 840 (2010).
8. X. G. Tang, K. H. Chew, and, H. L. W. Chan, Acta Mater. 52, 5177 (2004).
9. T. Maiti, R. Guo, and, A. S. Bhalla, Appl. Phys. Lett. 90, 182901 (2007).
10. X. Y. Wei, Y. J. Feng, and, X. Yao, Appl. Phys. Lett. 83, 2031 (2003).
11. S. G. Lu, Z. K. Xu, and, H. Chen, Appl. Phys. Lett. 85, 5319 (2004).
12. H. Virginie, H. Christophe, M. Mario, A. Markus, and, E. Catherine, Adv. Funct. Mater. 14, 899 (2004).
13. H. V. Alexandru, C. Berbecaru, A. Ioachim, M. I. Toacsen, M. G. Banciu, L. Nedelcu, and, D. Ghetu, Mater. Sci. Eng. B 109, 152 (2004).
14. E. A. Nenasheva, A. D. Kanareykin, N. F. Kartenko, A. I. Dedyk, and, S. F. Karmanenko, J. Electroceram. 13, 235 (2004).
15. J. J. Zhang, J. W. Zhai, X. J. Chou, J. Shao, X. Lu, and, X. Yao, Acta Mater. 57, 4491 (2009).
16. R. H. Liang, X. L. Dong, Y. Chen, F. Cao, and, Y. Wang, Ceram. Int. 33, 957 (2007).
17. X. L. Wang, and, B. Li, Solid State Commun. 149, 13 (2009).
18. T. Maiti, E. Alberta, R. Guo, and, A. S. Bhalla, Mater. Lett. 60, 3861 (2006).
19. Y. Liu, R. L. Withers, B. Nguyen, and, K. Elliott, Appl. Phys. Lett. 91, 152907 (2007).
20. F. Zimmermann, M. Voigts, W. Menesklou, and, T. E. Ivers, J. Eur. Ceram. 24, 1729 (2004).
21. J. Y. Li, H. Kakemoto, S. Wada, T. Tsurumi, and, H. Kawaji, J. Appl. Phys. 100, 024106 (2006).
22. G. O. Rupprecht, and, R. O. Bell, Phys. Rev. 125, 1915 (1962).
23. V. L. Gurevich, and, A. K. Tagantsev, Adv. Phys. 40, 719 (1991).
24. W. S. Kim, E. S. Kim, and, K. H. Yoon, J. Am. Ceram. Soc. 82, 2111 (1999).
25. X. Aupi, J. Breeze, N. Ljepojevic, L. J. Dunne, N. Malde, and, A. K. Axelsson, J. Appl. Phys. 95, 2639 (2004).
26. H. L. Liu, H. I. Chen, Y. T. Tzeng, C. T. Chia, K. C. Hsu, C. C. Chi, C. B. Chang, K. C. Leou, and, I. N. Lin, J. Appl. Phys. 100, 094104 (2006).
27. C. W. Zheng, X. C. Fan, and, X. M. Chen, J. Am. Ceram. Soc. 91, 490 (2008).
28. D. Nuzhnyy, J. Petzelt, I. Rychetsky, V. Buscaglia, M. T. Buscaglia, and, P. Nanni, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 155408 (2009).
29. T. Tsurumi, J. Li, T. Hoshina, H. Kakemoto, M. Nakada, and, J. Akedo, Appl. Phys. Lett. 91, 182905 (2007).
30. I. N. Lin, C. T. Chia, H. L. Liu, H. F. Cheng, R. Freer, M. Barwick, and, F. Azough, J. Appl. Phys. 102, 044112 (2007).
31. R. Farhi, M. E. Marssi, A. Simon, and, J. Ravez, Eur. Phys. J. B 9, 599 (1999).
32. R. D. Shannon, Acta Crystallogr. 32, 751 (1976).
33. H. T. Huang, C. Q. Sun, T. S. Zhang, and, H. Peter, Phys. Rev. B 63, 184112 (2001).
34. S. M. Ke, H. Q. Fan, H. T. Huang, H. L. W. Chan, and, S. H. Yu, J. Appl. Phys. 104, 034108 (2008).
35. A. A. Bokov, Y. H. Bing, W. Chen, Z. G. Ye, S. A. Bogatina, I. P. Raevski, S. I. Raevskaya, and, E. V. Sahkar, Phys. Rev. B 68, 052102 (2003).
36. W. G. Spitzer, R. C. Miller, D. A. Kleinman, and, L. E. Howarth, Phys. Rev. 126, 1710 (1962).
37. J. J. Zhang, J. W. Zhai, J. Y. Wang, J. Shao, X. Lu, and, X. Yao, J. Appl. Phys. 107, 014106 (2010).
38. S. Y. Cho, H. J. Youn, H. J. Lee, and, K. S. Hong, J. Am. Ceram. Soc. 84, 753 (2001).
39. H. Wang, S. Kamba, M. L. Zhang, X. Yao, S. Denisov, F. Kadlec, and, J. Petzelt, J. Appl. Phys. 100, 034109 (2006).
40. N. K. Karan, R. S. Katiyar, T. Maiti, R. Guo, and, A. S. Bhalla, J. Raman Spectrosc. 40, 370 (2009).
41. J. Kreisel, P. Bouvier, M. Maglione, B. Dkhil, and, A. Simon, Phys. Rev. B 69, 092104 (2004).